• 콘크리트학회논문집
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• 제19권2호
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• pp.179-188
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• 2007

최근 건설 생산 현장에서 불량 레미콘의 반입 문제 및 콘크리트 구조물의 내구성 확보가 커다란 관심사로 대두되고 있으며, 이에 따라 일본 등의 선진 외국에서는 레미콘의 품질보증 및 관리를 위하여 다양한 굳지 않은 콘크리트의 단위수량 측정 기법이 개발되어 규준화를 도모하고 있다. 본 연구에서는 현재 국내 외에서 연구 개발되어 적용을 도모하고 있는 굳지 않은 콘크리트의 단위수량 측정 기법 중 실제 건설 생산 현장에서의 레미콘 입수검사시 적용이 가능할 것으로 판단되는 전자레인지법, 에어메터법 및 정전용량법을 선정한 후 I, II 시리즈에서는 결합재 종류, 잔골재 종류 및 함수율, 단위수량, 물결합재비에 따른 단위수량 추정 성능을 평가하였으며, III 시리즈에서는 사용 재료의 물성 변화가 굳지 않은 콘크리트의 단위수량 추정 오차 발생에 미치는 영향을 검토하였다. 이와 같은 연구 결과를 바탕으로 본 연구에서는 건설 생산 현장에서 레미콘의 품질관리에 굳지 않은 콘크리트의 단위수량 측정 기법을 실용화하기 위한 기초 자료를 제시하고자 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.225.1-225.1
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• 2013

지난 수년간 태양전지의 광전변환 효율을 높이기 위해 자가 조립된 InAs 또는 GaSb 와 같은 양자점을 GaAs 단일 p-n 접합에 적용하는 연구를 개발해 왔다. 그러나 양자점의 흡수 단면적에 의한 광흡수도는 양자점층을 수십 층을 쌓으면 증가하지만 활성층에 결함을 생성시킨다. 생성된 결함은 운반자 트랩으로 작용하여 태양전지의 광전변환 효율을 감소시킨다. 본 실험에서는 양자점이 적용된 태양전지와 적용되지 않은 태양전지의 광전변환 효율을 비교하고, 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 결함상태를 측정하고 및 비교함으로써, 활성층 내부에 생성된 결함이 광전변환 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 소자구조는 분자선 증착 방법을 이용하여, 먼저 n-형 GaAs 기판위에 n-형 GaAs를 300 nm 증착한 후, 도핑이 되지 않은 GaAs 활성층을 3.5 ${\mu}m$ 두께로 증착하였다. 마지막으로 p-형 GaAs를 830 nm 증착함으로써 p-i-n구조를 형성하였다. 여기서, n-형 GaAs 과 p-형 GaAs의 도핑농도는 동일하게 $5{\times}1018\;cm^{-3}$ 로 하였다. 또한 양자점 및 델타도핑 층을 각각 태양전지에 적용하기 위해 활성층내에 양자점 20층 및 델타도핑 20층을 각각 형성하였다. 이때, 양자점 태양전지, 델타도핑 태양전지와 양자점이 없는 태양전지의 광전변환 효율은 각각 4.24, 4.97, 3.52%로 나타났다. 태양전지의 전기적 특성을 측정하기 위해 소자구조 위에 Au(300nm)/Pt(30nm)/Ti(30nm)의 전극을 전자빔 증착장치로 증착하였으며, 메사에칭으로 직경 300 ${\mu}m$의 p-i-n 접합 다이오드 구조를 제작하였다. 정전용량-전압 특성 및 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 태양전지의 결함분석 및 이에 따른 광전변환 효율의 상관관계를 논의할 것이다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제30권11호
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• pp.1369-1375
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• 2006

In this work, mechanical characteristics of stainless steel diaphragm have been studied as a potential robust substrate and a diaphragm material for micromachined devices. Lamination process techniques combined with traditional micromachining processes have been adopted as suitable fabrication technologies. To illustrate these principles, capacitive pressure sensors based on a stainless steel diaphragm have been designed, fabricated and characterized. The fabrication process for stainless steel micromachined devices keeps the membrane and substrate being at the environment of 8.65MPa pressure and $175^{\circ}C$ for a half hour and then subsequently cooled to $25^{\circ}C$. Each sensor uses a stainless steel substrate, a laminated stainless steel film as a suspended movable plate and a fixed, surface micromachined back electrode of electroplated nickel. The finite element method is adopted to investigate residual stresses formed in the process. Besides, out-of-plane deflections are calculated under pressures on the diaphragm. The sensitivity of the device fabricated using these technologies is 9.03 ppm $kPa^{-1}$ with a net capacitance change of 0.14 pF over a range 0$\sim$180 kPa.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2138-2140
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• 2000

송전선, 변전소, 발전소 등의 전력설비에 있어서 애자장치의 오손은 지락사고나 코로나 유발에 의한 환경장애 등의 원인이 되고 있어 염분에 의한 애자장치의 오손 대책이 설비 관리에 있어서 중요한 부분을 차지하고 있으며, 이를 위해서는 염분 오손도의 측정이 선행되어야 한다. 본 논문에서는 염분 오손도를 상시 자동으로 측정할 수 있는 방법으로서 제안되고 있는 전자식 애자 이용법, 열전 반도체를 이용한 전도도 측정법, Nd:YAG 레이저법, 레이저 광센서와 프리즘을 이용한 염분 오손도 측정법, 정전용량 검출센서를 이용한 염분 오손도 측정법, 백금 전극을 이용한 누설전류 측정법과 같은 염분 오손도 측정법을 소개하고자 한다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2002년도 추계학술대회 논문집
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• pp.455-458
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• 2002

In recent years, precision positioning stage is demanded fur some industrial fields such as semi conductor lithography, ultra precision machining and fabricating of nano structure. In this research, precision multi-axis positioning stage, which consists of pzt actuator, flexure, and capacitance gauge, is designed and developed. The performance of it such as 3-axis positioning, characteristic of motion and resolution is verified.

• 전기의세계
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• 제29권3호
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• pp.185-192
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• 1980

It is revealed that duality and similarity between both capacitance and inductance systems coexist, and also that the former is more efficient than the latter in application viewpoints in time-invariant linear cases as far as both systems are concerned. This paper, using the similarity relation, proposes a new magnetics capacity concept similar to electrostatic capacity so that inductance systems may be interpreted as the corresponding capacitance systems. The new concept makes it convenient to analyze the both systems by unified approach. Finally an example demonstrates the applicability and convenience of the proposed method, through the analysis of capacitances and inductances on the transposed transmission line.

• 한국공작기계학회:학술대회논문집
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• 한국공작기계학회 2002년도 추계학술대회 논문집
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• pp.214-218
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• 2002

In recent years, precision positioning stage is demanded for some industrial fields such as semi-conductor lithography, ultra precision machining, and fabricating of nano structure. In this research, precision multi-axis positioning stage, which consists of pzt actuator, flexure, and capacitance gauge, is designed and developed. The performance of 3-axis positioning, characteristics of motion and resolution are verified.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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• pp.238-240
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• 2002

스크린 인쇄법으로 전계 발광 소자를 제작하였으며, 고온 다습의 THB 시험을 통해 신뢰성을 평가하였으며, 고전계인가시 소자 표면에 발생된 흑점을 SEM, EDX를 통해 분석하였다. 배면 보호층의 종류와 도포 방법과 도포 횟수에 따른 정전용량, 유전손실, 휘도의 특성을 조사하였다. 이방성 접착제를 사용하여 단자의 종류에 따른 특성을 평가하였고, 단자 접착력에 따른 전기적인 특성을 조사하였다.

• 공업화학
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• 제5권1호
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• pp.44-53
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• 1994

고성능 니켈-철 축전지를 개발하기 위하여 알칼리 축전지로 이론적 용량밀도가 높고 저공해성, 저렴한 가격, 자원의 풍부성 등의 우수한 장점을 가지고 있는 철전극에 대한 연구를 수행하였다. 충방전반응의 특성을 전위주사법, SEM, XRD 분석으로 조사하였으며, 또한 전극용량을 정전류 충방전시험법으로 조사하였다. 철의 순도와 입자크기가 전극용량에 크게 영향을 미쳤으며, 첨가제 $Na_2S$는 전극의 부동태화를 방지하고 수소과전압을 높여 전극용량을 20% 정도 증대시켰다. 전극의 안정성과 용량은 Ni-fibrex와 foamed Ni집전체를 사용하여 증대시켰으며, 또한 소결온도에 영향을 받았다. 전극용량은 350 mAh/g(0.2 C)으로 나타났는데, 이는 이용률 36%에 해당한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.329.2-329.2
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• 2014

지난 수년간 태양전지의 광전변환효율을 높이기 위해 자가 조립된 InAs 또는 GaSb와 같은 양자점을 GaAs 단일 p-n 접합에 적용하는 연구를 개발해 왔다. 그러나 양자점의 흡수 단면적에 의한 광 흡수도는 양자점층을 수십 층을 쌓으면 증가하지만 활성층에 결함을 생성시킨다. 생성된 결함은 운반자트랩으로 작용하여 태양전지의 광전변환효율을 감소시킨다. 본 실험에서는 양자점이 적용된 태양전지와 적용되지 않은 태양전지의 광전변환 효율을 비교하고, 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 결함상태를 측정 및 비교함으로써, 활성층 내부에 생성된 결함이 광전변환 효율에 미치는 영향을 분석하였다. 소자구조는 분자선 증착 방법을 이용하여, 먼저 n+-형 GaAs기판위에 n+-형 GaAs를 250 nm 증착한 후, 도핑이 되지 않은 GaAs활성층을 $1{\mu}m$ 두께로 증착하였다. 마지막으로 n+ 와 p+-형 GaAs를 각각 50, 750 nm 증착함으로써 p-i-n구조를형성하였다. 여기서, n+-형 GaAs 과 p+-형 GaAs의 도핑농도는 동일하게 $5{\times}1018cm-3$로 하였다. 또한 양자점을 태양전지 활성층에 20층을 형성하였다. 이때 p-i-n 태양전지 와 양자점 태양전지의 광전변환 효율은 각각 5.54, 4.22 % 를 나타내었다. p-i-n 태양전지의 개방 전압과 단락전류는 847 mV, 8,81 mA이며 양자점 태양전지는 847 mV, 6.62mA로 확인되었다. 태양전지의 전기적 특성을 측정하기 위해 소자구조 위에 Au(300nm)/Pt(30nm)/Ti(30nm)의 전극을 전자빔증착장치로 증착하였으며, 메사에칭으로 직경 $300{\mu}m$의 태양전지 구조를 제작하였다. 정전용량-전압 특성 및 깊은준위 과도용량 분광법을 이용하여 태양전지의 결함분석 및 이에 따른 광전변환 특성인자와의 상관관계를 논의할 것이다.