• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.37-37
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• 2002

반도체 소자의 집적도는 지난 수십년간 끊임없이 증가해 왔다. 이러한 추세가 계속 된다면 앞으로 수년 이내에 100 nm 이하의 선폭을 갖는 집적회로가 출현하게 될 것이다. 수-수십나노 미터 크기의 구조가 이와같이 제품에 실제로 응용되려면 수 나노미터의 길이에 대한 표준 측정 기술이 확보되어야 하고 이 측정 기술을 서로 비교 평가 할 수 있는 표준 물질이 필요하다. 본 연구에서는 표준 물질로 사용될 수 있는 1차원 나노 구조를 제작하였다. 제작된 1차원 나노 구조는 선폭이 90 nm인 네모난 산과 네모난 우물들이 반복적으로 나타나는 형태를 갖는다. 나노 구조가 제작된 총영역은 0.1 ㎜ × 0.1 ㎜의 정사각형 영역이다. 1차원 나노 구조는 전자빔 석판 기술을 이용하여 제작하였다. 균일한 구조를 만들기 위해 전자 빔의 도즈량 최적화, 전자 빔의 비대칭성의 영향 최소화, 에칭 공정 변수 최적화 등 공정 조건을 선별하는 연구를 하였다. 본 연구에서 제작된 1차원 나노구조는 전자현미경의 배율 보정, Scanning Probe Microscope의 이미지 보정 등에 사용될 수 있을 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.179.2-179.2
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• 2015

오늘날 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)는 대면적화, 고정밀화를 요구하고 있으며, 이에 따라 TCO에 요구되는 사양이 점점 까다로워지고 있다. ITO의 사용량을 절감하면서 동시에 우수한 투과도와 전기전도도를 얻기 위해 산화물/금속/산화물 구조와 같이 금속층을 투명 전도막 재료 사이에 삽입한 다층구조의 투명 전도성 필름에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 산화물/금속/산화물 구조의 다층 박막은 기판상에 Antireflection 코팅으로 사용되어 왔으나 최근 투명 전극 분야에 응용되고 있다. 본 연구에서는 최적의 ZTO/Ag/ZTO 다층박막에 100, 200, $300^{\circ}C$ 열처리와 200W-300, 500, 700 eV 전자빔 조사를 실시하여 특성을 비교하여 보았다. 열처리는 $300^{\circ}C$, 전자빔조사는 200W-700 eV 일 때 가장 좋은 효과가 나타났다. 가장 좋은 두 조건을 비교했을 때 전자빔 조사의 경우 비저항 $7.25{\times}10^{-5}{\Omega}cm$, 투과도 84.2%, Figure of Merit $2.8{\times}10^{-2}[{\Omega}-1]$로 열처리에 비해 좋은 특성을 나타냄을 알수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.1
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• pp.64-69
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• 2003

Using a high fewer electron beam gun (max. power 20 kW), Gadolinium (Gd, atomic number 64) metal was melted and the temperature distribution of melted surface was measured. With proper optical filters and the adjustment of aperture of lens, the radiation of melted surface was received by a ccd camera and its signal transferred to a computer. The real time monitoring of melted surface with a variation of electron beam Power was Possible and stable operation of electron beam was achieved. It was found that the max. temperature measured by a ccd camera with an assumption of blackbody radiation of melted Gd surface and adaption of Planet's law was above 100~$200^{\circ}C$ compared to that measured by a pyrometer in the same e-beam power.

• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2005.11a
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• pp.177-183
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• 2005

In this work, Inconel 600, Inconel 625 and Haynes 230 are welding using Nd:YAG laser and electron bear. These heat-resistant alloys are typically used for the liquid thruster. To examine, the affects of experimental parameters on weld ability, the plate welding of these materials were carried out using both Nd:YAG laser and electron bear. Also, the micro-structure, micro-hardness, and tensile strength of the specimens were analyzed. from the analysis of the experimental results of laser and electron beam welding, we have obtained the optimal welding conditions.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1468-1469
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• 2007

포항가속기 연구소에서는 RIS 프로젝트 사업과제의 일환인 L-band 산업용 전자빔 가속기의 제작 및 기술개발 연구를 철원의 물리기술연고소 주관으로 수행하고 있다. L-band 산업용 전자빔 가속기는 전자빔에 의한 고분자개질 공정, 농수산물의 멸균 및 의료기기의 멸균 등에 적용이 가능하다. 포항가속기연구소에서는 10 MeV급 산업용 전자빔 조사장치에 적용되는 RF증폭기용 펄스 전원장치인 모듈레이터를 설계, 제작을 하였다. 펄스 전원장치인 이 모듈레이터 시스템은 평균 출력 60 kW, 펄스폭 7 us, 펄스반복율 300 Hz의 L-band 상업용 RF 증폭기 전원장치이며, RF 증폭기로 사용되는 클라이스트론은 Thales 사의 TV2022D를 사용하였다. 본 논문에서는 펄스 전원장치인 모듈레이터의 운전과 인터록을 위한 제어장치의 개발과 제작에 대하여 논하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.336-336
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• 2012

수명 측정법과 동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 3.98 MeV 에너지를 가진 $0.0{\sim}20.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 결함 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 전자 밀도 에너지를 수리적 해석 방법인 S-변수와 열린 부피 결함에 대한 측정법으로서 양전자 수명 ${\tau}1$과 ${\tau}2$, 이에 따른 밀도 I1과 I2를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수와 양전자 수명은 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변화하기보다 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 양전자 수명 측정과 같은 경향을 보여준다. SRIM의 결과로써, 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 양성자는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료 전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문이다. 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 더 큰 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.623-626
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• 2004

The purpose of this paper is to determinate and to confirm p-n junction depth with nondestructive method by using electron beam. By measuring the critical short circuit current on the p-n junction which induced by electron beam and calculating generation range, the diffusion depth can be obtained. It ran be seen that values destructively measured by constant angle lapping and nondestructively by this study almost concur. As this result, it is purposed that diffusion depth of p-n junction can be easily measured by non-destruction. And this nondestructive method ran be recommended highly to the industrial analysis.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.40 no.11
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• pp.77-84
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• 2003

This paper presents a multi-functional microstrip spital antenna that operates in dual frequency bands. Several types of beam shape can be selected by controlling the phase difference of two spiral arms with the phase shifters located on each feed line. It has a normal beam at the lower frequency band, and four different patterns at the higher frequency band: normal beam, conical beam and two types of tilted beam. The antenna exhibits more than 10% of bandwidth at each band. The antenna is fabricated with conductor backed electromagnetic absorber in order to attain unidirectional radiation pattern and confirmed the multi-functionality by measurements.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.41 no.11
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• pp.67-72
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• 2004

In this paper, we propose a downlink beamforming method which is considered common pilot channel for coherent detection and dedicated traffic channel for desired user in FDD/CDMA systems. The existing downlink beamforming system produces phase mismatch between traffic and pilot signals at desired mobile as well as interference to other mobiles. A new downlink beamforming method can solve above problem based on least squares method between reference function and beamforming function. A numerical analysis shows that the proposed downlink beamforming method matches well and gives low BER performance.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.1138-1141
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• 2004

고분자 재료에 이온을 주입하면 표면전기저항이 이온주입조건에 따라 $10^{16}\Omega/sq$ 에서 $10^7\Omega/sq$ 까지 변하게 되며, 광학적 특성도 변하게 된다. 이는 산업적으로 대전방지 등에 적용이 가능하며 이러한 신소재 개발을 위하여 산업용 이온빔 표면처리 장치를 제작하고 인출광학을 기초로 이온빔을 제어하여 고분자 재료의 이온주입처리 양산기술을 개발하였다. 본 연구에서는 대면적, 대전류 이온빔 인출을 위한 이온원의 광학적 설계 및 빔라인에서의 솔레노이드 전자석을 이용한 빔프로파일 제어방법을 설명하였다. 사용된 고분자 소재는 PC(PolyCarbonate) 및 PET(PolyEthylene Teraphthalate)이며, 질소이온주입조건은 이온에너지 40-50 keV, 이온주입량 $5\times10^{15}$, $1\times10^{16}$, $7\times10^{16}ions/cm^2$의 조건으로 공정을 수행하였다. 또한 대전방지용 고분자 대량생산을 위한 연속 생산조건과 양산공정조건에 따른 표면전기저항변화를 관찰하였다.