Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.1203-1206
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2004
마이크로 컬럼은 차세대 리소그라피 기술의 하나로 마이크로 컬럼의 기능이 기존의 전자빔 컬럼을 능가하여 주목을 받는다. 초소형 전자빔 컬럼은 기존의 전자빔 컬럼과 비교하여 수차, 렌즈의 크기 및 원형에 성능이 보다 민감하게 반응하므로 정확한 정렬과 가공 기술은 초소형 전자빔 마이크로 컬럼의 성능에 매우 중요하다. 그러나, 기준치 piezoelectric transducer (PZT)나 scanning tunneling microscopy (STM)을 이용한 정렬 기술은 매우 복잡하고 어려운 단점이 있다. 본 연구에시는 레이저 회절 패턴방식과 레이저 정밀 가공으로 실리콘 렌즈와 파이렉스 spacer를 정확하게 교대로 조립하였으며, 이 방법으로 완성된 마이크로 컬럼의 STEM동작을 조사하였다.
Structurally, the rare earth cuprate superconductor of Nd2-xCexCuO4-$\delta$ has T' structure and has been known as having a quite complicated microstructural phenomena, so far. In order to be superconductivity, both small amount of cation substitution of Nd3+ by Ce4+ and oxygen reduction are required. In the present study the crystallographic study on the structural transition for the Nd2-xCexCuO4-$\delta$ crystal has been con-ducted by observing the CBED (Convergent Beam Electron Diffraction) pattern with STEM(Scanning Transmission Electron Microscope). Three different samples of Nd2CuO3,Nd1.85Ce0.15CuO4 and Nd1.85Ce0.15CuO3.965 were prepared by solid-state sintering and their CBED patterns were observed by STEM to study the structural transition accompanying the substitution of Ce and the reduction of oxygen. Experimental HOLZ lines of these samples were compared with those plotted by a computer-programmed simulation to de-termine the lattice parameter of Nd2-xCexCuO4-$\delta$ crystal.
Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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2018.06a
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pp.238-239
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2018
본 논문은 기존에 홀로그램 생성에 사용하던 R-S알고리즘과 유사한 품질을 지니며 빠른 속도의 연산으로 홀로그램 디스플레이와 프린팅 시스템을 위한 콘텐츠의 생성에 필요한 고속 연산 알고리즘인 FPAS에 대한 소개이다. 소개 될 연산방법은 기존의 홀로그램 분할 방식을 일반화함으로써 미세한 빔의 조종으로 개선된 알고리즘으로 제안하며, 생성된 프린지 패턴에서 회절된 파면을 R-S알고리즘으로 계산한 결과와 매우 유사한 재구성 품질을 표현할 뿐만 아니라, 각 오브젝트 포인트의 기여도로부터 분할단계에서 보다 빠르게 계산 속도를 향상시킬 수 있는 접근법으로 디지털 홀로그램 생성의 속도를 단축시킬 수 있는 알고리즘을 소개하여 홀로그램을 사용하는 다양한 분야에 응용시키는 것에 목적이 있다.
An, Heung-Bae;Nam, U-Hyeon;Lee, Jeong-Yong;Kim, Yeong-Heon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.469-469
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2011
고효율 염료감응형 태양전지(DSSC, Dye-Sensitized Solar Cell)의 구현을 위해서 유용한 방법중 하나는 정렬된 기공 (pore)을 $TiO_2$막 내에 형성시키는 것이다. 메조포러스 (mesoporous) $TiO_2$막은 dip coating이나 spin coating과 같은 방법으로 주로 증착되고 있으며, P123이나 F127과 같은 amphiphilic triblock copolymer를 메조포러스 구조를 만들기 위한 뼈대로 사용하고 있다. 또한, 이렇게 생성된 구조에서 amphiphilic triblock copolymer는 열처리 공정을 통하여 쉽게 제거될 수 있다. 고효율 태양전지를 구현하는 또 다른 방법으로는 패턴 된 기판을 사용하는 것이다. 패턴 된 기판은 빛의 반사를 억제하여 흡수율을 높이는 역할을 한다. 그러나 패턴 된 기판 위에서 메조포러스 $TiO_2$막의 형성에 관한 연구는 부족한 실정이다. 본 연구에서는 spin coating 방법으로 패턴 된 Si (111) 기판 위에 메조포러스 $TiO_2$를 성장하고 그 미세구조를 분석하였다. 패턴 된 기판은 nanosphere lithography(NSL) 법으로 mask를 증착한 후 건식 식각 (dry etching) 공정을 통해서 제작되었으며, 마스크와 불순물 등 은 초음파 세척 등으로 제거되었다. 메조포러스 $TiO_2$막은 1-propanol, P123, titanium isopropoxide와 HCl을 섞어 만든 용액으로 1 cm${\times}$1 cm 기판 위에 3000 rpm과 4000 rpm으로 각각 증착하였으며, 5일 동안 4도에서 에이징한 후 350도에서 3시간 열처리하였다. 이렇게 형성한 메조포러스 막의 형상과 미세구조적 특성이 주사전자현미경(SEM, scanning electron microscope), X-선 회절(XRD, X-ray diffraction) 등을 이용하여 연구되었다. 특히, 증착 조건에 따른 메조포러스 $TiO_2$박막의 형성 기구에 관한 고찰이 진행되었다. 나아가, $TiO_2$박막과 패턴 사이에 형성되는 계면 구조에 관한 연구를 투과전자현미경을 이용하여 진행하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.11a
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pp.164-165
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2007
Si(중간층)/DLC(diamond-like carbon)막은 스퍼터와 이온소스(ion source)법에 의한 복합방식(hybrid method)을 이용하여 3mTorr의 반응가스 벤젠($C_6H_6$)분위기에서 Si wafer에 기판온도 $130^{\circ}C$로 180분간 증착하였다. 평가는 표면과 단면에 대해 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM)과 투자전자현미경(trasmission electron microsope, TEM)으로 관찰하였다. 경도와 마찰계수는 나노인텐터(nanoindetor)와 마모시험기를 이용하였으며, 박막의 구조는 라만스펙트럼으로 분석하였다. 그 결과 박막의 두께는 약 $0.9{\mu}m$, 표면조도는 약 $0.34{\sim}1.64nm$로 평탄한 표면을 가지며 경도는 약 $35{\sim}37GPa$, 마찰계수는 약 $0.02{\sim}0.07$로 관찰되었다. 라만분광법과 전자회절패턴에 의해 IG/ID의 함량비는 $0.54{\sim}0.59$로 $sp^2$와 $sp^3$가 혼재된 전형적인 비정질 구조임을 확인하였다.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.49
no.12
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pp.95-110
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2012
The effect of a finite substrate size on the radiation characteristics of a two-element linear E-plane array antenna using microstrip patch antennas is investigated. The average active element pattern characteristics of two-element E-plane array antennas printed on different dielectric constant substrates with various substrate sizes and element spacings are analyzed. Using the average active element pattern, the radiation pattern characteristics of the array antenna versus scan angle is analyzed. The simulation results show that the diffracted fields of surface waves from substrate edges have a significant effect on the radiation characteristics of a 2-element E-plane array antenna. The distance between the center of patch antenna and the substrate edges on the E-plane for the enhancement of radiation characteristics of the array antenna is about $0.35{\lambda}_0$.
Margarite, occurring in an Unkyori Formation of Miwon area, Chungcheongbukdo, South Korea, was investigated using a high-resolution transmission electron microscope (HRTEM) to reveal the microstructural intergrowth textures of margarite. HRTEM images of margarite, which was previously confirmed to have intergrowth textures by petrographic microscope and back-scattered electron images, show that chlorite occurs as thin packets of layers interlayered within margarite crystals, and intercalated chlorite layers are intergrown irregularly in areas as a few hundred angstroms thick slabs or isolated chlorite unit layers. Margarite crystals observed by HRTEM consist of a well-ordered 2M polytype, and electron diffraction pattern shows no prominent streaking along the 001 (or $c^{*}$) direction, indicating that there is no significant stacking disorder in margarite. Intercalated extra brucite-like layers, which are approximately 5 $\AA$ thick, are observed locally within margarite crystals. Insertion of such extra brucite-like layer at the interlayer of margarite would result in a chlorite-like structure unit. (001) margarite layers are parallel to (001) of chlorite, and margarite layers are not extended from (001) of chlorite, indicating that margarite was apparently produced through a dissolution-precipitation mechanism.m.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.474-474
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2013
PDMS는 미세패턴을 위해 소프트 리소그래피 널리 활용되어질 뿐만 아니라, 재질이 투명하고 탄성과 강한 내구성을 갖고 있어 유연한 광학 및 전자소자에 이용될 수 있다. 최근에는, 이러한 PDMS를 서브파장구조(subwavelength grating structure)를 형성하거나 텍스쳐(texture)표면구조를 이용한 효과적인 반사방지막(antireflection coating)기판을 제작하여 태양전지 및 디스플레이 소자의 성능을 발전시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 한편, 수열합성법(hydrothermal method)이나 전기화학증착법(electrodeposition method)으로 비교적 간단한 공정을 통해서 다양한 기판위에 산화아연(ZnO) 나노막대(nanorod)를 수직정렬로 성장시킬 수 있는데, 이러한 구조는 반사방지특성의 유효 굴절률 분포(effective refractive index profile)를 갖고 있기 때문에 LED나 태양전지에 성능을 개선할 수 있다. 이에 본 연구에서는 수열합성법을 통해 성장된 수직 정렬된 산화아연 나노막대를 이용한 PDMS 표면의 미세패턴 형성하여 광학적 특성을 분석하였다. 실험을 위해, 스퍼터링을 통해서 산화아연 시드층을 형성한 후, 질산아연헥사수화물과 헥사메틸렌테트라민을 수용액에 담가두어 산화아연 나노막대를 성장시켰으며, PDMS의 베이스와 경화제의 질량비를 10:1으로 용액을 준비하여 수직 정렬된 산화아연 나노막대 표면을 casting method으로 코팅하여 열경화 처리하였다. 제작된 샘플의 형태, 구조 광특성을 관찰하기 위해서 전계방출형전자현미경, X선 회절 분석기, 분광 광도계를 이용하였다.
We demonstrate an effect of annealing temperature on imprinting process of BiLaO thin film for liquid crystal alignment. BiLaO prepared sol-gel process was deposited by spin coating on a glass substrate, and then transferred to a pre-fabricated aligned pattern which is fabricated on a silicon wafer by laser interference lithography. Thin film was annealed at different temperature of 100, 150, 200, and 250 ℃. From the polarized optical microscopy analysis, the liquid crystal orientation was not uniform at the annealing temperature of 200 ℃ or lower and the uniform liquid crystal alignment characteristics were confirmed at the annealing temperature of 250 ℃. From atomic force microscopy, the pattern was not transferred at a temperature of 200 ℃ or lower. In contrast, the pattern was transferred at 250 ℃. Anisotropy of the thin film was obtained by the alignment pattern transferred at a temperature of 250 ℃, and the liquid crystal molecules could be evenly oriented on the thin film. Therefore, it was confirmed that the liquid crystal alignment process by the imprinting process of the BiLaO oxide film was affected by the annealing temperature.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.5
no.3
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pp.197-203
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2004
New lithography techniques are employed for the patterning of arbitrary shapes in nanometer scale. When, in the photolithography, the electromagnetic waves such as UV and X-ray are incident on the mask patterned in nanometer scale, the diffraction effect is unavoidable and degrades images of the mask imprinted on wafer. Only a convex lens is well-known Fourier transformer. It is possible to make the mask Fourier-transformed with the convex lens, even though the size of pattern on the mask is very large compared to the wavelength of electromagnetic wave. If the mask, modified according to new technique described in this paper, was placed at the front of the lens and was illuminated with laser beam, the nanometer-size patterns are only formed on the plane called Fourier transform plane. The new method presented here is quite simple setup and comparable with present and next generation lithographies such as UV/EUV photolithograpy and electron projection lithography when compared in attainable minimum linewidth. In this paper, we showed our theoretical research work in the field of Fourier optics, . In the near future, we are going to verify this theoretical work by experiments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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