• Title/Summary/Keyword: 졸-겔 공정

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졸-겔 법에 의한 알루미나 한외여과막의 제조 및 특성에 관한 연구

  • 최양희;김은옥;최재호;이용택
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 1991.04a
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    • pp.40-42
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    • 1991

  • 최근에 분리 농축 그리고 정제 등의 분야에서 세라믹 분리막은 내열성, 내약품성 및 우수한 기계적 강도와 같은 특성으로 인해 기존의 유기고분자막으로는 사용할수 없던 영역까지 그 응용 범위를 확대시키고 있다. 이러한 세라믹 분리막 중 기공크기가 0.1-0.001 $\mu$m 정도로 미세한 한외여과막의 경우, 최근에는 주로 졸-겔법을 이용하여 제조되는 것으로 보고되고 있는데, 이는 졸-겔법이 기존 분리 공정과 비교하여 볼대 다음과 같은 장점이 있기 때문이다.

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Preparation of $TiO_2$ and $ZrO_2$ membranes using Sol-Gel process (졸-겔 공정을 통한 $TiO_2$ 및 $ZrO_2$ 분리막 제조 (1))

  • Choi, Yang-Hee;Kim, Eun-Ok;Kim, Hwan
    • Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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    • 1992.04a
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    • pp.60-60
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    • 1992

  • 알루미나 분리막이 세라믹 분리막의 연구개발 초기단계부터 많은 사람들에 의해 연구되어온 반면, TiO$_2$ 및 ZrO$_2$ 분리막에 관한 연구는 상대적으로 관심이 적었고 따라서 그 내화학성및 투과특성의 우수함이 밝혀진 것도 최근의 일이다. TiO$_2$ 및 ZrO$_2$ UF 분리막의 제조방법으로는 $Al_2O_3$ 의 경우와 마찬가지로 대부분 졸-겔 공정이 이용되고 있다.

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2D Nanodot and Nanowires Arrays of Titania and Silica with Tunable Morphologies via Self-Assembled Block Copolymers and Sol-gel Chemistry (자기조립 이중블록공중합체와 졸-겔 공정을 이용한 이산화티타늄과 이산화규소 2차원 나노점 및 나노선 배열의 모폴로지 제어)

Enhancing Electrical Properties of Sol-Gel Processed IGZO Thin-Film Transistors through Nitrogen Atmosphere Electron Beam Irradiation (질소분위기 전자빔 조사에 의한 졸-겔 IGZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상)

  • Jeeho Park;Young-Seok Song;Sukang Bae;Tae-Wook Kim
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.30 no.3
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    • pp.56-63
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    • 2023

  • In this paper, we studied the effect of electron beam irradiation on sol-gel indium-gallium-zinc oxide (IGZO) thin films under air and nitrogen atmosphere and carried out the electrical characterization of the s ol-gel IGZO thin film transistors (TFTs). To investigate the optical properties, crystalline structure and chemical state of the sol-gel IGZO thin films after electron beam irradiation, UV-Visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out. The sol-gel IGZO thin films exhibited over 80% transmittance in the visible range. The XRD analysis confirmed the amorphous nature of the sol-gel IGZO films regardless of electron beam irradiation. When electron beam irradiation was conducted in a nitrogen (N2) atmosphere, we observed an increased proportion of peaks related to M-O bonding contributed to the improved quality of the thin films. Sol-gel IGZO TFTs subjected to electron beam exposure in a nitrogen atmosphere exhibited enhanced electrical characteristics in terms of on/off ratio and electron mobility. In addition, the electrical parameters of the transistor (on/off ratio, threshold voltage, electron mobility, subthreshold swing) remained relatively stable over time, indicating that the electron beam exposure process in a nitrogen atmosphere could enhance the reliability of IGZO-based thin-film transistors in the fabrication of sol-gel processed TFTs.

  • https://doi.org/10.6117/kmeps.2023.30.3.056 인용 PDF

Process Development for Synthesis of Ultra-low Dielectric SiO2 Aerogel Thin by Freeze Drying (동결건조에 의한 극저유전성 실리카 에어로겔 박막 합성공정 개발)

  • 현상훈;김태영
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.36 no.3
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    • pp.307-318
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    • 1999

  • 동결건조법에 의한 저유전성 실리카 박막의 제조공정 개발 및 층간 절연물질로의 응용성이 연구되었다. 코팅용 폴리머 실리카 졸은 TEOS와 이소프로판올(iso-propanol:IPA)또는 터트부탄올(tert-butanol:TBA)을 용매로한 2단계 공정에 의하여 제조되었으며, 이들 졸을 p-Si(111)웨이퍼 상에 스핀코팅한 습윤겔 박막을 동결건조 하여 다공성 실리카 박막을 제조하였다. 균일한 박막 코팅층을 얻을 수 있는 실리카 졸의 최적 점도범위는 IPA와 TBA를 용매로 한 실리카 졸의 경우 각각 10~14 cP와 20~30cP 정도였으며 스핀속도는 2000 rpm 이상이었다. 결함이 없는 다공성 실리카 박막은 TBA(빙점 $25^{\circ}C$)를 동결용매로 하여-196$^{\circ}C$까지 급랭시킨 후 $0^{\circ}C$와 0.1 torr 까지 가열 감압한 상태에서 고상의 TBAFMF 모두 제거한 다음 20$0^{\circ}C$까지 열처리하여 제조되었다. 다공성 실리카 박막의 두께는 졸의 타입과 스핀코팅 속도에 의해 2500~15000$\AA$범위 내에서 제어가 가능하였으며 이들 막의 밀도와 유전상 수 값은 각각 0.9$\pm$0.3g/㎤(기공율 60$\pm$10%)과 2.4 정도였다.

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