• The Monthly Diabetes
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• s.219
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• pp.8-10
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• 2008

당뇨병환자가 혈당을 잘 조절해야 하는 가장 큰 이유 중 하나는 당뇨병으로 인해 발생하는 합병증을 예방하고 진행을 늦추는 것입니다. 당뇨병환자가 혈당을 정상에 가깝게 조절을 하면 만성 합병증의 발생을 예방할 수 있고, 발생한 합병증의 진행을 늦출 수 있다는 연구 보고들이 많이 있습니다. 그렇다면 어느 정도 혈당수치가 되어야만 혈당조절이 잘 되었다고 할 수 있을까요? 즉 당뇨병환자의 목표 혈당수치는 얼마일까요? 목표 혈당수치는 공복 혈당, 식후 혈당, 취침전 혈당이 각각 다릅니다. 당화혈색소는 혈당수치는 아니지만 공복이나 식후 혈당과는 달리 2$\sim$3개월간의 혈당수치를 반영하므로 혈당조절이 잘되고 있는지를 알아보는 지표로 많이 이용하고 있습니다. 공복혈당은 80$\sim$120mg/dL, 식후 2시간 혈당은 160mg/dL 미만, 취침전 혈당은 100$\sim$140mg/dL를 유지하는 것을 권장하고 있으며, 당화혈색소는 7% 이하 가능하다면 6.5% 까지 유지하는 것을 목표로 합니다. 더 나아가서 당뇨병으로 인한 만성 합병증을 예방하려면 혈당조절뿐만 아니라 혈압, 콜레스테롤도 잘 조절해야 합니다. 혈압은 130/80mmHg 이하로 유지해야 하며 우리 몸에 좋은 콜레스테롤(HDL)은 남자는 40mg/dL 이상, 여자는 50 mg/dL 이상 되어야 하고, 우리 몸에 나쁜 콜레스테롤(LDL)은 100mg/dL 이하, 중성지방은 150mg/dL 이하로 유지해야 합니다. 물론 금연을 하여야 하고 음주를 해서는 안되겠습니다.

• Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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• v.5 no.2
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• pp.103-108
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• 2007

The absorption spectra of Pu in stock solution were measured using a UV-Vis-NIR spectrophotometer after dissolving $PuO_2\;with\;HNO_3$, HF and $HClO_4$. The spectroscopic characteristics of Pu (III, IV, VI) in acidic, neutral and alkali media were investigated. Also, the intensities and position of major peaks for Pu(VI) were observed with increasing acidic and alkali concentration. The variation of oxidation states of Pu(VI) with an adding reducing reactant was investigated in HCl and NaOH medium.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.343-344
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• 2008

90년대에 들어서면서부터 미래원천기술 개발에 필요한 양성자원 및 중성자원의 중요성이 부각됨으로써, 이에 적합한 고에너지(수백 MeV${\sim}$수 GeV) 및 대전류(수십 mA)의 대형 양성자 가속기가 개발되어 반도체 생산, 의료장비 등 여러 분야에 널리 적용되고 있는 추세이다[1, 2]. 이에 양성자 사업단은 21세기 미래 원천기술을 개발하고 산업경쟁력을 제고하며 공공복지를 증진시킬 수 있는 양성자가속기를 개발하여, NT, BT, IT, ST등 중요 국가과학기술분야의 발전기반을 확충하기 위한 프론티어 사업목표로 하고 있으며 이에 부응할 수 있는 양성자 가속기 연구센터 건설계획을 설정하여 추진 중에 있다. 본 논문에서는 양성자가속기 연구센터 지원시설 건축설계의 일환으로 수행되고 있는 전기, 소방, 통신 및 방범설비 설계과정에서 각 설비설계시의 주요기능 및 특징에 관해 기술하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.202-202
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• 2010

최근 반도체 소자의 미세화에 따라, 단채널 효과에 의한 누설전류 및 소비전력증가 등이 문제가 되고 있다. DRAM의 경우, 캐패시터 영역의 축소문제가 소자집적화를 방해하는 요소로 작용하고 있다. 1T-DRAM은 기존의 DRAM과 달리 캐패시터 영역을 없애고 상부실리콘의 중성영역에 전하를 저장함으로써 소자집적화에 구조적인 이점을 갖는다. 또한 silicon-on-insulator (SOI) 기판을 이용할 경우, 뛰어난 전기적 절연 특성과 기생 정전용량의 감소, 소자의 저전력화를 실현할 수 있다. 본 연구에서는 silicon-germanium-on-insulator (SGOI) 기판을 이용한 1T-DRAM의 열처리온도에 따른 특성 변화를 평가하였다. 기존의 SOI 기판을 이용한 1T-DRAM과 달리, SGOI 기판을 사용할 경우, strained-Si 층과 relaxed-SiGe 층간의 격자상수 차에 의한 캐리어 이동도의 증가효과를 기대할 수 있다. 하지만 열처리 시, SiGe층의 Ge 확산으로 인해 상부실리콘 및 SiGe 층의 두께를 변화시켜, 소자의 특성에 영향을 줄 수 있다. 열처리는 급속 열처리 공정을 통해 $850^{\circ}C$와 $1000^{\circ}C$로 나누어 30초 동안 N2/O2 분위기에서 진행하였다. 그리고 Programming/Erasing (P/E)에 따라 달라지는 전류의 차를 감지하여 제작된 1T-DRAM의 메모리 특성을 평가하였다.

• KSBB Journal
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• v.18 no.6
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• pp.473-478
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• 2003

The purpose of this study is to look for the optimal conditions of methane production. The conditions tested for methane production enhancement were temperature, pH, carbon source, nitrogen source, and inhibitor which can affects methane production. As a result, optimal conditions for methane production were 30$^{\circ}C$, neutral pH, methanol as a carbon source, NH$_4$Cl as a nitrogen source. 2-Bromoethanesulfonic acid was used as an inhibitor which can affects methane production. Existence in broth less than 10mM, inhibited methane production. Organic acid measurements revealed that formic acid exists in broth as majority.

• Polymer Science and Technology
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• v.5 no.3
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• pp.236-253
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• 1994

양이온형 $d^0\;Cp_2M(R)(L)^+$ 착물과 무염기 $Cp_2M(R)^+$ 착물은 $Cp_2M(R)_2$화합물로부터 쉽게 합성할 수 있다. 이들 친전자성 착물에서는 여러가지 리간드 교환반응, 삽입반응, ${\beta}$-H 제거반응 및 ${\sigma}$-결합 복분해반응이 일어날 수 있다. 일반적으로 $Cp2M(R)(L)^+$ 착물은 불포화도와 전하가 크기때문에 중성의 $Cp_2M(R)(X)$나 $Cp_2M(R)_2$보다 반응성이 크며 $d^0\;{Cp_2}^*M(R)^+$ (M=제 3족과 란탄계) 착물과 여러가지 반응에서 유사한 거동을 보인다. $Cp_2MX_2$를 기초로하여 합성된 Ziegler-Natta 촉매에 의한 올레핀 중합에서 활성점이 $Cp_2M(R)^+$ 양이온이라는 여러가지 직접적인 증거가 발표되었다. 분리가능한 $Cp_2M(R)(L)^+$ 착물은 올레핀중합에서 높은 활성을 보이며, 유기합성의 관점에서 흥미있는 C-C 재조합반응과 같은 다른 여러가지 반응이 일어날 수 있는 기회를 제공한다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.59.1-59.1
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• 2010

이종접합 구조의 태양전지는 에미터 및 후면전계층으로 비정질 실리콘이 이용되고 있다. 본연구에서는 HWCVD를 이용하여 중성층 비정질 실리콘을 증착(10nm), 패시베이션된 n형 결정질 실리콘을 기판으로 PECVD법으로 에미터 층은 p형 비정질 실리콘을 후면 전계층은 n+형 비정질 실리콘을 증착하여 a-Si:H(p)/c-Si(n)/a-Si:H(n+)의 구조로 에미터 및 후면전계층의 조건에 따른 이종접합 태양전지를 제작, 특성을 분석하였다. 증착시간에 따라 에미터와 후면전계층의 두께를 조절하고 도펀트 가스(B2H6,PH3)의 유량에 따라 도핑 농도를 조절하였다. 공정 변수마다 MCLT 및 Implied Voc를 측정하였고, 태양전지 제작 후 도핑 농도에 따른 충진율을 비교, 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.264-264
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• 2012

자화된 플라즈마 매질 내부에 진행하는 전자기파중에서 ${\omega}_{ci}$ ${\ll}({\omega}_{ci}{\omega}_{ce})_{1/2}{\ll}{\omega}{\ll}{\omega}_{ce}{\ll}{\omega}_{pe}$의 주파수 대역을 사용하여 헬리콘 방전을 발생시킨다. 수 kW의 RF 출력을 사용하는 헬리콘 플라즈마원은 자기장, 중성가스 압력 및 RF 주파수 등을 포함한 방전 조건에 따라 급격하게 플라즈마 밀도가 증가하고, 유사한 플라즈마 발생원에 비하여 높은 효율을 가진다. 이러한 헬리콘 플라즈마가 높은 이온화 효율을 갖는 원인을 알아보기 위해 반사계로 플라즈마 밀도를 측정하였다. 본 연구에서는 helical 타입의 안텐를 이용하여 직경 15 cm pyrex관 내부에 플라즈마를 발생시켰고, 플라즈마 진단을 위해 33~40 GHz의 주파수로 FMCW방식을 이용한 반사계로 플라즈마 밀도를 측정하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.413-414
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• 2016

리튬이차전지는 양극과 음극이 충전과 방전을 반복적으로 수행할 수 있는 구조를 가지고 있으며, 전극 내에서의 이온의 삽입 및 탈리가 용이하고 이들 과정이 진행되는 동안 전극의 구조가 안정하게 유지되어야 하는 전해질은 이온의 전달을 용이하게 하여야 한다. 전지에서 전극 내로 삽입되는 이온은 집전체를 통해 전극으로 들어온 전자와 전하중성을 이루어 전극 내에 전기 에너지를 저장하는 매개체가 된다. 리튬이차전지에서 전해액은 유기 전해액이 사용되고 있으며, 유기용매에 이온원으로서 용질인 리튬염을 용해시킨 것이지만 폭 넓은 환경조건하에서도 이온의 이동을 계속적으로 원활하게 하여 실용전지로서 충분한 역할을 하도록 만드는 중요한 재료이다. 본 논문에서는 전지에서 유기 전해액의 누액이 발생시 보호회로에 미치는 영향에 대해 소개하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2002.05b
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• pp.477-478
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• 2002

본 연구에서 $SO_2$ 폭로군에서 기관점막의 조직학적구조는 대조군에 비해 기관상피의 섬모세포의 섬모소실, 상피세포의 파괴, 탈락, 공포변성, 편평화 등이 관찰되었는데 섬모소실, 상피세포의 괴사 탈락, 공포변성은 그 정도와 범위는 $SO_2$의 농도와 폭로시간에 따라 다소 차이는 있었지만 모든 실험군에서 나타났으며 농도가 높아지고 폭로 시간이 길어질수록 더 심해지고 더 광범위하게 나타났으며 $SO_2$ 폭로군의 기관 점막의 배상세포의 중성점액질과 산성점액질 중 강 sulfomucin은 모든 $SO_2$ 폭로군에서 대조군에 비해 감소하는 경향을 나타내었으며 200ppm $SO_2$ 폭로군에서는 거의 소실되었으나 산성점액질 중 sialomucin은 200ppm $SO_2$ 폭로군을 제외한 실험군에서는 약간 증가하는 경향을 나타내었고 $SO_2$ 폭로가 기관 점막의 점액질의 성상에 영향을 미침을 알 수 있었다.