• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권10호
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• pp.2628-2633
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• 2009

초소형 전자 칼럼에서 이중 편향기는 칼럼의 왜곡 수차의 최소화 및 FOV(field of view)의 극대화 효과를 위하여 사용하고 있다. 이러한 효과를 관찰하기 위하여 이중 편향기에 서로 반대로 전압을 인가한 상태에서 FOV와 주사 폭의 변화에 대한 실험을 진행하였으며, 최대 FOV와 주사 폭에 대한 적정 조건을 얻기 위한 각 편향기의 인가 전압과 전자 방출 팁 전압의 관계를 조사하였다. 또한 전자 방출 팁 전압에 의한 줌 기능의 선형성과 줌 한계를 측정하여 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2075-2078
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• 2005

본 논문은 무수은 평판 형광램프의 구동원리를 해석하기 위하여 주파수 변화에 따른 벽전하와 벽전압 특성이 방전특성에 미치는 영향을 연구하였다. 펄스폭 $9[{\mu}s]$, 300[ns]의 전압 상승 시간을 갖는 펄스파로 방전시켰다. 벽전하, 정전용량, 벽전압의 전기적 특성은 인가된 전압, 전류 파형으로부터 계산하였다. 이때 구동 주파수는 20[kHz]에서 40[kHz]까지 변화시키면서 방전 전후의 정전용량 및 Q-V특성 곡선을 해석하였다. 주파수가 증가하면서 전극간의 정전용량 $C_p$ 방전공간상의 정전용량 $C_o$는 변화를 보이지 않았으나 방전공간과 전극사이의 정전용량 $2C_g$는 증가하는 경향을 보였다. 또한 주파수가 증가하면서 방전개시 전압은 감소하였으며 효율은 감소하는 경향을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.773-776
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• 2014

본 연구에서는 채널 길이와 폭의 변화에 따른 실리콘 나노와이어 MOSFET 소자의 아날로그 특성을 비교 분석 하였다. 측정 온도는 $30^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $75^{\circ}C$, $100^{\circ}C$이다. 사용된 소자의 폭은 20nm, 30nm, 80nm, 130nm 와 길이는 250nm, 300nm, 250nm, 500nm을 사용하였다. 소자의 아날로그 특성은 이동도, 트랜스컨덕턴스, Early 전압, 전압이득, 드레인 전류 이다. 이동도는 폭이 증가함에 따라 증가하고 길이와 온도가 증가할수록 감소한다. 트랜스 컨덕턴스는 폭이 증가하면 증가한다. Early 전압은 길이와 온도가 증가함에 따라 증가하고 폭이 증가함에 따라 감소한다. 따라서 이득은 폭의 감소와 길이가 증가함에 따라 증가하고 온도가 증가함에 따라 감소하는 것을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.331-334
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• 2004

본 논문에서는 클록의 duty ratio가 변하였을 때, 그 클록의 duty ratio를 $50\%$의 duty ratio로 만들어 주는 Pulse Width Control Loop Circuit을 설계하였다. 기존의 논문에서는 duty ratio를 변화시키기 위해 각 duty ratio 마다 알맞은 제어 전압을 공급해하는 문제점이 있었다. 본 논문은 제어 전압이 변하지 않고 일정한 전압으로도 duty ratio를 변화시킬 수 있게 하여, 제어 전압 변화에 대한 문제점을 해결하였다. 설계, 시뮬레이션 결과 기존의 논문보다 간단해진 회로 구성으로 더욱 높은 주파수에서 동작하였다. 그리고 settling 시간도 기존의 논문의 l00ns 이상에서 5ns로 줄어듦을 확인할 수 있었다. 본 논문은 3.3V의 공급 전압에서 $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 이용하여 설계하였고 동작 주파수는 500MHz-2GHz였고, settling 시간은 10n이하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.192.1-192.1
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• 2013

본 연구는 기존의 Sputtering 방식에 Modulation 방식을 적용한 Modulated Sputtering System (MSS)에 관한 특성 관찰과 이를 이용한 박막 증착 및 분석에 관한 내용이다. MSS에 인가하는 전압은 pulse on 시간동안 타겟에 음의 전압이 인가되어 sputtering에 의한 박막이 증착되고, pulse off 시간동안에는 양의 전압을 인가하여 증착된 박막에 양이온을 입사시켜 에너지 전달에 의한 박막의 특성을 향상시키고 자한다. MSS에 인가되는 전압과 주파수, 그리고 펄스폭을 변화시키며 전압과 전류, 그리고 기판에 입사하는 이온에너지 특성을 관찰하였다. 또한 MSS를 이용하여 티타늄(Ti), 탄소(C), 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 박막을 증착하였다. 증착된 박막은 a-step, SEM, XRD, AFM, 4 point probe를 이용하여 박막의 두께, 결정성장면, 표면 거칠기, 비저항 등을 분석하였다. Ti 박막에서는 기판에 입사되는 양이온의 에너지가 증가함에 따라 결정 방위면이 (002)에서 (001)로 변화함을 확인하였고 탄소 박막과 AZO 박막의 경우에는 기판에 입사되는 양이온의 에너지 변화에 따라 박막의 전도도를 조절할 수 있음을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.1552-1557
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• 2007

본 논문에서는 밴드갭 기준전압을 이용하여 동작온도에 무관한 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 회로를 설계 하였다. 동작온도에 무관한 PWM 제어기는 BiCMOS 기술을 이용하여 동작온도에 무관한 기준전압과 동작온도에 따라 변화하는 두개의 기준 전압을 이용하였다. 설계되어진 회로는 공급전압 3.3volt를 사용하였으며, 출력 주파수는 1MHz이다. 회로의 시뮬레이션 결과 동작 온도가 $0^{\circ}C$에서 $70^{\circ}C$까지 변화할 때, PWM 제어기의 출력 펄스폭의 변화는 상온에 비하여 +0.86%에서 -0.38%였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.230-230
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• 1999

PDP 미세면방전에서 방전의 전기, 광학적 특성을 이해하기 위해서는 근본적으로 면방전에 대한 기초적인 이해와 연구가 뒤따라야 한다. 따라서 본 연구에서는 일차적으로 방전 전극구조에서 방전 전압변화에 가장 중요한 변수인 방전 유지 전극 간격에 대해서 구동 진동수, 유전체 두께, 전극폭, MgO 보호막 두께 등과 같은 다른 변수들은 고정시켜 놓고 방전기체종류(Ne,Xe, He)와 Xe 기체혼합 비율 (1%, 4%, 7%등)에 따라서 방전유지 전극간격(50, 100, 150, 200$mu extrm{m}$)을 변화시켜가며 실험을 수행했다. 방전 유지 전극의 간격(d)이 좁을수록 방전개시(Vf), 유지 전압(Vs)은 낮아지고 전극간격을 점차로 넓게 하면 방전개시, 유진 전압이 높아지게 되는 즉 전극 간격에 따라서 가스 압력(P)에 따른 파센 최저방전 개시전압과 최저방전 유지전압 특성곡선이 존재함을 알 수 있었다. 또한 단일종의 기체를 사용했을 때 보다는 혼합기체를 사용했을 때 Penning effect에 의해서 방전 전압이 상대적으로 낮아지는 경향을 관측 할 수 있었으며, Xe 기체 혼합 비율에 따른 방전전압 특성 또한 관측하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권11호
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• pp.2260-2266
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• 2009

본 논문에서는 플랜지된 평행평판도파관으로 급전된 슬릿과 이에 평행하고 근접하는 도체 스트립과의 전자기적인 결합문제를 단순화된 근접주사현미 경의 관점에서 연구하였다. 슬릿의 등가어드미턴스, 슬릿근처 도파관 내부 및 외부의 무효전력, TEM파 전압반사계수의 크기 및 위상 등의 변화결과로부터 플랜지된 평행평판도파관의 특성을 조사하였다. 제안된 구조의 근접주사현미경으로서의 성능을 다양한 구조적인 파라미터들(도파관 높이, 슬릿의 폭, 스트립의 폭, 슬릿과 스트립 간격, 슬릿 폭과 도파관 높이의 비)이 TEM파 전압반사계수의 크기와 위상에 미치는 영향을 관찰하여 점검하였다. 슬릿으로부터 스트립의 변위에 따른 전압반사계수의 변화결과로부터 도파관의 높이가 작을 때 보다 높은 주사해상도를 얻을 수 있음과 반사계수의 크기 변화에 비해 위상변화가 훨씬 민감함을 확인하였다.

• 전력전자학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.52-60
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• 2005

펄스 폭 변조 전압원 인버터에서는 전압 명령과 실제 전압 사이에 전압 차 또는 전압 왜곡이 존재한다. 이 전압 왜곡은 동작 온도, DC 링크 전압, 및 상전류 수준에 따라 달라진다. 또한 전압 왜곡은 전류 왜곡, 전동기 토크 맥동, 그리고 제어 성능에 영향을 미친다. 본 논문에서는 펄스 폭 변조 전압원 인버터의 전압 왜곡을 분석하고, 모델기준 적응 시스템(Model Reference Adaptive System)을 기반으로 하여 영구자석 동기 전동기의 파라미터 변화에 강인한 새로운 실시간 전압 왜곡 관측 기법을 제안한다. 그리고 제안된 전압 왜곡 관측 및 보상 기법에 대한 모의실험 및 실험을 통해서 그 효용성을 증명한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.449-449
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• 2012

플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 가격 경쟁력이 뛰어나고 빠른 반응 속도를 기반으로 한 생생한 화질이 구현 가능한 장점에 힘입어 대형 평판 디스플레이 시장에서 주도적인 위치를 점하여 왔다. 이러한 특징을 갖고 있는 PDP는 최근 성장세를 보이고 있는 PID (Public Information Display) 시장에서도 그 효력을 발휘할 것으로 보인다. 따라서 기존의 HD급이나 Full HD급 미소 방전셀이 아닌 대면적 방전셀을 적용한 PDP 의 방전 특성에 대한 연구가 중요할 것으로 생각된다. 본 논문에서는 ITO 전극 간격 및 전극 폭, 격벽의 폭 및 높이 등 PDP 의 방전 특성에 영향을 미치는 요소들의 수치를 변화시켜 가며 대면적 방전셀을 적용한 PDP의 기본적인 방전 특성을 살펴보고자 하였다. 이를 바탕으로 대면적 방전셀 PDP에서 고효율을 달성하기 위해 필요한 인자의 설계 방향을 제시해보고자 하였다. 본 논문에서 연구된 PDP는 0.862.58 mm의 셀의 크기를 갖도록 설계하였다. 앞서 제시한 바와 같이 구조 변수의 최적화를 위하여 ITO 전극 간격은 80~1, 전극의 폭은 250~750로 다양하게 주어 상판을 제작하였고 격벽의 폭은 100~200, 높이는 150~300까지 다양한 크기를 가지는 하판을 제작하여 박막 증착, 합착, 가열 배기 등의 과정을 통하여 최종적으로 2인치 크기의 테스트 패널을 제작하여 각 패널별 전압 변화, 휘도, 효율 특성 등이 분석되었다. 실험 결과 격벽 폭 150, 높이는 300일 때 negative glow 방전이 안정적으로 형성될 수 있었음을 확인하였고 최적화된 격벽 수치를 기반으로 다양한 ITO 전극 간격 및 전극 폭을 적용한 패널의 방전 특성을 분석할 수 있었다. 이러한 일련의 실험 결과들을 기반으로 향후 대면적 방전셀의 방전 전압을 낮추고 발광 효율을 개선하는데에 있어서 3전극의 면방전 구조를 가지는 PDP 의 셀을 설계하는데에 있어서 올바른 방향을 마련할 수 있을 것이라 생각된다.