• 전기의세계
• /
• v.46 no.4
• /
• pp.22-27
• /
• 1997

DRAM(Dynamic Randum Access Memory)은 반도체 소자 중 가장 대표적인 기억소자로, switch 역할을 하는 1개의 transistor와 data의 전하를 축적하는 1개의 capacitor로 구성된 단순한 구조와 고 집적화에 용이하다는 이점을 바탕으로, super-computer에서 가전제품, 통신기기 및 산업기기에 이르기까지 널리 이용되어 왔다. 한편으로 DRAM사업은 고가의 장치사업으로 조기 시장 진입을 위하여 초기에의 막대한 자본투자, 급속한 기술발전, 짧은 life cycle, 가격급락 등이 심하여, 시한내에 투자회수가 이루어져야 하는 위험도가 큰 기회사업이라는 양면성을 가지고 있다. 이러한 관점 때문에 새로운 DRAM 기술은 매 세대마다 끊임없이 빠른 속도로 개발되어왔다. 그러나 sub-half-micron 이하의 DRAM세대로 갈수록 그에 대한 새로운 기술은 점차 어렵게 되어가고, 한편으로는 system의 다양화에 따른 요구도 강하여, 이제는 통상적인 DRAM의 고집적화 및 저가의 전략만으로는 생존하기 어려운 실정이므로 개발전략도 수정하여야만 할 것이다. 이러한 어려운 기술한계를 극복하기 위하여 새로운 소자기술 및 공정개발에 애닿 breadthrough가 이루어져야 할 것이다. 이러한 관점에서 현재까지의 DRAM개발 추이와 향후의 기술방향에 관하여 몇 가지 중요한 item을 설정하여 논의하여 보기로 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
• /
• 2001.11a
• /
• pp.235-241
• /
• 2001

정전기는 일상생활에서 흔히 일어나는 현상으로 산업 전반에 걸쳐 많은 응용을 하고 있다. 그러나 정전기 방전 현상은 절연내력을 초과할 때 갑작스럽게 방출되면서 일어나는 공기중 전자전도 현상으로 외부 환경에 민감한 전기·전자 소자의 오동작 피해를 주거나 가연성 재료를 폭발시킬 수 있는 에너지원이 될 수 있다. 또한 정전기 피해의 원인 분석이 곤란하기 때문에 정전기 방전 현상의 정확한 이해가 필요하다. 따라서 방전 위험성 평가시 초기에 대전된 인체 전하량이 모두 방전 에너지로 쓰인다는 비현실적인 가정을 사실적인 방전 모델로 하여 방전현상을 이해하고, 정량적 해석 및 분석을 통하여 위험성을 올바르게 인식하고 평가하는 것이 필요하다 이에 ESD 현상에 대한 HBM, CDM, FIM 등 여러 모델을 이용하여 방전 메카니즘을 발표하여 정전기 현상을 이해하고, 각 종 규제를 강화하거나 확대하여 재해를 방지하고 있다. 그러나 국내의 인체 정전기 방전으로 인한 위험성을 올바르게 파악할 수 있는 연구나 연구 자료 및 문헌이 미비한 실정이다.(중략)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.602-602
• /
• 2013

산화아연(ZnO)은 직접 천이 와이드 밴드갭(3.37 eV)과 큰 excitation binding energy (60 meV)를 갖는 II-VI 반도체로 광촉매, light emitting diodes (LED), dye-sensitized solar cell 등의 여러 가지 분야에서 각광받고 있는 물질이다. ZnO는 열역학적으로 안정한 polar terminated (001)면과 nonpolar low-symmetry (100)면을 갖으며 (100)면이 (001)면보다 더 안정하기 때문에 (100)방향의 일차원구조가 쉽게 합성된다. 이러한 일차원 구조는 빛의 산란을 유도하여 더 많은 빛의 흡수를 야기 시킬 뿐만 아니라 일차원 구조를 따라 효율적인 전하 전달을 가능하게 한다. 본 연구에서는 일차원 구조의 장점을 살리면서 더 넓은 표면적을 갖는 hierarchical ZnO nanowire 구조를 수열합성법과 스퍼터링증착법을 이용하여 합성하였다. Hierarchical ZnO nanowire는 SEM, TEM을 이용하여 구조를 관찰하였고 UV-visable spectroscopy를 이용하여 일차원 구조의 ZnO nanowire와의 absorbance, transmittace 차이를 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.241-241
• /
• 1999

본 연구는 상대론적 전자빔(300kV, 20KA, 60ns)과 펄스플라즈마의 발생 및 전파특성에 관한 것으로 세부 내용은 다음과 같다. Sub-Torr로 유지되는 다이오드에서 상대론적 전자빔의 발생이 이루어질 때 전자빔의 펄스너비 및 전류 상승시간을 다이오드 압력을 변인으로 하여 연구하였다. 펄스너비와 압력과의 관계식을 실험적으로 유도하였으며 다이오드 내에서 전자빔과 중성기체와의 충돌에 의한 기체이온화 모델로 설명하였다. 또한 Sub-Torr 도파관에서 상대론적 전자빔의 수송 특성을 연구하였으며 전자빔의 propagation window와 고압에서의 수송효율의 저하 원인을 밝혔다. 그리고 이 영역에서 매우 짧은 펄스 플라즈마의 형태로 형성되는 빔 유도 플라즈마채널의 이온밀도 및 conductivity를 진단하는 새로운 실험적 방법을 확립하였다. 한편 빔 수송효율 증대를 위한 한 방법으로 진공영역에서 지역화된 중성기체를 빔 선두부분에 위치시켜 지역적인 공간전하 중성화를 꾀하는 기법도 시험되었다. 마지막으로 중 출력(1kV, 10kA, 1ms) 규모의 자기플라즈마 동력학 장치를 제작하여 펄스 플라즈마를 발생시키고 그 특성을 조사하였다. 제작된 자기플라즈마 동력학 장치는 현재 기초과학 지원 연구소의 "한빛" 장치에 부착되어 초기 플라즈마 발생용으로 활용되고 있다.로 활용되고 있다.

• KIPE Magazine
• /
• v.15 no.3
• /
• pp.25-29
• /
• 2010

현대중공업 전기전자시스템사업본부는 전력계통의 송배전전분야에 걸쳐 꾸준한 기술개발로 최고의 품질을 갖는 중전기기를 생산하는 Global Leader로써 성장하였다. 최근에는 신 재생에너지 분야 사업에 집중하여 태양광발전, 풍력발전, 조력발전의 연구개발을 활발히 진행 중에 있으며, 이러한 분산발전의 핵심기술인 PCS 개발에 매진하고 있다. PCS의 핵심은 전력전자기술을 기반으로 고품질의 전력을 계통으로 역송전하는 기술이다. 계통 연계형 태양광 PCS는 계통에 연계되어 운전되므로 전력계통의 이상 유무를 감지하여 전력계통의 보호협조 기능을 갖는 전력변환장치이다. 그래서 단순히 인버터라 부르지 않고 PCS (Power Conditioning System)라 부른다. 이는 일반적인 인버터 제어와 더불어 제어동작에서 계통의 안정성을 최우선으로 고려하여야 하며, 효율을 최대화하여 고객에게 최대의 수익을 창출할 수 있도록 하여야 한다. 이러한 계통과 연관된 인버터 기술의 발전으로 인하여 태양광 발전분야가 급속도로 성장하는 계기가 되었다. 본 논문은 현대중공업 제품을 중심으로 태양광 발전용 PCS의 개발 동향을 소개하고자 한다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.99-110
• /
• 1992

본 논문은 고정된 바늘모양의 공기물에 의하여 형성된 불평등전계중에서 뇌임펄스전압에 대한 SF$_{6}$가스의 절연특성과 전구방전진전에 관한 것이다. 하전입자의 이동에 의하여 외부회로에 흐르는 전도전류의 측정방법에 대하여 기술하고 0.05~0.3[MPa]의 압력범위에서 섬락전압-압력특성을 측정하였으며 분류기와 광전자증배관을 사용하여 전구방전의 순시적 진전과정을 관측하였다. 전구방전은 돌기물의 선단에서 발생한 초기스트리머에 의하여 발단되며 정극성의 경우 섬락전압은 국부고전계에 매우 민감하며 리이더메카니즘으로 진전됨이 확인되었다. 전구방전현상의 극성의존성은 공간전하의 영향이 지배적이었다. 더불어 본 연구에서 제안된 전구전류의 측정기법은 불평등전계중에서의 전자사태전류, 코로나방전과 공극내에서의 부분방전의 측정에 매우 유용하게 적용될 것이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2016.11a
• /
• pp.147-148
• /
• 2016

토템폴 구조는 브리지리스 부스트 역률보상회로 중에서도 저손실, 고효율, 저비용 그리고 낮은 전도 EMI의 특징으로 인해 많이 사용된다. 토템폴 구조의 역률보상 회로는 내부 다이오드의 역회복 문제로 인해 Si MOSFET을 이용한 전류연속모드 구동할 수 없어 전류 불연속 모드 혹은 임계 도통 모드로 동작시키는 것이 통상적이다. 본 논문에서는 역회복 문제를 해결해 전류연속모드 구동하기 위해 기존 Si MOSFET보다 낮은 역회복 전하(Qrr)와 역회복 시간(Trr)를 가지는 SiC MOSFET을 이용하여 토템폴 역률 보상 회로를 구현하고 이를 시뮬레이션과 실험을 통해 검증했다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.27-27
• /
• 2010

결정성과 전하 이동도가 우수한 CdTe 박막을 증착하기 위하여 근접승화법(CSS), chemical spraying법, 전착(electrodeposition)법, screen printing법, 화학기상증착(MOCVD)법 및 sputtering법등이 응용되고 있으며 이들 방법은 각기 다양한 장단점을 가지고 있다. CdTe 태양전지를 성장시키는 다양한 방법 중에서 본 발표는 CBD를 이용한 CdS와 CSS를 이용한 CdTe 박막 태양전지를 성장하는 방법을 포함한다. 다양한 조건에서 성장된 박막의 물성과 CdCl2와 열처리를 통한 성능개선에 대해 발표할 예정이다. 또한, 공기의 index와 박막의 index 차이가 크기 때문에, escape cone의 angle이 매우 작고, 박막의 경우 표면이 비교적 평평하기 때문에, 광소자(LED와 Solar Cell)는 표편 텍스처링이 성능을 향상시키기 위해 필요하다. Natural Lithography, Wet-etching, Dry-etching, index-grading을 이용하여, LED와 태양전지에서 uniform하고 대면적에 적용가능한 표면 택스처링 방법에 대해 발표할 예정이다.

• Journal of Chest Surgery
• /
• v.31 no.12
• /
• pp.1238-1242
• /
• 1998

Myocardial bridges as an anatomical arrangement in which an epicardial coronary artery becomes engulfed, for a limited segment, by myocardial fibers. These diseases are recognized primarily because of their systolic narrowing or milking effect as seen on coronary angiography. The most frequent site of myocardial bridging is the middle segment of left anterior descending artery. Myocardial bridges have an ischemic effect capable of causing : angina pectoris, myocardial infarction, ventricular fibrillation, or even sudden death in athletes. We report 2 patients having a milking effect of the middle segment of left anterior descending artery who were suffered from angina. The operation procedure was a simple supraarterial myotomy over the embedded segment of the LAD under cardiopulmonary bypass. Angina and milking effect were disappeared after the operation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.464.2-464.2
• /
• 2014

태양 에너지는 미래 에너지원으로 각광받고 있는 중요한 에너지원이다. 다양한 태양전지 중 CuInS2(CIS) 박막형 태양전지는 높은 광흡수율과 조절가능한 밴드갭에너지를 가지고 있으며, 높은 장기 안정성과 광변환효율 등으로 많은 관심을 받고 있다. 최근 20.3%에 달하는 높은 광변환효율이 보고된 바 있으나, 이는 고진공 장비를 요구함으로 인해 초기 투자비용이 늘어남과 동시에 대량생산 측면에서 한계점이 지적되고 있다. 본 연구는 CIS계 태양전지를 보다 저온, 상압에서 제조하기 위해 Cu, In, S 전구체를 용매에 녹여 전구체 용액을 제조하였다. 이를 스핀코팅을 이용하여 CdS 버퍼층이 증착된 ZnO 나노구조에 코팅 후, 건조 및 열처리하여 광흡수층 박막을 증착하는 방법을 개발하였다. 본 연구에서는 superstrate 형태의 태양전지 구조를 이용하기 위하여window 층으로 쓰이는 ZnO 박막을 수열합성법을 통해 나노구조화하였다. 이를 통해 CIS 흡수층과의 접촉면적 증가에 따른 빛 흡수효율 증가 및 전하 이동 효과를 증가시킬 수 있었다. 각각의 나노구조의 SEM, XRD, UV-transmittance 분석을 통하여 살펴 보았으며, 결과적으로 상온, 상압에서 증착이 가능한 용액 공정을 통해 superstrate방식의 CIS 태양전지를 만들 수 있었다. 소면적 태양전지 제작을 통해 박막 구조에 비해 향상된 광변환 효율을 얻었다.