• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07a
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• pp.244-246
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• 2005

전기사업법 제 66조 및 동법 시행규칙 제 35조에 따라 실시하고 있는 일반용 전기설비의 정기점검은 점검의 효율성을 향상시키기 위해 무정전으로 누설전류 및 절연저항 등을 측정할 필요가 있다. 본 논문에서는 누설전류, 절연저항 및 접지저항 측정기능을 갖고 휴대가 편리하며 PDA와 통신이 가능한 다기능 전기안전측정장치를 개발하였다. 개발된 시스템은 가정집, 사무실, 상가 둥에서 기존의 계측기와 비교시험을 통해 오차율이 ${\pm}5%$ 이하가 되도록 하였다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.22 no.2
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• pp.128-133
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• 2008

This paper describes underwater discharge phenomena and breakdown characteristics in case that the standard lightning impulse voltage is injected to the needle and spherical electrodes installed in the hemisphere water tank. The objective of this work is to understand the basic features related to transient ground impedance against lightning surges. The discharge luminous images were observed and the dependence of breakdown voltage on the polarity of applied voltage and water resistivity were investigated. As a consequence, streamer corona is initiated at the tip of needle and spherical electrodes and is propagated toward grounded tank with stepwise extension. The breakdown voltage characteristics measured as a function of water resistivity showed V-shaped curves. Breakdown voltage and time curve of needle electrode is higher than that of spherical electrode.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1628-1629
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• 2011

산업현장에서는 회전기기의 고체절연시스템(solid insulation system)의 열화정도를 평가하기 위하여 일정 진단주기에 맞춰 Off-line 상태에서 직류시험 및 교류시험을 통하여 효과적으로 절연물에 대한 상태평가를 시행하고 있다. 직류시험으로는 절연저항, 성극지수(PI) 시험 등이 있으며 교류시험으로는 교류전류시험(${\Delta}I$), 유전정접시험(${\Delta}tan{\delta}$), 부분방전(PD)시험이 있다. 여기서 부분방전은 절연체의 국부적인 열화현상을 추정할 수 있는 중요한 파라미터로, 부분방전시험(PD test)을 통하여 고정자권선(stator winding)에 대한 절연특성을 효과적으로 진단할 수 있다. 고압 전동기는 기동정지의 빈번함과 장기간 운전에 의해 열적, 전기적, 기계적 스트레스를 받게 되고, 이로 인해 과열, 진동, 절연파괴에 이르는 문제점이 발생되어 결국 시스템의 운전정지를 초래하는 심각한 사고로 이어질 수 있다. 따라서 고압 전동기의 절연상태를 주기적으로 감시하고 사고 징후를 검출하여 시스템을 안정적으로 운영하기 위한 고압 전동기 Off-line 절연진단에 대하여 기술하고 수차발전기에 대한 절연상태진단 결과를 바탕으로 절연시스템의 신뢰성 평가 방법에 대하여 고찰하고자 한다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.5
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• pp.189-195
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• 2001

We prepared TMR junctions of NiFe(170 )/CoFe(48 )/Al(13 )-O/CoFe(500 )/Ta(50 ) structure on 2.5$\times$2.5 $\textrm{cm}^2$ area Si/SiO$_2$ substrates in order to investigate the uniformity of magnetoresistance(MR) value using a ICP magnetron sputter. Each layer was deposited by the ICP magnetron sputter and tunnel barrier was formed by the plasma oxidation method. We measured MR ratio and resistance of TMR devices with four-terminal probe system by applying external magnetic field. Although we used ICP sputter which is known as superior to make uniform films, the standard variation of MR ratio was 2.72. The variation was not dependent on the TMR devices location of a substrate. We found that MR ratio and spin-flip field (H's) increased as the resistance increased, which may be caused by local interface irregularity of the insulating layer. The variation of resistance value was 64.19 and MR ratio was 2.72, respectively. Our results imply that to improve the insulating layer fabrication process including annealing process to lessen interface modulation in order to mass produce the TMR devices.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.5
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• pp.196-201
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• 2001

The dependence of CoFe interfacial layer thickness and plasma oxidation condition on tunneling magnetoresistance (TMR) in Ta/NiFe/FeMn/NiFe/Al$_2$O$_3$/NiFe/Ta tunnel junctions was investigated. As the CoFe layer thickness increases, TMR ratio rapidly increases to 13.7 % and decreases with further increase of the CoFe layer thickness. The increase of TMR with the CoFe thickness up to 25 was thought to be due mails to the high spin-polarization of CoFe. The maximum MR of 15.3% was obtained in the Si(100)/Ta(50 )/NiFe(60 )/FeMn(250 )/NiFe(70 )/Al$_2$O$_3$/NiFe(150 )/Ta(50 ) magnetic tunnel junction with a 16 Al oxidized for 40 sec using a Ar/O$_2$ (1:4) mixture gas.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.10 no.1
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• pp.24-32
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• 2001

High temperature platinum resistance thermometers(HTPRTs) were designed and fabricated using a synthetic sapphire single crystal as sensor former, insulation and protection tube, and its characteristics was investigated. Several fixed points measurement showed that the sapphire HTPRTs were satisfied with the ITS-90 criteria as the interpolating thermometer. The temperature-resistance characteristics of HTPRT was fitted to the quadratic relationship in the temperature range from $500^{\circ}C$ to $1500^{\circ}C$. The reproducibility of Cu freezing point realized using the sapphire HTPRT was ${\pm}19.2\;mK$. The insulation resistance of the HTPRT exponentially decreased as temperature increased, and showed to $63\;k{\Omega}({\sim}31.5\;mK)$ at $1500^{\circ}C$.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.431-432
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• 2015

본 논문은 초고압 가스절연개폐장치의 메인 접점의 압점력에 따른 절연 특성에 대한 연구이다. 차단기 접점의 접촉이 잘 이루어지지 않는 현상이 발생하게 되면 접촉저항이 증가하여 차단기의 투입 및 개방 시에 전류에 의하여 접점에 손상이 발생한다. 그리고 차단기의 접점의 압점력이 커질수록 큰 조작력이 필요하므로 차단기의 동작에도 영향을 미치는 것은 많이 알려져 있다. 그러나 압점력과 절연 특성의 관계에 대한 연구가 미비하므로 이에 대한 연구가 필요하다. 본 연구는 초고압 가스절연개폐장치의 메인 접점의 압점력에 차이에 따른 전계를 해석하고, 고정측 접점의 쉴드 유무에 따른 절연 내력을 비교 및 분석하였다. 전계 해석 결과를 통해서 메인 접점의 압점력과 절연특성과 고정측 접점 쉴드의 영향을 비교함으로써 차단기 인터럽터 내부의 전계 분포를 확인하고, 전계 강도를 확인함으로 가스절연계폐장치의 적절한 절연내력 확보를 목적으로 한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.263-266
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• 2000

This paper is focused on the fabrication of reliable Al/$TiO_2-SiO_2$/Mo antifuse, which could operate at low voltage along with the improvement in on/off state properties. Mo metal as the bottom electrode had smooth surface and high melting point, and was being kept as-deposited $SiO_2$film stable. The breakdown voltage of TiO_2-SiO_2$ stacked antifuse was better than that of same-thickness (100 $\AA$) $SiO_2$antifuse because of Ti diffusion in $SiO_2$. The improving breakdown-voltage and on-resistance can be obtained as well as the influence of hillock in the bottom metal is reduced by using double insulator. Low on-resistance (65 $\Omega$) and low programming voltage (9.0 V) can be obtained in these antifuses with 250 $\AA$ double insulator.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.176-176
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• 2012

본 연구는 GaN 기반의 전자소자의 표면 패시베이션 방법으로 열산화 공정을 이용한 알루미늄산화막 패시베이션 공정에 대하여 연구하였다. 결정질의 알루미늄산화물은 경도가 크고 화학적으로 안정적이기 때문에 외부 오염에 대한 소자 표면을 효과적으로 보호할 수 있으며, 열적안정성이 뛰어나 공정중 또는 공정 후의 고온 환경에서의 열 손상이 적은 장점을 가진다. 결정질 알루미늄산화막($Al_2O_3$)을 소자 표면에 형성하기 위해서 일반적으로 TMA (trimethlyaluminium)와 오존($O_3$)가스를 이용한 ALD 공정법이 사용되고 있으나 공정 비용이 비싸고 열산화막에 비해 전자 trapping이 많이 발생하여 전자이동도가 저하되는 단점이 있어, 본 연구에서는 열산화 공정을 이용하여 소자의 전기적 특성 저하를 발생시키지 않는 알루미늄산화막 패시베이션을 수행하였다. 실험에 사용된 기판은 AlGaN/GaN 이종접합 구조가 증착된 HEMT 제작용 기판을 사용하였으며 TLM 구조를 제작하여 소자의 채널 면저항 및 절연영역간 누설전류 특성을 확인하였다. TLM 구조가 제작된 샘플 위에 알루미늄을 100 ${\AA}$ 두께로 소자위에 증착하고 $O_2$ 분위기에서 약 $525{\sim}675^{\circ}C$ 온도로 3분간 열처리하여 알루미늄 산화막을 형성한 후 $950^{\circ}C$ 온도로 $N_2$ 분위기에서 30초간 안정화열처리 하여 안정한 알루미늄 산화막 패시베이션을 형성하였다. 알루미늄산화막 패시베이션 후 소자의 절연영역 사이의 누설전류는 패시베이션 전과 비슷한 크기를 나타냈고 패시베이션 후 채널의 면저항이 패시베이션 전에 비해 약 20% 감소한 것을 확인하였다. 또한 패시베이션된 소자와 패시베이션되지않은 소자에 대해 $900^{\circ}C$ 온도로 30초간 열처리한 결과 패시베이션 되지 않은 소자는 74%만큼 채널 면저항이 증가하였으며, 절연영역 누설전류가 다섯오더 크기로 증가한 반면 알루미늄산화막 패시베이션한 소자는 단지 13%의 채널 면저항의 증가를 나타내었고 절연영역 누설전류는 100배 감소한 값을 보여 알루미늄산화막 패시베이션이 소자의 열적 안정성을 향상시키는 것을 확인하였다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.14 no.5
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• pp.237-242
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• 2014

In this paper, we find out the lifetime index in order to determine the time-dependent trend of deteriorating performance of 6.6kV high-voltage power cable in operation at a power station. The cable systems used in our study have been in operation for 13 years. With measurements for the 13 years, we analyzed the insulation resistances. By developing measuring equipment (comprized mainly of transformer, temperature sensor, and LPF) operating by the three-phase electric power, we analyzed the changing characteristics of insulation resistance of power cable. In contrast to 22kV cables, 6.6 kV cables have thicker insulation. Therefore the characteristics of 6.6kV cables are different from that of 22kV cables. The study found that as time passes, the insulation resistance does not decrease continuously; it decreases to a certain value, then does not decrease any more and shows properties of oscillation. We could not detect the process of deterioration in the preceding twelve years. The cable system showed great stability so that deterioration was not apparent. In this case, it is not possible to measure the future life indices of power cables because the lifetime indices are not predictable