• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.1
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• pp.12-18
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• 1992

The trap levels of ZnO-based varistor are obtained by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy method. Here ICTS measuring system consists of YHP 4192A Impedance Analyzer and a personal computer for the data acquisition. Between $-40^{\circ}C$ and $60^{\circ}C$, the grain boundary trap levels of 0.48 and 0.94eV were detected for $ZnO-Bi_2O_3-MnO$ system. The hole omission spectra are observed in the case of the addition of CoO into the $ZnO-Bi_2O_3$ system, while the electron emission spectra are detected in the case of the addition of MnO. The nonlinear resistance coefficient $\alpha$ increases with the decrease of the dormer concentration. Finally, the trap level density of $ZnO-Bi_2O_3-MnO$ system is found to decrease with the amount of CoO, while $\alpha$ is found to increase with the amount of CoO.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.283.2-283.2
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• 2014

열필라멘트 화학증착공정(Hot Wire Chemical Vapor Deposition)에서 기상 에서 생성되는 하전된 실리콘 나노입자와 저온결정성 실리콘박막 증착의 연관성을 압력의 변화에 따른 상호비교를 통해 조사하였다. 필라멘트 온도는 $1800^{\circ}C$로 고정시키고 0.3~2 torr의 범위에서 공정 압력을 변화시키면서 증착하였다. 압력이 증가함에 따라 증착된 실리콘 박막의 결정화도는 증가하였으며, 증착속도는 감소하였다. 반응기 압력에 따른 기상에서 생성되는 나노입자의 크기분포의 변화를 조사하기 위하여 탄소막이 코팅된 투과전자현미경(Transmission Electron Microscopy) 그리드 위에 실리콘 나노입자를 포획하고 관찰하였다. 포획된 실리콘 나노입자의 크기분포와 개수농도는 압력이 증가함에 따라 감소하였다. 투과전자현미경을 이용하여 분석한 결과, 나노입자는 결정성 구조를 보였다. 압력이 증가함에 따라 나노입자의 크기가 감소하고 개수농도가 감소하는 것은 증착속도의 감소와 관련됨을 알 수 있다. 한편, 공정압력 증가에 따른 나노입자의 크기분포 및 개수농도 감소와 증착속도의 감소는 일반적으로 알려진 기상에서 석출하는 고상의 평형석출량(equilibrium amount of precipitation)이 압력의 증가함에 따라 증가한다는 사실과 일치하지 않는다. 이러한 압력경향성은 Si-H 시스템이 0.3~2 torr의 압력 영역에서 retrograde solubility를 갖는 것을 의미한다. 나노입자의 하전여부, 크기분포 및 개수농도를 측정하기 위하여 입자빔질량분석장비(Particle Beam Mass Spectroscopy)를 이용하였다. 그 결과, 실리콘 나노입자는 양 또는 음의 극성을 가진 하전된 상태임을 확인하였고, 투과전자현미경(TEM) grid에 포획한 실리콘 나노입자의 크기와 경향성이 일치하였다. 이는 나노입자가 저온의 기판에서 핵생성되어 성장하여 생성된 것이 아니라 열필라멘트 주위의 고온영역에서 생성된 것을 의미한다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.18 no.2
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• pp.153-162
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• 2001

In this paper, space radiation environment and total ionizing dose(TID) effect have been analyzed for the KOMPSAT-2 operational orbit. It has been revealed that the trapped protons are concentrated in the SAA(South Atlantic Anomaly) area and that the trapped protons and electrons, and solar protons are main factors affecting TID. It turned out that low energy Particles can be effectively blocked by aluminum shielding thickness, but high energy Particles can not be effectively blocked by increasing aluminum shielding thickness. KOMPSAT-2 total radiation dose which is accumulated continuously to spacecraft electronics has been expressed as the function of aluminum thickness. These values ran be used as the criteria for the selection of electronic parts and shielding thinkness of the KOMPSAT-2 structure or electronic box.

• Analytical Science and Technology
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• v.6 no.1
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• pp.77-82
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• 1993

Negative chemical ionization mass spectrometry(NCI-MS) can provide the enhancement in sensitivity in the analysis of amino acids. For molecules which are strongly electron-capturing, NCI-MS has been of amino to have detection limits in the femtomole to attomole($10^{18}$) range. Because of the selectivity of the ionization process, background noise is diminished, further enhancing signal to noise ratio. In this paper, we explored a dinitro-phenyl derivatives of amino acids by NCI-MS and compared it with eletron ionization method. The results demonstrated NCI-MS produces very clean spectra with a very little noise.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.242.2-242.2
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• 2013

최근 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 신뢰성(reliability) 평가에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 신뢰성 평가하는 한 방법으로 게이트에 바이어스를 지속적으로 인가하여 소자의 문턱 전압의 변화를 통해 안정성(stability)를 확인한다. 전압을 지속적으로 인가하게 되면 소자를 열화시켜 전기적 특성이 약화된다. 본 연구에선 ITZO 박막 트랜지스터의 신뢰성 평가를 위해 게이트 절연막($SiO_2$, $SiN_x$)에 따른 ITZO 소자를 제작 및 게이트 바이어스 스트레스 후 전기적 특성을 비교, 분석하였다. 제작된 소자의 게이트에 전압을 +15V로 7200초 동안 인가하였다. 스트레스 후 게이트 절연막이 $SiO_2$, $SiN_x$인 ITZO 산화물 박막 트랜지스터 모두 positive 방향으로 이동하였고, 그 결과 문턱 전압, 이동도, 아문턱 기울기의 변화가 발생하였다. $SiO_2$의 경우 아문턱 기울기의 변화가 거의 없이 문턱 전압의 변화만을 보였고, 이는 단순히 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 전자가 포획되거나 혹은 게이트 절연막 내에 전자가 주입이 되었기 때문이다. 반면에 $SiN_x$의 경우 ITZO층과 게이트 절연막 계면에 추가적인 결함(defect)이 생성되었기 때문에 $SiO_2$보다 더 많은 전자를 포획하여 아문턱 기울기와 문턱 전압의 변화가 컸다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.44-45
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• 2003

전자기 유도 투과란 매질 속을 진행하는 빛의 투과가 다른 강한 빛의 작용으로 증가하게 되는 결맞음 현상을 말한다. 이러한 전자기 유도 투과는 또한 굴절율의 변화를 동반하게 되며, 그 결과 매질을 진행해 나가는 레이저빔은 유도 집속 및 확산, 또는 자체집속 및 확산의 제거 등을 겪게 된다. 이러한 원리를 이용하여 M. Jain 등은 납 증기에서 원공명 조건의 결맞음 밀도 포획을 이용한 자체집속의 제거에 성공한바 있다. (중략)

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.5 no.5
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• pp.133-139
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• 2005

The neutron capture cross section of $^{99}Tc$ has been measured relative to the $^{10}B(n,\gamma)$ standard cross section by the neutron time-of-flight(TOF) method in the energy range of 0.007 eV to 47 keV using a 46-MeV electron linear accelerator(linac) at the Research Reactor. Institute, Kyoto University(KURRI). In order to experimentally prove the result obtained, the supplementary cross section measurement has been made from 0.3 eV to 1 keV using the Kyoto University Lead stowing-down spectrometer (KULS) coupling to the linac. The relative measurement by the TOF method has been normalized to the reference value(20.01 b) at 0.0253 eV and the KULS measurement to that by the TOF method. The existing experimental data and the evaluated capture cross sections in ENDF/B-VI, JENDL-3.2, and JEF-2.2 have been compared with the current measurements by the linac TOF and the KULS experiments.

• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.10 no.5
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• pp.337-341
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• 2016

We measured the neutron capture cross-section of natural Sm(n,${\gamma}$) reaction in the energy regions from 0.003 to 10 eV. The 46-MeV electron linear accelerator of Research Reactor Institute, Kyoto University was used for generating a continuous neutron source. The neutron time-of-flight method was adopted for energy measurement. An assembly of BGO($Bi_4Ge_3O_{12}$) scintillators composed of 12 pieces of BGO crystals measured prompt gamma rays from Sm(n,${\gamma}$) reaction. The BGO assembly was located at a distance of $12.7{\pm}0.02m$ from the neutron source. In order to determine the neutron flux impinging on the Sm, the $^{10}B(n,{\alpha}{\gamma})^7Li$ standard cross-section were used. Natural Sm(n,${\gamma}$) reaction measurement result of the neutron capture cross-section was compared with the results of evaluation of the BROND-2.2 and the previous experimental data of J. C. Chou and V. N. Kononov.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.174.2-174.2
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• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.179.2-179.2
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• 2009