• 제목/요약/키워드: 초기 성장

검색결과 1,956건 처리시간 0.042초

스퍼터링 방법에 의한 AIN/Si(111)의 성장 방향과 표면 거칠기의 성장 시간에 대한 연구 (Evolution of Growth Orientation and Surface Roughness During Sputter Growth of AIN/Si(111))

  • 이민수;이현휘;서선희;노동영
    • 한국진공학회지
    • /
    • 제7권3호
    • /
    • pp.237-241
    • /
    • 1998
  • In-situ X-선 산란 방법을 이용하여 R.F. 스퍼터링 방법에 의하여 성장시킨 AIN/Si(111)박막의 우선성장과 표면 거칠기의 성장 시간에 따른 변화를 연구하였다. 대부분 의 성장 조건하에서 초기의 AIN박막은 <001> 우선 성장 방위를 가지고 성장하였다. 하지 만 박막의 두께가 증가함에 따라 우선 성장 방위가 많이 바뀌었는데 이 현상은 높은 기판 온도와 높은 R.F. power에서 더욱 뚜렷이 나타났다. 이러한 현상은 <001> 성장 방위를 선 호하는 표면 에너지와 우선 성장 방위의 무질서도를 증가하게 하는 응력(strain)에너지에 관 련된 것으로 해석된다. 이 실험에서는 X-선 반사율을 측정하여 성장 도중의 표면 현상 또 는 연구하였다.

  • PDF

FZ법에 의한 $YbFeCoO_4$ 단결성 성장 ($YbFeCoO_4$ single crystal growth by FZ method)

  • 강승민;오근호
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제4권1호
    • /
    • pp.57-62
    • /
    • 1994
  • FZ법을 이용하여 $YbFeCoO_4$ 단결정을 성장하였다. 결정 성장은 공기분위기 중에서 이루어졌으며, 성장 속도는 1~2mm/hr로 조절하였으며, 성장 초기는 $YbReO_3$와 CoO로 분해 되었으나 용융 후 액상의 조성이 변화됨에 따라 $YbFeCoO_4$ 단일사의 단결정이 육성되었다.결정의 성장 방향은 c축에 수직으로 성장하였으며 다결정의 종자 결정을 이용하여 용이성장축으로 성장된 결정의 성장 방향은[110]방향이었다.

  • PDF