• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.10a
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• pp.276-278
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• 2003

본 논문에서는 축대칭 유한요소법을 이용하여 고주파에서 사용하는 스파이럴 인덕터를 분석하였다. 스파이럴 인덕터는 고주파 운용시 인덕터 도체에서 발생하는 표피 효과와 근접 효과, 실리콘 기판의 전도성으로 인한 와전류에 의한 저항 손실, 그리고 대류 전류에 의한 기생 용량으로 인덕턴스의 감소와 같은 현상이 발생한다. 이러한 다양한 전자기적 기생 효과들이 실리콘 기판에서 스파이럴 인덕터의 성능을 저하시키게 된다. 그러므로 이러한 점들이 실리콘 기판에서 스파이럴 인덕터를 설계 및 모델링 함에 있어서 동기를 부여해 준다. 그래서 우리는 복잡한 형상에도 적용이 용이한 유한요소법을 이용하여 스파이럴 인덕터를 해석 및 설계하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.05a
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• pp.165-168
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• 2002

본 연구에서는 칩인덕터 코어 소재로 사용되는 (NiCuZn)-ferrite를 습식합성법을 이용하여 나노크기의 초미세 분말을 합성하였으며, 합성된 (ZiCuZn)-ferrite 의 제조공정 및 전파기적 특성에 관하여 고찰하였다. 조성은 (N $i_{0.4-x}$C $u_{x}$Z $n_{0.6}$)$_{1+w}$ (F $e_2$ $O_4$)$_{1-w}$에서 x의 값을 0.05~0.25 범위로 변화시켰으며, w 값은 0.03으로 고정하였다. 소결은 8$50^{\circ}C$에서 9$50^{\circ}C$의 범위에서 진행하였다. 나노크기의(NiCuZn)-ferrite를 사용함으로서 시약급 원료로 제조된 것보다 소결온도를 낮출 수 있었고, 밀도가 높은 페라이트 소결체를 얻을 수 있었다. 또한 초투자율, 품질계수 등 전자기적 특성이 우수하게 나타났다. 그 밖에 습식합성법으로 합성한 (NiCuZn)-ferrite 의 결정성, 미세구조 등을 XRD, SEM 을 이용하여 고찰하였다.하였다.다.

• Proceedings of the Korean Institute of Resources Recycling Conference
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• 1997.11a
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• pp.15-75
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• 1997

• Ceramist
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• v.2 no.4
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• pp.11-17
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• 1999

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2012.05a
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• pp.20-20
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• 2012

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2016.11a
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• pp.95-95
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• 2016

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.18 no.1
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• pp.43-47
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• 2008

[ $ZnO-Bi_2O_3-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2$ ] nano-glass has been prepared by sol-gel method. The mean particle size was 60.3 nm with narrow size distribution. The nano-galss has been used as a sintering aid for the densification of the NiZnCu ferrites. The ferrite was sintered with nano-glass sintering aids at $840{\sim}900^{\circ}C$, 2 h and the initial permeability, quality factor, density, and saturation magnetization were also measured. The initial permeability of 0.5 wt% nano-glass added toroidal sample for NiZnCu ferrites sintered at $900^{\circ}C$ was 193.3 at 1 MHz. The initial permeability and saturation magnetization were increased with increasing annealing temperature. As a result, $ZnO-Bi_2O_3-Al_2O_3-B_2O_3-SiO_2$ nano-glass systems were found to be useful as sintering aids for multilayer chip inductors.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.20 no.5
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• pp.182-186
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• 2010

Effect of cobalt substitution on the sintering behavior and magnetic properties of a NiZnCu ferrite was studied. $Ni_{0.36-x}Co_xZn_{0.44}Cu_{0.22}Fe_{1.98}O_4(0{\leq}x{\leq}0.04)$ ferrite was fabricated by a solid stat reaction method. It was proposed and experimentally verified that $Co^{2+}$ substituted NiZnCu ferrite was effective on improving the quality factor and magnetic properties of NiZnCu ferrites for multilayer chip inductors. The ferrite was sintered without sintering aids, at $880{\sim}920^{\circ}C$, for 2 h and the initial permeability, quality factor, density, shrinkage, saturation magnetization, and coercivity were also measured. The quality factor (Q) was increased linearly up to x = 0.01 and decreased rapidly over x = 0.01. As the cobalt content increased, the initial permeability and density of the ferrites decreases. The initial permeability of toroidal sample for $Ni_{0.35}Co_{0.01}Zn_{0.44}Cu_{0.22}Fe_{1.98}O_4$ ferrites sintered at $900^{\circ}C$ was 130 at 1 MHz and quality factor was 230.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.3
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• pp.109-114
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• 2003

The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.10 no.3 s.37
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• pp.151-163
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• 1995

최근 이동통신, 위성통신 등 통신시스템의 급속한 발달과 더불어 마이크로파대에서 이용될 수 있는 통신기기의 개발이 시급히 요구되고 있다. 더우기 주파수자원의 활용범위가 고주파 광대역화되어 감에 따라 새로운 부품의 개발이 대두되고 있다. 그중 페라이트 자성체를 이용한 마이크로파 부품은 가용주파수 대역을 고주파화 및 광대역화할 수 있으므로 이동통신, 위성통신 시스템 등에 활용가능성이 새로이 제안되고 있다. 본 고는 자성체를 이용한 마이크로파 부품들인 칩인덕터, 박막인덕터, 정자파소자, 위상변위기 등의 개발현황에 대해 조사분석한 것이다.