• 전자진흥
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• 제21권11호
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• pp.19-23
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• 2001

향후 디지털 사회는 포스트 PC가 주도할 전망이다. 이에 따라 포스트 PC사업을 둘러싸고 마이크로소프트와 리눅스 업체들 간 협력사 확보 경쟁도 치열하게 전개되고 있으며 연말쯤에는 윈도우와 리눅스 계열의 포스트 PC제품이 속속 등장해 수요경쟁을 벌일 것으로 전망된다. 이에 본회 정보 통신 산업 팀에서는 지난 10월 12일 COEX에서 한국전자전 부대행사로 본회 회원사, 컴퓨터 업체, 정보통신 벤처 업계 등 1000개사가 참석한 가운데 국내 POST PC산업현황과 향후 발전방안을 주제로 기술세미나를 개최하였다. 본고는 세미나 내용 중 전자부품연구원 서경학 본부장이 발표한 내용을 중심으로 요약 정리하였다.

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.3-21
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• 1989

본고에서는 TDX 시스팀의 신뢰도 보증 및 효율적 관리를 위하여 TDX-1A 시스팀에서 사용되고 있는 부품의 신뢰도 예측치와 현장운용데이터에서 나온 신뢰도 평가치를 비교 검토한후, TDX-1A 시스팀의 신뢰도 예측결과를 검증하고, 또한 외국의 고장율 예측방법과의 차이점을 도출하여 이를 TDX 시스팀의 신뢰도 예측방법에 적용한 후 TBX-1A 현장운용데이터로 보완된 TDX 환경에 적합한 부품 고장율 예측방법을 정립, 제시하고자 한다.

• 전자통신동향분석
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• 제4권4호
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• pp.47-64
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• 1989

최근 날로 전자기기의 소형, 경량화, 다기능화와 초정밀화 추세로 기술혁신이 급속히 진전됨에 따라 이 분야의 최적 설계를 위한 부분중 열설계 기술의 중요성이 더욱 인식되고 있다. 따라서, 본고에서는 전자 부품들의 상호 접속지지체로서 기능을 가진 인쇄배선판(PCB)에서 고정도, 미세화등의 고밀도화가 점점 가중되고 있는 점을 감안하여 설계시 고려되어야 할 열설계 기술의 제반 사항에 대해 기술하였다.

• 한국의류산업학회지
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• 제25권3호
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• pp.398-408
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• 2023

Smart clothing products can experience a decrease in performance and reliability due to various mechanical, biological, and chemical stress factors that occur throughout their life cycle. These issues can hinder consumer acceptance of the products. This study aims to enhance the reliability of smart clothing and facilitate quality control by analyzing and identifying the current status of international standardization for smart clothing and electronic textiles (e-textiles). The focus of this analysis was on the durability test methods in the use environment. Furthermore, similar standards published by different standardization organizations for durability tests were compared in depth. The study showed that a total of 27 international standards have been developed or are currently under development. The current standardization efforts mainly aim to develop functionality and durability test methods for smart clothing and e-textile products. A detailed comparison was made between two international standards (IEC 63023-204-1:2023 and AATCC TM210:2019) specifically in relation to the washing durability test method and the electrical resistance measurement standards (BS EN 16812:2016 vs AATCC EP13-2021), before and after the environmental exposure tests. Based on this comparison, several suggestions have been made and discussed for the future revision of these international standards.

• 광학세계
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• 통권145호
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• pp.45-46
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• 2013

국내 최대 규모의 전자제조장비 종합 전시회 'Electronics Manufacturing Korea 2013(EMK 2013)'가 지난 4월 3일부터 5일까지 서울 삼성동 코엑스에서 개최됐다. EMK 2013은 K.Fairs와 학국광학기기산업협회, Reed Exhibition, J.EXPO가 공동 주최하고 산업통상자원부, 중소기업청, 전자부품연구원, 대한전자공학회, 한국산업기술시험원 등이 후원하는 전시로, 올해 약 20여 나라에서 260여 업체가 750여 부스 규모로 참여한 가운데 성황리에 진행됐다.

• 전자통신동향분석
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• 제26권2호
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• pp.100-110
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• 2011

반도체는 전자시스템의 제어 운용, 정보저장의 기능을 수행하는 핵심부품으로서 휴대폰, 자동차 등 주력산업의 경쟁력을 좌우할 정도로 파급효과가 크다. 중국은 전세계 전자장비 생산이 중국으로 이전되고 있고 중국 내수시장의 급속한 성장에 따라 반도체 산업이 고도성장을 기록하고 있다. 이미 세계 반도체 시장에서 최대의 소비국으로 자리잡고 있고, 파운드리 분야와 팹리스 분야에서 강점을 보이고 있다. 본 고에서는 중국의 반도체 산업을 중국 정부의 반도체 정책, 산업동향 및 특성, 반도체기업 현황을 중심으로 분석하고 우리에게 주는 시사점을 도출하고자 한다.

• 전자통신동향분석
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• 제36권3호
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• pp.53-64
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• 2021

As the 5G service market is expected to grow rapidly, the development of high-power, high-efficiency power amplifiers for the 5G communication infrastructure is indispensable. Gallium nitride (GaN) is attracting great interest as a key device in power devices and integrated circuits due to its wide bandgap, high carrier concentration, high electron mobility, and high-power saturation characteristics. In this study, we investigate the technology trends of Ka-band GaN radio frequency (RF) power devices and integrated circuits for operation in the millimeter-wave band of recent 5G mobile communication services. We review the characteristics of GaN RF high electron mobility transistor (HEMT) devices to implement power amplifiers operating at frequencies around 28 GHz and compare the technology of foreign companies with the device characteristics currently developed by the Electronics and Telecommunication Research Institute (ETRI). In addition, the characteristics of Ka-band GaN monolithic microwave integrated circuit (MMIC) power amplifiers manufactured using various GaN HEMT device technologies are reviewed by comparing characteristics such as frequency band, output power, and output power density of integrated circuits. In addition, by comparing the performance of the power amplifier developed by ETRI, the current status and future direction of domestic GaN power devices and integrated circuit technology will be discussed.

• 항공우주산업기술동향
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• 제6권1호
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• pp.65-73
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• 2008

위성시스템의 성능 및 무게, 비용 등의 요구조건이 높아지면서 시스템 설계를 위한 고성능,고효율의 전기전자부품이 요구되고 있다. 이런 요구를 충족하기 위하여NASA나 ESA에서 사용하고 있는 고 신뢰성과 안전성에 바탕을 둔 기존의 표준소자에 비해 신기술과 고성능으로 빠르게 업그레이드되고 있는 상용부품의 수요가 증가하고 있다. 특히 상용집적소자인 PEM은 많은 우주프로그램에서 사용되고 있고 그 영역을 넓히기 위한 연구가 계속되고 있다. 본 논문에서는 우주 프로그램에 사용하기 위한 상용PEM소자의 고려사항과 검증동향에 대해 소개하고자 한다.

• 전자통신동향분석
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• 제33권6호
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• pp.12-23
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• 2018

In this paper, we review the technical trends of diamond and gallium oxide ($Ga_2O_3$) semiconductor technologies among ultra-wide bandgap semiconductor technologies for harsh environments. Diamond exhibits some of the most extreme physical properties such as a wide bandgap, high breakdown field, high electron mobility, and high thermal conductivity, yet its practical use in harsh environments has been limited owing to its scarcity, expense, and small-sized substrate. In addition, the difficulty of n-type doping through ion implantation into diamond is an obstacle to the normally-off operation of transistors. $Ga_2O_3$ also has material properties such as a wide bandgap, high breakdown field, and high working temperature superior to that of silicon, gallium arsenide, gallium nitride, silicon carbide, and so on. In addition, $Ga_2O_3$ bulk crystal growth has developed dramatically. Although the bulk growth is still relatively immature, a 2-inch substrate can already be purchased, whereas 4- and 6-inch substrates are currently under development. Owing to the rapid development of $Ga_2O_3$ bulk and epitaxy growth, device results have quickly followed. We look briefly into diamond and $Ga_2O_3$ semiconductor devices and epitaxy results that can be applied to harsh environments.

• 전자통신동향분석
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• 제13권4호통권52호
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• pp.86-96
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• 1998

점차적으로 고발열화되고 있는 국내 전화국사의 교환기실을 효율적으로 냉각할 수 있는 새로운 국내 교환기실의 급배기 방식의 개발에 이용하고자, 실제 국내 교환기실의 모델을 대상으로 한 수치적인 연구방법으로써 각 급배기 방식에 따른 속도 분포 및 교환기 내의 전자부품 온도 분포 등 각 급배기 방식에 따른 냉각 특성을 조사 비교하였다. 본 연구에서 제시한 결과들은 고발열화되는 국내 교환기실의 새로운 급배기 방식 설정을 결정하기 위해 효과적으로 이용될 수 있을 것이다.