전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.
대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 합동춘계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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pp.125-126
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2008
본 연구에서는 챔버 내에 압력 $1{\sim}7$[atm]의 Dry-Air를 주입한 후, AC전압을 인가하여, 전극의 모양에 따라 불평등 전계/준평등 전계를 형성하였을 시, 전극 사이에 넣은 고체절연물의 두께에 따른 연면방전 특성을 실험을 통하여 측정 비교한 것이다. 고체절연물로는 열경화성 플라스틱을 사용하였다. 챔버 내 Dry-Air의 주입압력이 높일수록 연면 절연파괴 전압이 높았고, 준평등 전계에서보다 불평등 전계 인가시 더 높은 절연파괴 저압을 얻을 수 있었다. 또한 고체절연물의 두께가 두꺼울수록 고체의 절연파괴 전압이 높았으며, 고체절연물의 두께가 2[mm]일 경우, Dry-Air의 연면방전 특성이 $SF_6$보다 평균적으로 $12{\sim}51$[%] 낮고, 3[mm]의 경우도 Dry-Air의 연면방전 특성이 $14{\sim}45$[%] 가량 낮았다.
본 논문에서는 AC 전압 하에서 자유 도전성 금속이물 혼입에 의한 SF6 가스로 압축된 GIS의 절연특성에 관하여 연구하였다. GIS 내에서 자유 도전성 금속이물이 혼입되면 절연파괴 전압을 낮추는 결정적인 역할을 할 수 있으므로, 금속이물의 재질과 크기에 따른 부상전계 및 절연파괴전압을 측정하였다. 구리, 철, 알루미늄의 선형 금속이물에서의 부상전계 계산값과 측정값을 비교, 분석하였다. 압축된 $SF_6$ 가스로 절연된 동축원통전극간에 금속이물의 혼입될 경우의 절연파괴전압은 금속이물의 없을 때보다 낮게 나타났으며, 금속이물의 재질과 크기에 상당히 의존하였다. 따라서 자유도전성 금속이물은 GIS의 절연파괴 특성에 매우 중요한 요소로 작용함을 알 수 있었다.
본 논문은 Knife 전극을 사용했을 때 친환경 절연가스인 $N_2:O_2$(100[%]:0[%]) 및 $N_2:O_2$(80[%]:20[%], I-Air), $N_2:O_2$(60[%]:40[%])의 혼합가스 및 $SF_s$ 중 Teflon수지에서의 연면절연특성을 구명하여 절연설계 시에 응용 가능한 기초자료를 제공하고자 한다. 사용한 전극은 Knife형 전극으로써, 거리 및 압력을 조정하며 절연가스의 종류에 따른 연면절연파괴전압, 연면방전 전계강도를 비교분석하였다. 혼합가스 중에 평균 연면절연파괴전압은 I-Air가 가장 높게 나타났다. 또한 $SF_6$ 의 연면방전전계강도는 I-Air의 약 2배 정도로 나타났다.
본 논문에서는 유기박막트랜지스터용 절연막에 활용코자 플라즈마 중합방법을 이용하여 PMMA 절연막을 제작하였다. 유기트랜지스터 성능향상을 위해 전극구조에 따른 특성을 파악하고자 트랜지스터의 이동도 및 출력특성을 본결과, 상부전극구조의 경우 최대 이동도는 $8{\times}10^{-3}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$을 보이고 하부전극구조의 경우 $2{\times}10^{-4}[cm^2V^{-1}s^{-1}]$의 낮은 이동도 값을 얻었으며, 하부전극구조의 경우 off current값이 증가되는 특성을 볼 수 있다. 그러므로 유기트랜지스터의 전극구조는 상부전극 방식이 좋은 것 알 수 있었다.
본 연구는 Knife형 전극을 사용하여 이종절연재하의 갭 변화에 따른 연면방전 특성을 연구할 목적으로 교류고전압 인가 시 압력(P), 전극간거리(d) 및 사용된 가스의 변화에 따른 절연파괴특성을 연구하였다. 본 연구를 통해 챔버 내의 P와 d가 증가할수록 $SF_6$, I-Air, Dry-Air 및 순수 $N_2$는 파센의 법칙에 일치하여 절연파괴특성이 비례 증가하는 것을 확인했다. 그리고 $N_2:O_2$혼합가스 중 특정 비율에서는 P에 대해선 비선형적으로, d에 대해선 선형적으로 증가함을 확인했다.
Si2H6PH3 혼합기체를 사용하여 증착된 in-situ P-doped 비정질 실리콘과 SiH4 기체를사용하여 증착한후에 As+ 이온주입에 의해 도핑시킨 다결정 실리콘 박막을 하부 전극으로 하는 캐패시터를 형성 하였다. 여기서 유전박막층은 자연산화막 화학증착된 실리콘질화막 및 질화막의 산화에 의해 형성된 O-N-O 구조를 갖는 것이었다. 두 종류의 하부전극에 따른 캐패시터의 전기적 특서을 조사하였다. 전기 적 특성으로는 정전용량, 누설전류, 절연파괴전압 및 TDDB 등이었다. 이 가운데 정전용량, 누설전류 및 절연파괴전압은 하부전극에 따라 큰 차이를 보이지않았다. 그러나 음의 전장하에서의 TDDB 특성은 in-situ P-doped 비정실 실리콘이 하부전극인 캐패시터가 As+ 이온 주입실리콘이 하부전극인 것에 비해 더우수하였다. 이와 같은 TDDB 특성의 차이는 하부전극 실리콘의 integrity 차이로 인한 자연산화막의 결함 정도의 차이에 기인하는 것 같다. 이를 뒷받침하는 것으로 투과전자현미경 단면사진으로 확인하였 다. Shallow junction을 유지하는데도 in-situ P-doped 비정실 실리콘은 만족할 만한 결과를 보이며 박 막자체의 면저항값도 낮출 수 있어 초고집적 회로의 캐패시터 전극으로서 이용될 수 있는 것으로 평가 되었다.
변전기기의 주요 절연매질인 절연유 및 $SF_6$ 가스에서 절연불량으로 부분방전이 발생할때 방사되는 전자기파 특성을 측정, 분석 하였다. 부분방전 발생기구로 부유전극을 제작하여 실험하였으며 부분 방전에 의한 전자기파 신호의 특성을 분석한 결과 변압기 주 절연물인 절연유에서 발생하는 부분방전신호가 크고 높은 주파수의 신호가 발생하였고, 가스절연개폐장치 주 절연물인 $SF_6$ 가스에서 발생하는 부분방전신호도 비교적 높은 주파수 신호가 발생하였다. 본 분석결과는 변전소 주요 설비인 변압기 및 가스절연개폐장치에서 발생가능한 절연이상을 진단하기 위한 전자기파를 이용한 부분방전 분석기술 개발에 응용할 예정이다.
이 논문은 동축원통형 전극계에서 임펄스전류에 의한 토양의 절연파괴특성에 관한 것으로 4종의 토양에 대한 절연파괴전압과 전류를 측정하고, 절연파괴를 일으키는 전계의 세기, 절연파괴까지의 지연시간과 전압-전류곡선을 분석하고 검토하였다. 그 결과, 절연파괴전압과 전류 파형은 토양입자의 크기에 의존하며, 자갈과 모래의 절연파괴 전압과 전류 파형은 마사토와 황토의 파형과는 다르게 나타났다. 절연파괴를 일으키는 전계의 세기는 자갈, 모래, 황토, 마사토의 순으로 높았으며, 모든 시료의 전압-전류곡선은 ${\infty}$모양의 교차폐곡선을 나타내었다. 또한 자갈과 모래의 절연파괴까지의 시간지연은 마사토나 황토보다 길게 나타났다. 본 연구 결과는 토양의 이온화를 고려하여 낙뢰전류가 입사되는 접지전극시스템의 과도적 성능의 향상을 위한 설계에 유용한 정보가 될 것이다.
전계해석법을 이용하여 나타내었다. 이때 모의한 GIS 챔버내 금속이물의 위치는 전극부착시, 외함부착시 그리고 자유운동시로 하였다. 그 결과 GIS챔버의 절연파괴전계의 경우, 전극에 파티클 부착시가 가장 작게 나타났고, 파티클 자유운동시가 중간, 외함에 파티클 부착시가 가장 작게 나타남을 알 수 있었다. 또한 파티클 위치에 따른 전계해석의 경우 전극에 파티클 부착시가 가장 크게 나타났고, 파티클 자유운동시가 중간, 외함에 파티클 부착시가 가장 작게 나타났다. 이 결과는 국내 GIS의 절연설계에 설제적인 참고자료가 될 것으로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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