• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.217-217
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• 1999

축전 결합 차폐막(Faraday shield)이 없는 평판형 유도 결합 플라즈마 장치에서 방전 모드 전이 중출력 결합 변화동안 전자 가열에 대한 연구가 행하여졌다. 전자 에너지 분포 함수(EEDF)의 전개가 RF 보상탐침을 사용, 교류 충첩 방법으로 측정된다. RF 출력에 따른 전자 밀도, 유효 전자 온도 및 특히, 플라즈마 전위의 동향이 제시된다. bi-Maxwellian EEDF를 가진 플라즈마에서 플라즈마 전위가 고 에너지 전자 그룹에 의해 결정됨을 보이고, 플라즈마 전위와 EEDF 상호 관계가 논의된다. 실험 결과로부터 RF출력에 따른 플라즈마 전위의 변화가 전자 가열에 있어 축전 출력 결합의 상대적인 기여의 변화를 반영함을 알 수 있다.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.19 no.1
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• pp.8-15
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• 1999

In order to develop an effective way of measuring the mode I stress intensity factor, $K_I$, by the technique based on the alternating current potential drop (ACPD), the effect of the magnetic flux in the air on the change in potential drop due to load for both ferromagnetic and paramagnetic materials containing a two-dimensional surface crack was investigated. Additionally the effects of the demagnetization and the crack length on the change in potential drop were examined. In the case that the measuring system was designed to induce a large amount of electromotive force, the amount of the change in potential drop due to load was shown to increase largely Also the relationship between the change in potential drop and that in $K_I$ was indicated to be linear without any treatment and it was shown that the demagnetization had almost no effect on the change in potential drop. The change in potential drop did not depend on the crack length but on the measuring system. For the application of the ACPD technique to determine $K_I$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.142.1-142.1
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• 2015

웨이퍼 표면에서 부유 전위 분포를 측정하기 위해서 웨이퍼형 탐침 배열을 제작하고 측정회로를 만들었다. 아르곤 플라즈마의 경우 낮은 압력에서 부유 전위의 분포는 중심에서 최대값을 갖는 포물선 형태로 나타났다. 하지만 음이온 가스의 압력이 증가함에 따라 부유 전위의 분포가 현저하게 변화했다. 가스 압력이 높아짐에 따라 비국부적이었던 플라즈마의 방전 특성이 국부적으로 변화했기 때문이다. 이외에도 음이온도 부유 전위의 분포를 변화시킬 수 있음을 확인하였다. 이 연구는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 표면에서 전하 축적에 의한 손상을 이해하는데 도움이 될 것으로 기대된다.

• Journal of Veterinary Clinics
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• v.14 no.2
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• pp.258-262
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• 1997

반추수의 제4위질병시 혈액 및 제1위액의 전해질치 변화에 관해 알아보기 위해 산 양을 대상으로 실험적으로 제식위좌측전위, 제4위우측전위 및 제4위염전을 유발시켰다. 혈청내 $Cl^{-}$치는 제실킨좌측전위, 제4위우측전위 및 제4위염전 모두에서 시간이 경과함에 따라 감소경향 을 나타내었으며 이러한 경향은 제4위우측전위 및 제4위염전에서 더욱 현저하였다. 혈청내 $K^{+}$ 룽도는 제4위좌측전위 및 제4위우측전위에서는 실험 120시간 이후부터 감소경향을 나타내었 으며, 제4위염전에서는 24시간 이후부터 심한 감소경향을 나타내었다. 혈청내 $Na^{+}$치는 제4위좌측전위 및 제4위우측전위에서는 각각 48시간 및 72시간 이후부터 감소경향을 나타내었으며, 제4위염전에서는 24시간 이후부터 유의한 감소경향을 나타내었다. 제1위내 $Cl^{-}$치는 제4위좌측전위 및 제4위우측전위에서는 48시간 이후부터, 제4위염전에서는 12시간 이후부터 시간이 경과함에 따라 증가경향을 나타내었으나 $K^{+}및Na^{+}$농도는 유의한 변화가 인정되지 않았다.

• Proceedings of the KOSOMBE Conference
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• v.1994 no.05
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• pp.69-71
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• 1994

1Hz에서 20Hz까지의 단속 주파수를 지닌 청각자극을 가해 얻은 EEG신호에서 자극에 따른 신호의 정성적이고 정량적인 특성을 카오스 분석방법을 통해 밝혔다. 먼저, 뇌전위 신호에 전반적으로 나타나는 일반적인 카오스 특징(fractal mechanism, 1/f frequency spectrum, positive lyapunov exponent등등)이 확인되어졌다. 유발전위에 대해서는 자극의 주파수에 따른 주기 배증을 경유한 카오스로 가는 길(route to chaos)과 2차원 pseudo-phase portrait의 뿌앙까레 단면에서의 기하학적 모양(topological property)의 변화가 관찰되어졌고, 자발전위가 포함된 유발전위에 대해서는 적절한 bases를 지닌 3차원 phase space에서 기이한 끌개(chaotic attractor)가, 유발전위의 정보를 지닌채 보여졌다. 끝으로 자극 주파수(단속 주파수와 반송 주파수) 변화와 측정이 이루어진 머리표면에서의 공간적 위치에 따른, lyapunov exponent값 변화가 의미있게 해석되어졌다. 이 결과는 무질서하게 보이는 뇌전위신호에서 주어진 청각자극에 대한 정보를 얻는 새로운 방법을 제시하게 된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2000.05a
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• pp.455-459
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• 2000

신경의 기본단위인 뉴런을 계층 구조형태로 연결하여 자극에 대한 각 뉴런의 신경전달 메카니즘을 분석하고 Na 이온의 값을 변형시켜 활성전위에 미치는 영향을 LINUX를 기초로 한 GENESIS를 이용하여 시뮬레이션을 해 보았다. 뉴런은 미세한 자극뿐만 아니라 이온농도의 변화로 인한 매우 민감하게 반응함으로 신경의 활성전위와 인체를 구성하는 모든 세포에서의 이온농도의 중요성을 간과해서는 안 된다. 본 연구에서는 신경세포를 전기회로 적인 모텔을 기준으로 설계하였으며, 농도의 변화에 의해 활성전위 전달에 큰 변화를 일으켰다. 과대한 농도 변화는 신경에서의 과도한 활성전위와 매우 낮은 전위가 발생함을 알 수 있었다. 이로 인해 인체에 미치는 영향은 신체의 어느 부분이냐에 따라 다르겠지만 뇌에서의 열, 뇌 세포 손상, 근육마비, 심장마비 등의 이상 현상을 추정할 수 있을 것이다.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.19 no.1
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• pp.1-7
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• 1999

In order to determine the mode I stress intensity factor ($K_I$) by means of the alternating current potential drop(ACPD) technique, the change in potential drop due to load for a paramagnetic material containing a two-dimensional surface crack was examined. The cause of the change in potential drop and the effects of the magnetic flux and the demagnetization on the change in potential drop were clarified by using the measuring systems with and without removing the magnetic flux from the circumference of the specimen. The change in potential drop was linearly decreased with increasing the tensile load and was caused by the change in conductivity near the crack tip. The reason of decreasing the change in potential drop with increasing the tensile load was that the increase of the conductivity near the crack tip due to the tensile load caused the decreases of the resistance and internal inductance of the specimen The relationship between the change in potential drop and the change in $K_I$ was not affected by demagnetization and was independent of the crack length.

• Journal of Bio-Environment Control
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• v.9 no.2
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• pp.94-100
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• 2000

This study was conducted to investigate the changes of electric potentials of leaf surface induced by environmental stimuli in plant. The values of electric potentials varied with different intervals of light on and off, and light qualities and moreover, their changes were also varied according to the time of a day. Additionally, stimuli such as candle light, wind, or 5$^{\circ}C$ cool water spray also evoked considerable changes in leaf surface electric potentials and their signal patterns varied with species of plants tested. In frequency analysis of electric potentials, the distribution values by FFT were highest in 1-10 Hz frequency zone by the majority of stimuli. These results suggested that changes in leaf surface electric potentials depended upon plant species even though stimulus was the same and vice versa.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.11
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• pp.2621-2626
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• 2013

This paper has presented the potential distribution for asymmetric double gate(DG) MOSFET, and sloved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The symmetric DGMOSFET where both the front and the back gates are tied together is three terminal device and has the same current controllability for front and back gates. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine current controllability for front and back gates. To approximate with experimental values, we have used the Gaussian function as doping distribution in Poisson equation. The potential distribution has been observed for gate bias voltage and gate oxide thickness and channel doping concentration of the asymmetric DGMOSFET. As a results, we know potential distribution is greatly changed for gate bias voltage and gate oxide thickness, especially for gate to increase gate oxide thickness. Also the potential distribution for source is changed greater than one of drain with increasing of channel doping concentration.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.691-694
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• 2013

This paper has presented the potential distribution for asymmetric double gate(DG) MOSFET, and sloved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The symmetric DGMOSFET where both the front and the back gates are tied together is three terminal device and has the same current controllability for front and back gates. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine current controllability for front and back gates. To approximate with experimental values, we have used the Gaussian function as charge distribution in Poisson equation. The potential distribution has been observed for gate bias voltage and gate oxide thickness and channel doping concentration of the asymmetric DGMOSFET. As a results, we know potential distribution is greatly changed for gate bias voltage and gate oxide thickness, especially for gate to increase gate oxide thickness. Also the potential distribution for source is changed greater than one of drain with increasing of channel doping concentration.