• 한국통신학회논문지
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• 제25권4A호
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• pp.471-480
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• 2000

한정된 무선 자원을 사용하는 데 있어서 그 효율을 극대화하기 위하여 마이크로 셀이나 피코 셀 구조에서 다양한 트래픽을 서비스하게 되는데, 급격한 무선 통신 사용자의 증가에 따른 잦은 핸드오프 발생이 문제가 되어왔다. 본 논문에서 제안하는 채널할당기법에서는 서비스별로 각각 보호채널을 두어 핸드오프호를 전담함으로써, 서비스 품질에 관건이 되는 핸드오프 실패 확률을 낮은 값으로 유지시킨다. 또한, 트래픽의 다양한 변화에 따른 성능 저하를 방지하기 위해 호의 밀도에 따라 채널 조정을 수행하여 주어진 한정된 수의 채널을 가변으로 운용함으로써 고정 채널할당기법이 갖는 단점을 보완할 수 있도록 하였다. 이동국의 속도와 트래픽의 변화에 따른 초기호 차단 확률과 핸드오프호 차단 확률을 기존의 방식과 비교·분석함으로써 성능을 평가하였다. 트래픽이 서비스별로 불균일한 경우에도 제안하는 방식은 효과적 채널 조정을 통하여 모든 서비스에서 규정된 호차단 확률을 위반하지 않는다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권8호
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• pp.9-16
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• 2000

0.35m CMOS공정을 이용하여 MOSFET의 RF특성을 평가하였다. 채널길이(L-0.25~0.8m)와 채널폭(W=50~600m) 및 바이어스 전압의 변화에 따른 RF특성을 분석하였으며, 차단주파수$f_T$는 최대 22GHz, 최대공진주파수($f_{max}$)는 최대 28GHz의 값을 얻었다. 채널폭의 변화에 대해서 차단주파수는 영향을 받지 않았으며, 최대공진주파수는 감소하는 경향을 보였고, 채널길이 증가에 대해서는 차단주파수 및 최대공진주파수 모두 감소하는 경향을 나타내었다. 최소잡음지수는 채널폭이 증가할수록 감소하고 채널길이가 증가할수록 증가하는 경향을 얻었는데, 2GHz에서 최소 0.45dB의 값을 얻었다. 평가결과로부터 0.35m CMOS공정이 2GHz대역의 상업용 RFIC 구현에 충분한 RF특성을 보유하고 있음을 확인할 수 있었으며, 바이어스 및 채널폭과 길이변화에 대한 CMOS 트랜지스터의 RF 특성분석을 통하여 RF 회로설계에 대한 지침을 제시하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권8B호
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• pp.780-786
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• 2002

본 논문에서는 음성과 데이터 패킷을 전송하는 WCDMA의 CPCH에서 대기시간의 개념을 적용하여 채널 접속을 제어하는 시스템을 제안한다. 기존의 CA 방식은 모든 CPCH 채널코드가 할당된 상태일 때 VT 및 DT가 채널에 접속하면 노드 B가 이를 차단하게 된다. 그러나 본 논문에서 제안하는 대기시간을 갖는 CA 방식은 모든 CPCH 채널 코드가 할당된 상태라도 접속한 VT 및 DT가 대기시간을 갖고 채널의 할당을 기다릴 수 있기 때문에 과다한 접속을 줄일 수 있다. 따라서 본 논문에서 제안한 대기시간을 갖는 CPCH 채널 접속 방식이 기존의 시스템에 비해 차단 확률과 접속 횟수, 시스템 처리량에서 우수한 성능을 갖는다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.867-873
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• 1995

개방수조형 연구로인 하나로에서 가상적인 채널유동 차단사고에 따른 방사능 방출시의 환경영향을 부지 기상자료 측정결과를 이용하여 고공방출과 지표 면방출의 두가지 경로에 대해 평가하였다. 계산 결과, 지표면방출이 고공방출보다 피폭선량이 크게 나타났으나, 두 경우 모두 제한구역(EAB) 및 저인구지역(LPZ) 경계에서의 피폭선량 허용기준치를 만족하였다. 그리고 비상계획구역은 800 m로 설정하면 적절함을 입증하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권9A호
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• pp.1282-1289
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• 2000

본 논문에서는 무선 통신망에서 요구되는 핸드오프 호의 차단 확률을 보장하면서 신규 호의 블록킹 확률을 줄이기 위해 트래픽의 변동 특성과 핸드오프 호 비율을 이용한 가변 가드 채널방식을 제안하였다. 제안한 방식에서 핸드오프 발생 비율이 신규 호 발생 비율보다 낮은 경우 채널의 비효율적 사용의 문제점을 개선하기 위하여 정해진 핸드오프 호의 QoS(Quality of Service)를 보장할 수 있는 가드 채널 수를 재 설정한 후 나머지 채널을 신규호에 할당하여 신규 호의 블록킹 확률을 낮출 수 있도록 하였다. 제안한 방식의 성능을 평가하기 위하여 수학적 분석을 하였고 핸드오프 호 차단 확률, 신규 호 블록킹 확률 및 채널 이용률 관점에서 기존의 가드 채널 방식과 비교하였다.

• 한국산업정보학회:학술대회논문집
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• 한국산업정보학회 1997년도 추계학술대회 발표논문집:21세기를 향한 정보통신 기술의 전망
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• pp.211-220
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• 1997

체비셰프 삽입손실법을 이용하여 선택도가 높은 대역 여파기를 설계한다. 체비셰프 방식은 차단주파수 근방 곡선의 경사가 버터워쓰에 비해 급격하게 떨어지는 특징을 가진다. 인접 채널의 간섭을 최소화 하기위해 차단 대역의 감쇄를 70db이상으로 유지한다. 중심주파수는 885MHz에서 통과대역폭 10MHz의 여파기를 제작하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.992-997
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• 2016

본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.163-168
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• 2015

본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 다중게이트 MOSFET중에 비대칭 이중게이트 MOSFET는 채널전류를 제어할 수 있는 요소가 대칭형의 경우보다 증가하는 장점을 지니고 있다. 그러나 10nm 이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우, 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 차단전류 중에 터널링 전류의 비율을 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 포아송방정식을 이용하여 구한 해석학적 전위분포와 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 하단 게이트 전압에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 상하단 산화막 두께 그리고 채널두께 등에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제26권8A호
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• pp.1298-1310
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• 2001

이 논문에서는 채널 상태가 천천히 변할 때, 직교 주파수 분할 다중화-부호분할 다중접속 시스템에 적합한 채널 추정 방법을 제안하고 성능을 분석한다. 제안한 채널 추정 방법은 시간과 주파수 영역 모두에 파일럿 심볼을 삽입하고, 이산 퓨리에 변환 후 영을 채워 넣는 방법을 이용한 내삽법으로 모든 부채널의 전달 함수를 얻는다. 또한 변환 영역에서 저대역 여파를 통해 받은 파일럿 신호에 존재하는 가산성 백색 정규 잡음의 영향을 상당히 줄일 수 있다. 이 때 저대역 여파기의 차단 주파수는 채널의 다중경로 수에 따라 정해진다. 같은 방법을 이용한 내삽법을 시간축으로 적용하여 시간에 따라 변하는 부채널의 채널 응답을 얻을 수 있다. 이 논문에서는 여러 가지 내삽법에 대한 평균 제곱 오차 성능을 수식적으로 제시한다. 제안한 저대역 여파를 결합한 내삽법을 쓰면 채널의 통계적 특성에 관한 정보 없이, 그리고 훨씬 적은 계산량으로 선형 최소 평균 제곱 오차 추정기와 비슷한 성능을 얻는다. 레일리 감쇄 채널에 대한 모의 실험을 통해 같은 비트 오류율에 대한 신호 대 잡음 비의 이득이 있음을 보인다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2015년도 춘계학술대회
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• pp.839-841
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 드레인 유도 장벽 감소 현상의 변화에 대하여 분석하고자한다. 드레인 전압이 소스 측 전위장벽에 영향을 미칠 정도로 단채널을 갖는 MOSFET에서 발생하는 중요한 이차효과인 드레인 유도 장벽 감소는 문턱전압의 이동 등 트랜지스터 특성에 심각한 영향을 미친다. 드레인 유도 장벽 감소현상을 분석하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수형태의 전위분포를 유도하였으며 차단전류가 $10^{-7}A/m$일 경우 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 단채널효과를 감소시키면서 채널길이 및 채널두께를 초소형화할 수 있는 장점이 있으므로 본 연구에서는 채널길이와 두께 비에 따라 드레인 유도 장벽 감소를 관찰하였다. 결과적으로 드레인 유도 장벽 감소 현상은 단채널에서 크게 나타났으며 하단게이트 전압, 상하단 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑 농도 등에 따라 큰 영향을 받고 있다는 것을 알 수 있었다.