• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
• /
• 한국소음진동공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.214-215
• /
• 2014

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
• /
• 제4회(2015년)
• /
• pp.396-399
• /
• 2015

제일원리계산을 기반으로 실리센을 보호하는 h-BN의 효과에 대해 연구하였다. h-BN의 화학적 안정성으로 인하여, 실리센에 대한 기판과 불순물의 영향을 차단하여 자유지지 실리센의 성질을 유지하는 것을 보였다. 부분적으로 수소처리된 실리센 역시 h-BN 단일층 내에서 안정적으로 고유의 성질을 나타내는 것을 보였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
• /
• pp.148-149
• /
• 2003

The parasitic effects due to the current blocking layer limit the bandwidth of the semiconductor laser diode. Thus, the parasitic response of various blocking layers was analyzed. The inin type was the best choice for the leakage current reduction and the bandwidth expansion.

• 한국추진공학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.9-17
• /
• 2015

기본 유동 형상은 상대적으로 얇은 중간층이 연료와 공기 사이에 끼어있는 평행 2단 혼합층으로 구성되어 있다. 본 연구는 중간층의 두께 변화에 따른 연소 향상을 수치해석을 통해 조사하였다. 이 경우에, 난류 혼합층에서 열 방출에 의한 효과가 중요하다. 수치해석을 수행하기 위해 완전 보존적인 비정상 2차 시간 정확도의 하부 반복 기법과 2차 총 변화 억제 기법을 k-${\omega}$ 전단응력이동 모델이 결합된 유한체적법과 함께 사용하였다. 다음과 같이 3개의 경우에 대해 해석을 수행하였다. 연료와 공기로 구성된 단일 혼합층, 연료와 공기 사이에 불활성 기체층이 끼어있는 2단 혼합층, 그리고 연료와 공기 사이에 차가운 연료층이 끼어있는 2단 혼합층. 수치해석은 중간 기체층이 1, 2, 4 mm 인 경우에 대하여 수행되었다. 기체층의 총 두께는 4 cm이다. 불활성기체층이 2, 4 mm인 경우와 저온의 연료층이 4 mm인 경우에 단일 혼합층의 경우보다 연소영역이 확대된다.

• 한국화재소방학회논문지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.91-97
• /
• 2009

초고층 건물이라는 특수 장소에서 화재가 발생하였을 경우에 야기될 수 있는 제반 문제점을 도출하여 인적, 물적 피해를 최소화하기 위해서 초고층 건물 내에 존재하는 잠재위험요인을 찾아내 위험이 얼마나 큰가를 분석하여 그 해결 방안을 모색하여야 한다. 예방적 측면에서 화재예방활동을 통하여 화재의 발생을 억제하거나, 진압적 측면에서 화재발생과 동시에 초기 진화하는 것이겠지만, 화재의 진행과정을 미리 예측하거나 진행경로를 차단하는 인텔리젠트 또는 파이어 그리드를 이용한 과학소방적 진압방안의 도입이 필요하다.

• 한국광학회지
• /
• 제14권5호
• /
• pp.509-514
• /
• 2003

SOA(Semiconductor Optical Amplifier)를 단일 기판에 집적한 Mach-Zehnder 간섭계 구조의 파장변환기를 제작하여 40 nm 지역폭에 대한 10 Gb/s 파장변환 특성을 조사하였다. 제작된 파장변환기는 BRS(Buried Ridge Structure)형 SOA와 수동 도파로를 butt-joint결합하여 단일 집적한 구조이다. 집적화 과정에서 높은 도파 손실을 발생시키는 p+ InP덮개층을 제거하고 무첨가 InP로 도파로 덮개층 및 전류 차단층을 동시에 형성시키는 새로운 방법을 이용하였고, 모듈 제작에서 경사진 도파로와 광섬유를 효율적으로 광 접속하기 위하여 경사진 광섬유 배열을 제작하여 사용하였다. 이와 같이 제작된 파장변환기 모듈을 이용하여 1535-1575 nm의 40 nm 대역폭에서 1 ㏈ 이하의 power penalty를 갖는 10 Gb/s 파장변환을 구현하였고, 특히 negative penalty를 갖는 파장변환을 성공적으로 구현함으로써 2R(re-amplification, re-shaping) 기능을 제공할 수 있음을 보였다.

• 한국광학회지
• /
• 제10권6호
• /
• pp.518-523
• /
• 1999

본 연구에서는 meltback 방법으로 mesa 모양을 형성하기 위하여 여러 가지 농도의 용액으로 meltback을 하였으며 InP 기판위에 InGaAsP 활성층과 InP cap층을 가지는 웨이퍼에 mesa 모양을 형성하기 위해서는 성장온도에서 성장용액의 80%인 InGaAsP(1.55$\mu$m)용액이 가장 적합한 것으로 확인되었다. meltback 방법만으로 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하기 위한 완전한 mesa를 형성하기는 어려우며, 따라서 본 연구에서는 화학에칭에 이어 Meltback 방법을 이용하여 mesa 모양을 형성하고 연속하여 전류 차단층을 형성시킨 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하였다. 이렇게 제작된 MQW-PBH-LD의 전기 광학적 특성은 공진기 길이가 $300{\mu}m$일 때 임계전류는 10mA, 내부양자효율은 82%, 내부손실은 $9.2cm^{-1}$, 특성온도는 $25~45^{\circ}C$ 사이에서는 65K, $45~65^{\circ}C$사이에서는 42K이었다.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
• /
• 한국수자원학회 2005년도 학술발표회 논문집
• /
• pp.265-269
• /
• 2005

본 연구에서는 분포형 수문모형인 WEP 모형을 도시하천인 청계천 유역에 적용하여 하천 유출을 모의하였다. 하천-지하수 흐름 교환을 고려하여 건천화된 하천 유역의 갈수량을 모의하기 위해 하천 및 지하투수층의 매개변수 자료를 실측 자료로 구축하거나 실측 자료를 바탕으로 이를 보간하여 구축하였다. 모형의 적용 결과, 청계천 유역 상류 부관은 관측값과 비슷한 모의 양상을 보였으나 하류 부근은 모의 결과와 관측값이 상이하였는데, 이는 상류 부근은 도시화가 적게 진행된 반면, 하류 부근은 대부분 도시화되어 지하철, 합류식 하수관 등 하천-지하수의 흐름 교환을 차단하는 인공적인 요소가 많기 때문으로 판단된다. 도시하천 갈수량의 보다 정확한 모의를 위해서는 도시지역 인공적인 지하수 차단 요인에 대한 세밀한 모형화와 자료 구축이 요구된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
• /
• pp.381-382
• /
• 2008

We investigated the properties of DSSC by $TiO_2$-blocking layer formed at several annealing temperatures. At $300^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ anatase and rutile phase of $TiO_2$ were formed, respectively. The characteristics of DSSC was improved by blocking layer annealed at $600^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제16권12S호
• /
• pp.1268-1272
• /
• 2003

In order to enhance current Injection efficiency of Y-groove inner strife(VIS) quantum wire lasers, three different current configurations, n-blocking on p-substrate(VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate(VI(PN)nS), p-blocking on n-substrate(VINS) have been designed and fabricated. Among them VIPS laser showed the most stable characteristics of lasing up to 5 mW/facet, a threshold current of 39.9 mA at 818 nm, and an external differential quantum efficiency of 24 %/facet. The current tuning rate was almost linear 0.031 nm/mA, and the temperature tuning rate was measured to be 0.14 nm/$^{\circ}C$.