전하 펌프는 위상 고정 루프의 성능에 영향을 준다. 전하 펌프 설계에 있어서 전류 부정합, 전하 공유, 전하 주입, 누설 전류 등을 고려할 필요가 있다. 본 논문에서는 기존의 고속 전하 펌프의 전류 정합성을 개선한 새로운 전하 펌프 회로를 제안하였다. 전류 부정합을 줄이기 위해 주로 사용되는 간단한 방법으로는 캐스코드를 이용하여 전하 펌프의 출력 저항을 증가시키는 방법이 있다. 그러나 캐스코드 방법을 사용하면 전하펌프의 출력 범위에 제약을 받게 되므로 전원 전압이 낮아짐에 따라 적용하기가 힘들어진다는 단점이 있다. 따라서 본 논문에서는 캐스코드를 적용하지 않고 연산증폭기를 사용하여 전하펌프의 출력 범위 전체에서 우수한 전류 정합 특성을 갖는 회로를 제안하였다.
기존의 전류 스티어링 전하 펌프의 타이밍 부정합 감소를 위한 새로운 전하 펌프를 제안한다. 기존의 전류 스티어링 전하 펌프는 UP, DOWN 신호의 입력단에 NMOS를 사용하여 서로 다른 지연단 수를 갖게 된다. 제안한 전하 펌프에서는 DOWN 신호의 입력단에 PMOS를 사용함으로써 UP, DOWN 신호의 지연단 수를 동등하게 한다. 기존의 전류 스티어링 전하 펌프를 최적화하여 시뮬레이션한 결과 턴온과 턴오프에 대하여 지연시간의 차이는 각각 14ns, 6ns 이다. 반면에 제안한 전하 펌프는 타이밍 부정합이 향상되어 턴온과 턴오프에 대하여 지연시간의 차이는 각각 6ns, 5ns 이다. 타이밍 부정합의 감소로 인하여 기준 스퍼는 -26dBc에서 -39dBc로 줄어들었다. 제안하는 전하 펌프는 CMOS $0.18{\mu}m$ 공정을 사용하여 설계하였다. 측정 결과 전하 펌프 출력 전압 범위 0.3~1.5V에서 최대 1.5%의 전류 부정합을 보인다.
이 논문은 전하펌프를 추가하여 루프필터에서 공정에 따라 값이 크게 변하는 저항을 없앤 새로운 구조의 위상고정루프를 보여준다. 두 번째 전하펌프가 기존의 루프 필터 저항 역할을 하도록 하였다. 두 개의 전하펌프 출력은 공정 변화에 같은 방향으로 움직이므로 위상고정루프의 동작이 공정 변화 영향을 적게 받게 된다. 공정 조건(SS/TT/FF)에 따른 시뮬레이션 결과는 제안된 구조가 공정 변화에 무관하게 동작함을 보여주고 있다. 제안된 구조는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하였고 회로의 동작을 검증하였다.
전하펌프의 성능은 공급전압에 의해 크게 영향을 받는다. 본 논문에서는 표준 twin-well CMOS 로직 공정으로 제작 가능하며, 낮은 공급전압에서도 높은 효율을 갖는 새로운 전하펌프 회로를 제안하고 검증하였다. 제안한 전하펌프는 이중의 전하 전달 경로와 간단한 2-phase 클락을 사용한다. 한 주기의 펌핑 사이클 동안 각 펌핑 단에서 입력전압을 2배로 승압하며, 상보적으로 연결된 PMOS 트랜지스터를 전달 스위치로 사용하여 트랜지스터의 문턱전압에 의한 전압강하 없이 승압된 전압을 다음 승압 단으로 전달한다. 시뮬레이션과 측정을 통해 제안한 전하펌프를 검증하였으며, 동일한 공정조건에서 제작 가능한 기존 전하펌프들 보다 높은 출력전압과 큰 전류 구동능력 그리고 더 높은 전력효율을 가진다는 것을 확인하였다.
이 논문에서는 2차-RC 필터와 sample-hold 커패시터로 구성된 루프필터와 단방향 전하펌프를 가진 위상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프의 목적은 전하펌프의 전류 불일치에 의한 기준 신호 의사 잡음을 개선 한다는 것이다. 또한 이를 통하여 위상 잡음 특성도 개선하였다. 회로는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정의 파라미터를 이용하여 HSPICE로 시뮬레이션을 수행하였고 회로의 동작을 검증하였다.
본 논문에서는 출력 단 전달 스위치로 NMOS와 PMOS를 병렬 결합하여 사용하고 벌크 펌핑 회로를 채용한 CMOS 전하펌프를 제안하였다. 제안된 전하 펌프는 NMOS 및 PMOS의 병렬 결합을 통하여 출력 단의 전류전달 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 채용된 벌크 펌핑 회로는 PMOS에 의한 벌크의 순방향 바이어스 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 제안된 회로의 성능을 확인하기 위하여, 80-nm CMOS 공정기술을 이용하여 전하 펌프를 설계하였다. 모사실험을 통한 비교 결과, 제안된 CMOS 전하 펌프는 기존의 NMOS 혹은 PMOS 만을 사용한 전하 펌프들과 비교하여 47% 이상의 전류전달 능력의 향상을 가져왔고 펌핑 속도도 9% 이상 개선되었으며, 동작 시 최대 벌크 순방향 전압 또한 24%이상 개선되어 벌크 순방향 바이어스 문제가 완화되었음을 확인하였다.
본 논문에서는 TFT-LCD 구동 IC 모듈의 소형화 측면에서 유리한 DC-DC 변환기 회로인 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프(Cross-Coupled Charge Pump with Internal Pumping Capacitor) 회로가 새롭게 제안되었다. VGH 및 VGL 전하펌프 각각의 입력단과 전하 펌핑 노드를 연결하는 NMOS 및 PMOS 다이오드를 두어, 초기 동작 시 전하 펌핑 노드를 서로 같은 값으로 프리차지하여 대칭 적으로 전하 펌핑을 하도록 하였다. 그리고 첫 번째 전하 펌프의 구조를 다르게 설계하여 펌핑된 전하가 입력단으로 역류되는 현상을 방지하였다. 또한, 펌핑 클럭 구동 드라이버의 위치를 펌핑 커패시터 바로 앞에 두어 기생 저항으로 인한 펌핑 클럭 라인의 전압강하를 방지하여 구동능력을 향상 시켰다. 마지막으로 내장형 펌핑 커패시터를 Stack-MIM 커패시터를 사용하여 기존의 크로스-커플드 전하펌프 보다 레이아웃 면적을 최소화하였다. 제안된 TFT-LCD 구동 IC 용 전하펌프 회로를 $0.13{\mu}m$ Triple-Well DDI 공정을 사용하여 설계하고, 테스트 칩을 제작하여 검증하였다.
본 논문에서는 TFT-LCD 구동 IC 모듈의 소형화측면에서 유리한 DC-DC 변환기 회로인 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클락 전하펌프 (Non-overlap Boosted-Clock Charge Pump: NBCCP) 회로가 제안되었다 .2VDC 전압으로 스윙하는 비중첩 부스트-클럭의 사용으로 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 단의 수를 반으로 줄일 수 있었고, 전하 펌핑 노드의 펌핑된 전하가 입력 단으로 역류되는 현상을 방지하였다 . 그 결과 제안된 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클럭 전하펌프 회로는 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 전류가 증가하였고, 레이아웃 면적은 감소되었다. 제안된 TFT-LCD 구동 IC용 DC-DC 변환기 회로를 $0.18{\mu}m$ Triple-Well CMOS 공정을 사용하여 설계하고, 테스트 칩을 제작 중에 있다.
본 논문에서는 위상 잡음 특성을 향상시킬 수 있는 전류보상 기법을 이용한 새로운 인상고정루프를 제안하였다. 제안된 위상고정루프는 주 전하펌프(MCP; Main Charge Pump)와 보조 전하점프(SCP; Sub Charge Pump)로 명명된 두 개의 전하펌프를 사용한다. 보조 전하펌프는 주 전하펌프 보다 작은 양의 전류를 반대방향으로 루프절터에 공급하여 루프필터의 전압 흔들림을 억제하였다. 이러한 전류보상 기법은 위상고정루프의 위상 잡음을 감소시켰다. 제안된 위상고정루프는 $0.35{\mu}m$ 3.3V CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 1MHz 오프셋에서 측정된 위상 잡음은 -103dBc/Hz로 기존의 위상고정루프에 비해 최소 3dBc/Hz의 위상 잡음 향상을 가져왔다.
본 논문에서는 공정, 전압, 온도 변화에도 전하 펌프의 전류부정합을 자동으로 보정하기 위한 전하 펌프 구조를 제안한다. 일반적으로 위상 동기 루프의 위상 잡음 및 스퍼 성능을 향상시키기 위해서 전하 펌프의 전류부정합을 최소화해야 한다. 전류부정합을 보정하기 위해서 복제 전하 펌프로부터 전류 복사를 통해 어떠한 경우에도 실제 전류 차이만큼을 피드백 하도록 하는 방법을 제안하였다. 이 방법은 전하 펌프의 전류부정합을 해결하기 위한 여러 가지 방법 중에서도 상대적으로 간단한 회로로 구성할 수 있으며, 부정합 전류치를 그대로 복사하기 때문에 높은 정확도를 가진다. 기존에 제안되었던 방법들은 대부분 다이나믹 특성에 대한 성능이 부족하지만 본 논문에서 제안된 방법은 실시간으로 보정기능을 수행함으로써 다이나믹 특성에서도 우수한 성능을 가진다. 제안하는 전하 펌프는 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계 되었으며, 면적은 $100{\mu}m\;{\times}\;160{\mu}m$이다. 1.2V의 공급전압에서 0.2V ~ 1V의 출력 전압 범위를 가진다. 충전 전류와 방전 전류는 $100{\mu}A$이며, PVT variation에 대한 전류 부정합은 1% 미만이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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