본 논문은 고속 위상 고정이 가능한 새로운 듀얼 슬로프 위상고정루프를 제안한다. 기존의 듀얼 슬로프 위상고정루프는 각각 2개의 전하펌프와 위상 주파수 검출기로 구성되었다. 본 논문에서는 위상차에 따라 전하펌프의 전류를 조절해 하나의 전하펌프와 위상 주파수 검출기만으로 듀얼 슬로프 위상고정루프를 구현하였다. 제안된 회로는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 파라미터 값으로 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 회로의 동작을 검증하였다. 제안된 듀얼 슬로프 위상고정루프의 위상 고정 시간은 $2.2{\mu}s$로 단일 슬로프 위상고정루프의 위상 고정 시간인 $7{\mu}s$보다 개선된 결과를 얻었다.
본 논문은 RC 시정수 회로를 이용하여 지터 특성을 개선한 위상고정루프의 구조를 제안하였다. RC 시정수 회로에서는 루프 필터 전압이 작은 시정수와 큰 시정수 값을 가지는 회로를 통과하여 비교기로 전달된다. 작은 시정수 값을 가지는 회로를 지나는 신호는 거의 루프 필터 출력 전압과 같은 값을 가진다. 큰 시정수 값을 가지는 회로를 지나는 신호는 루프 필터 출력전압의 평균값을 가지며, 비교기회로에서 기준 신호 역할을 한다. 비교기의 출력 신호는 루프 필터에 전류를 공급하는 보조 전하펌프를 제어한다. 루프 필터 출력 전압이 상승하면 보조 전하펌프는 루프 필터에서 전류를 방전시켜 루프 필터 출력 전압이 하강하게 하고, 또는 루프 필터 출력 전압이 하강하면 보조 전하펌프는 루프 필터에서 전류를 충전시켜 루프 필터 출력 전압이 상승하게 한다. 이런 부궤환 루프는 필터 출력 전압 변동 폭을 줄여서 지터 크기를 감소시켜준다.
본 논문에서는 Early-late detector, Duty-rate modulator, 그리고 LSI(Lock Status Indicator)를 사용하여 작은 크기와 빠른 위상고정 시간을 갖는 위상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프는 작은 용량을 가진 하나의 커패시터를 사용하게 됨으로써 칩의 크기를 결정하는 루프필터의 크기가 작아지게 되어 크기를 최소화 하였다. 기존의 전하펌프와 달리 2개의 전하펌프를 사용하여 하나의 커패시터를 사용하더라도 2차 루프필터를 사용 한 것과 같은 전압파형을 만들어 줌으로써 위상을 고정시킬 수 있다. 2개의 전하펌프는 UP, DN신호 위상의 빠르기를 감지해주는 Early-late detector와 일정한 비율의 파형을 만들어주는 Duty-rate modulator에 의해 제어된다. LSI회로를 사용함으로써 빠른 위상고정시간을 얻을 수 있다. 제안된 위상고정루프는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 설계하였고, Hspice 시뮬레이션을 통해 회로의 동작을 검증하였다.
본 논문에서는 capacitance scaling 구조를 이용하여 짧은 locking 시간과 작은 fractional spur를 가지는 ${\Sigma}{\Delta}$ fractional-N PLL을 설계하였다. 루프필터의 실효 커패시턴스를 변화시키기 위하여 여러 개의 전하펌프를 이용해 서로 다른 경로로 커패시터에 전류를 공급하였다. 필터의 실효 커패시턴스는 동작상태에 따라 크기가 변하며 커패시터들은 하나의 PLL 칩에 집적화 할 수 있을 정도로 작은 크기를 가진다. 또한 PLL이 lock 되면 전하펌프 전류의 크기도 작아져 fractional spur의 크기도 작아진다. 제안된 구조는 HSPICE CMOS $0.35{\mu}m$ 공정으로 시뮬레이션 하였으며 $8{\mu}s$ 이하의 locking 시간을 가진다. PLL의 루프필터는 200pF, 17pF의 작은 커패시터와 $2.8k{\Omega}$의 저항으로 설계되었다.
차량용 반도체에서 사용되는 BCD 공정 기반의 PMIC 칩은 아날로그 회로를 트리밍하기 위해 추가 마스크가 필요없는 MTP(Multi-Time Programmable) IP(Intellectual Property)를 요구한다. 본 논문에서는 저면적 MTP IP 설계를 위해 2개의 트랜지스터와 1개의 MOS 커패시터를 갖는 single poly EEPROM 셀인 MTP 셀에서 NCAP(NMOS Capacitor) 대신 PCAP(PMOS Capacitor)을 사용한 MTP 셀을 사용하여 MTP 셀 사이즈를 18.4% 정도 줄였다. 그리고 MTP IP 회로 설계 관점에서 MTP IP 설계의 CG 구동회로와 TG 구동회로에 2-stage voltage shifter 회로를 적용하였고, DC-DC 변환기 회로의 면적을 줄이기 위해 전하 펌핑 방식을 사용하는 VPP(=7.75V), VNN(=-7.75V)와 VNNL(=-2.5V) 전하 펌프 회로에서 각각의 전하 펌프마다 별도로 두고 있는 ring oscillator 회로를 하나만 둔 회로를 제안하였으며, VPPL(=2.5V)은 전하펌프 대신 voltage regulator 회로를 사용하는 방식을 제안하였다. 180nm BCD 공정 기반으로 설계된 4Kb MTP IP 사이즈는 0.493mm2이다.
본 논문에서는 몸체효과와 문턱전압 손실이 제거된 새로운 2-단계 2-위상 VPP 전하펌프 발생기를 제안하였다. 새롭게 제안된 회로의 동작을 검증하기 위하여 0.18um Triple-Well CMOS 공정을 사용하였으며, VPP의 전압 레벨은 VDD가 문턱전압 이상일 때 3VDD가 공급되는 결과를 얻었다.
전하 펌프의 전류 부정합은 위상 고정 루프의 주파수 성분에 기준 스퍼를 발생시킴으로써 특성을 떨어뜨리게 한다. 전류 부정합은 캐스코드 출력단과 같이 전하 펌프의 출력 저항을 높여줌으로써 감소시킬 수 있다. 그러나 공급 전압이 낮아짐에 따라 트랜지스터를 쌓기 힘들어지게 된다. 본 논문에서는 전류 부정합을 줄이기 위한 새로운 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 출력 단의 채널 길이 변조에 의한 전류 변화를 피드포워드 방식으로 보상해 주는 것이다. 새로운 방법에 대한 시뮬레이션은 CMOS $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하였다.
본 논문에서는 기존의 fractional-N 위상고정루프의 가장 큰 문제점인 fractional 스퍼를 억제하기 위해 위상차-전압 변환기(Phase Difference-to-Voltage Converter : PDVC)를 도입하였다. PDVC는 위상주파수 검출기 출력 신호의 위상차에 따라 전하펌프의 전류량을 조절한다. 제안한 구조는 위상 주파수 검출기(phase frequency detector) 신호들의 위상차가 커지면 전하펌프(charge pump) 전류를 감소시켜 fractional 스퍼를 줄일 수 있는 구조이다. 회로는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하고 회로의 동작을 검증하였다.
PLL은 위상주파수검출기(PFD), 차지펌프(Charge Pump), 루프필터(Loop Filter), 전압제어발진기(VCO), Divider로 구성하고 있는데 본 논문에서는 설계된 차지펌프 PLL을 시뮬레이션을 해보고 그 결과를 정리하고 레이아웃(layout)까지 하였다. 차지펌프 설계에 있어서 전류 부정합, 전하 공유, 전하주입, 누설 전류등을 고려할 필요가 있다. 설계된 차지펌프는 전류 부정합을 감소시키기 위해 전류뺄셈회로를 이용하여 전류 부정합을 감소시켰으며, spurs를 억제할 수 있도록 설계되였다. 설계된 회로는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 사용하여 CADENCE사의 specter로 시뮬레이션 하였으며, virtuso2로 레이아웃 하였다.
A micro ion drag pump with planar electrodes on a glass substrate is fabricated and tested. the pump consisted of a 2- dimensional electrode pair array is driven by DC voltage using unipolar conduction. Ethy alcohol is pumped in both directions, and the flow rate and the pressure are measured, in channels of depth 100 .mu m or 200 .mu. m and width fixed at 3mm. It is found that the pump could be fabricated easily and at lower cost than the micro ion drag pumps previously investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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