Surface energy modification of SiOxCyHz film using low temperature PECVD by controlling the plasma process for HMDS precursor with hydrogen gas (수소 기체와 HMDS 프리커서의 저온 PECVD공정을 통한 실리콘옥사이드 박막의 표면에너지 개질)
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- Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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- 2012.11a
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- pp.165-166
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- 2012