• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.39-40
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• 2015

유기 전자 소자는 높은 유연성을 가지고 있어 차세대 전자소자로 주목을 받고 있다. 이러한 유기 전자소자에 있어서 투명전극은 핵심소재 중의 하나인데, 유연성을 위하여 유연한 투명전극의 개발이 필수적으로 요구되고 있다. 본 연구에서는 저저항/고투과의 유연한 투명전극을 제작하기 위해 보조배선을 도입했고, 이 보조배선을 기판에 함몰시키는 구조의 배선함몰형 유연 전극 기판을 제작하였다. 본 전극은 $1{\Omega}/sqr.$의 면저항과 90%의 투과도를 가지고 있음을 확인했고, 이 전극을 활용해 유연 유기전자소자를 제작하여 ITO 기반의 소자와 유사한 효율을 가짐과 동시에 높은 유연성을 가짐을 확인하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.61-76
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• 2009

LED는 2000년대에 들어서면서 생활 전반에 사용되기 시작하여 최근에는 자동차용 부품과 TV의 back light unit에 이르기까지 모든 분야에서 다양한 용도로 사용되고 있다. 본 기고에서는 이러한 LED의 기판을 포함한 에피, 칩, 그리고 패키지 기술의 중요한 이슈와 기술의 동향에 대하여 간략히 정리하였다. 상용화되어 사용되는 사파이어나 SiC 기판 이외에 연구개발이 진행중인 GaN 기판 기술 등을 소개하고, 에피 기술에서는 활성층과 클래딩층 성장 기술의 이슈들을 제시하며, 칩의 종류와 특성을 중심으로 droop 현상과 광추출 기술 등을 살펴보고, 다양한 패키지의 종류 및 특징 등을 포함하는 LED 분야의 기술 동향에 대하여 설명한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.182-182
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• 2009

일반적으로 스크린 프린팅 공정은 실비가 간단하고 공정이 쉬우며 가격이 저렴한 특성을 가지고 있다. 본 연구에서는 스크린 프린팅 방법들 이용하여 절연층을 코팅하고 도체 패턴을 형성하여 MCPCB(Metal-Core Printed Circuit Board) 기판을 제작하였다. 또한, 이 방법으로 제작된 MCPCB 기판의 방열 특성을 기존 상용 MCPCB와 비교 평가하였다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.185-188
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• 2001

본 연구는 알루미늄 기판 위에 징케이트 처리 시 생성되는 아연 입자들의 성장거동에 관하여 연구하였다. 알루미늄 기판 상에서 아연입자들은 기판 표면의 요철 꼭지점이나 모서리에서 먼저 생성되었고, (0001)면들이 적층되어 성장하였다. 또한 온도를 증가에 따른 성장속도를 증가시켜 징케이트 처리를 실시하였을 때 육방정계을 갖는 아연 입자의 경우 <1100> 결정방향으로 성장이 이루어져 불가사리 형태의 입자형태를 나타내었으며 초음파 교반에 의한 징케이트 처리를 하였을 경우 조밀하고 균일한 아연 막을 형성하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.211-211
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• 2010

본 논문에서는 ZnO 박막을 휘어지기 쉬운 PES(polyethersulfone) 기판위에 PLD(pusled laser deposition)법을 사용하여 다양한 조건에서 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막의 표면 형상과 광특성을 SEM과 PL을 사용하여 측정하였고, 레이저 밀도 0.3 J/$cm^2$, 기판 온도 $200^{\circ}C$에서 가장 좋은 광특성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05d
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• pp.119-121
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• 2003

열을 발생하는 부품에 있어서 효과적으로 열방출 향상시키는 것은 부품의 신뢰성을 위해 중요한 사항이며, LTCC와 같은 고밀도 회로기판을 설계하는데 있어서 필수적으로 고려할 사항이다. 본 연구에서는 열전달을 향상시키기 위한 구조를 설계하였다. 또한, 열전달 효과를 조사하기 위해서 LTCC 기판 내에 열 비아 및 패드를 위치시킨 기판을 제작하였다. Laser Flash Method를 통해 재료의 열전도도 분석을 수행 하였다. 열비아 및 열방출을 위한 패드로 구성된 LTCC 기판의 열전도 특성은 순수 Ag 재료의 44%인 103 W/mK 특성 값을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.04b
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• pp.9-11
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• 2009

열전박막은 유비쿼터스 센서 네트워크에서 사용될 초소형 자가발전 장치로 각광받고 있다. 본 실험에서 는 상온에서 주로 사용되는 $BiSbTe_3$ 열전물질을 유기 금속화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 일반적으로 사용되는 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 $BiSbTe_3$ 박막의 표면형상은 부분적으로 성장되지 않으며 불규칙한 결정립을 포함하는 박막의 형상을 나타내었으나 성장 전 기판의 표면처리 통하여 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았다. 따라서 다양하고 저가의 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.258-258
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• 2007

일반적인 CMOS공정으로는 높은 주파수 대역에서 높은 Q factor를 갖는 인덕터를 구현하는데 어렵고 이에 반해 RF ICs는 갈수록 high Q를 가지는 인덕터가 요구되고 있다. 이를 LTCC 기판 위에 인덕터를 구현했을 때 놓은 주파수 대역에서 성능을 알아보기 위해 모의 실험하였고, 실제로 구현을 하여 측정결과를 비교해 보았다. LTCC 기판위에 인덕터를 구현 하였을 때 실리콘, 유리 기판위에 인덕터를 구현하였을 때보다 더 높은 Q 값을 측정할 수 있었다. 5GHz 대역에서 실리콘, 유리, LTCC 기판에서 각각 12, 33, 51에 값을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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• v.39 no.2
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• pp.6-10
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• 2002

Al films (1000~4000${\AA}$)were deposited on glass and polymer(polyethersulfine) plastic substrates by DC-magnetron sputtering for plastic-based flat-panel displays. A stepped heating process was used both to improve the electrical characteristics and to diminish the thermal expansion of the polymer substrates. Following this procedure, we could succeed in sputtering Al films without any cracking or shrinkage of the polymer substrates. The treatment temperatures and deposited process of Al films were under 200$^{\circ}C$. Also, this low temperature fabrication process allows the application of plastic substrates. Scanning Electrom Microscopy, Atomic Force Microscopy, X-ray Dffractometry, and electrical measurements such as resistivity measurements were performed to investigate the properties of deposited the Al films and their reliability.