• 제목/요약/키워드: 집속 이온빔

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SIMION 시뮬레이터를 이용한 정전렌즈의 빔 집속 성능 (Beam Focusing Performance of Electrostatic Lens using SIMION Simulator)

  • 오맹호;정인승;이종항
    • 한국정밀공학회지
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    • 제26권4호
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    • pp.128-133
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    • 2009
  • Focused-ion-beam (FIB) system is capable of both machining and measuring in nano-scale; hence nano-scale focusing quality is important. This paper investigates design parameters of two electrostatic lenses in order to achieve the best ion beam focusing performance. Commercial SIMION simulator is used to optimize the dimensions of the condenser and objective lenses and investigate the influence of assembly error on focusing quality The simulation results show that the beam focusing quality is not influenced by angle deviation within ${\pm}0.02\;deg$ and geometrical eccentricity within ${\pm}50$ micrometers.

이온빔 기술 리뷰 (A Review of Ion Beam Technology)

  • 이태호
    • 한국추진공학회:학술대회논문집
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    • 한국추진공학회 2011년도 제37회 추계학술대회논문집
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    • pp.493-496
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    • 2011
  • 본 논문은 이온빔 기술에 대하여 발표된 논문을 중심으로 조사하였다. 이온빔의 기술은 기질이나 가공물에서 표면을 깎아내는 기법과 이와 반대로 표면에 이온을 증착 개질 시키는 두 가지로 크게 대별할 수 있고 문헌상으로는 후자가 더욱 활발하다.

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집속이온빔장치에서의 이온빔축 얼라인먼트 (Alignment Method of Ion Beam Axis in Focused Ion Beam System)

  • 박철우;이종항;강승언
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제30권9호
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    • pp.1166-1172
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    • 2006
  • This paper describes an alignment method of the ion column which is used for a focused-ion-beam machining system. The alignment parameters for mechanical and electrical components are introduced, and also sample images are used for evaluating the experiments. The experimental results show that geometrical positions of mechanical components have an influence on the quality of emitted ion beam. In addition, we can successfully align the traveling axis of ions by using mechanical and electrical methods.

서프레셔를 적용한 액체금속이온원의 에너지 퍼짐 연구

  • 민부기;오현주;조병성;강승언;최은하
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.463-463
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    • 2011
  • 집속이온빔장치(Foucused Ion Beam)에서 사용하는 액체금속이온원(Liquid Metal Ion Source)은 고 전류밀도, 고 휘도, 낮은 에너지퍼짐 등 많은 장점이 있다. 대부분의 집속이온빔 장치에서 플라즈마 이온소스에 비해 빔의 직경이 작고 GFIS 보다 다루기 쉬워 액체금속이온원을 많이 사용하고 있다. 기존에 사용하던 액체금속이온원에 서프레셔라는 새로운 전극을 추가시켜 팁과 갈륨저장소, 서프레셔, 추출극 구조로 만들었다. 이 연구를 위해 RPA(Retarding Potential Analyser)를 제작 하였다. RPA는 두 개의 메쉬와 하나의 컬렉터로 이루어져 있으며, 액체금속이온과 플로팅 되어있는 RPA에 전압의 차이를 주기위해 베터리로 제작한 파워로 액체금속이온에 인가되는 전압에 + 90V, -90V까지 제어가 가능하게 만들었다. 본 연구에서는 서프레셔의 유무에 따른 액체금속이온원의 에너지 퍼짐에 대해 연구하였다. 추출극에 전압 변화를 주어 방출되는 전류를 5uA, 10uA, 15uA, 20uA로 변화시켜가며 RPA에서 측정되는 전류를 가지고 전류-전압의 관계를 보았고, 에너지 퍼짐정도를 알았다. 마찬가지로 서프레셔에 전압 변화를 주어 전류-전압 관계, 에너지 퍼짐정도를 알았다.

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이온빔 기술 리뷰 (A Review of Ion Beam Technology)

  • 이태호
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제14권6호
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    • pp.1107-1113
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    • 2011
  • In this paper, ion beam technology was investigated through the published papers. Ion beam technology is mainly used by the focused ion beams. There are two different types of application methods. One method is to remove the material from the substrate, the other one is to deposit the materials on the surface of the substrate or specimen. Based on the literature review there are 1.5 times more published research papers related to the deposition than those of the removal.

집속이온빔의 전류변화에 따른 미세가공 특성분석 (FIB Machining Characteristic Analysis according to $Ga^+$ Ion Beam Current)

  • 강은구;최병열;홍원표;이석우;최헌종
    • 한국공작기계학회논문집
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    • 제15권6호
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    • pp.58-63
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    • 2006
  • FIB equipment can perform sputtering and chemical vapor deposition simultaneously. It is very advantageously used to fabricate a micro structure part having 3D shape because the minimum beam size of ${\Phi}10nm$ and smaller is available. Since general FIB uses very short wavelength and extremely high energy, it can directly make a micro structure less than $1{\mu}m$. As a result, FIB has been probability in manufacturing high performance micro devices and high precision micro structures. Until now, FIB has been commonly used as a very powerful tool in the semiconductor industry. It is mainly used for mask repair, device correction, failure analysis, IC error correction, etc. In this paper FIB-Sputtering and FIB-CVD characteristic analysis were carried out according to $Ga^+$ ion beam current that is very important parameter for minimizing the pattern size and maximizing the yield. Also, for FIB-Sputtering burr caused by redeposition of the substrate characteristic analysis was carried out.

이온전류 증대를 위한 구형 집속 빔 핵융합 장치의 최적 설계 (Optimal Design for the Increment of Ion Current in Spherically Convergent Beam Fusion Device)

  • 주흥진;김봉석;황휘동;박정호;최승길;고광철
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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    • pp.1366-1367
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    • 2008
  • 구형 집속 빔 핵융합 장치에서 발생되는 중성자 생성률은 이온전류의 크기에 크게 의존한다. 본 논문에서는 이온전류의 크기를 증가시키기 위해 구조 설계에 주로 이용되는 다구찌 실험계획법을 이용하여 최적의 설계 조건을 계산하였다. 최적화를 위해 그리드 음극 형상의 결정인자 및 압력을 설계 변수로 선택하였고, 설계변수가 이온전류의 크기에 미치는 영향력을 분석하여 최적의 조건을 도출하였으며, 예측된 최적 조건 변수값을 적용하여 효과를 검증하였다. 최적 모델로부터 더 큰 이온전류를 얻을 수 있었으며, 이는 더 깊은 포텐셜 우물에서 측정되었다.

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