• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.2
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• pp.401-406
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• 2015

The change of subthreshold swing for channel length of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed. The subthreshold swing is the important factor to determine digital chracteristics of transistor and is degraded with reduction of channel. The subthreshold swing for channel length of the DGMOSFET developed to solve this problem is investigated for channel thickness, oxide thickness, top and bottom gate voltage and doping concentration. Especially the subthreshold swing for asymmetric DGMOSFET to be able to be fabricated with different top and bottom gate structure is investigated in detail for bottom gate voltage and bottom oxide thickness. To obtain the analytical subthreshold swing, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. As a result, subthreshold swing is sensitively changed according to top and bottom gate voltage, channel doping concentration and channel dimension.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.8
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• pp.96-101
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• 2007

Gas Discharge Tubes (GDTs) are widely used as surge protectors for communication applications due to their small internal capacitance. In these days, however, they are mostly used in combined configurations, because the sparkover voltage required to initiate the discharge process in the GDTs and the time taken for arc formation process can be large enough to damage to sensitive circuits. For GDTs with a considerably high initial residual voltage, we should limit the peak voltage using a TVS or filter. We made a hybrid SPD circuits of common-mode type and differential-mode type with the filter using common-mode choke. Also, we applied lightning impulse voltage and ring wave voltage which frequency bandwidth are different each other and verified the characteristics of hybrid SPD circuits according to waveshapes. We describe how the applied SPDs operate in protection process steps with the actual data obtained from the residual voltage measurement at each step. The experiment results show that the surge voltage reduction with the choke coil is more effective in differential-mode circuit than in common-mode circuit.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.427-430
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• 2001

Computers and automated manufacturing processes in industry are very susceptible to voltage sags and surges. The need for greater power reliability makes the end-users to use the uninterruptible power supply and other electronic power conditioning means to maintain the stable voltage. In this paper, a single-phase buck ac-ac converter for Custom Power Applications is presented. The presented converter uses IGBT's as switching module and maintains the stable voltage through PWM technology in spite of the input voltage sags and load rejections. In this paper, the operation characteristics of the power converter at steady state are illustrated using PSPICE simulations.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07b
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• pp.1117-1119
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• 2003

기존의 사다리꼴형 브러시리스 직류 전동기(BLDCM)의 센서리스 제어는 전류전환 시점을 알기 위하여 홀 센서 대신 단자 전압과 중성점 전압을 이용한다. 하지만, 속도 제어를 위해서는 엔코더나 레졸바와 같은 센서를 사용해야한다. 2극기 BLDC 모터의 경우 단자전압을 이용한 위치정보는 모터 한 회전 당 12번의 신호가 출력된다. 엔코더 혹은 레졸바를 제거하고, 이 신호를 이용하여 속도 정보를 만들 경우, 속도를 만들기 위한 위치 정보의 펄스 간격이 넓게 되어 순시 속도를 만들지 못하게 된다. 이로 인하여 실제 속도의 변화를 민감하게 추정하지 못하게 된다. 따라서 이렇게 만들어진 속도 정보는 실제 시스템에서 사용할 수 없게 된다. 이러한 문제를 해결하려고 본 논문에서는 순시 속도 관측기를 사용한다 단자전압과 중성점 전압에 의한 위치정보를 가지고 순시 속도 관측기를 속도 제어 주기보다 빠르게 갱신함으로써 순시 속도를 예측한다. 또한 이 순시 속도는 속도 제어기로 피드백 되어 속도 센서리스를 실현한다. 이에 대한 타당성은 시뮬레이션을 통해 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.11a
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• pp.152-153
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• 2019

본 논문에서는 캐패시터-분할 타입 능동전력 디커플링 회로를 위한 전압제어 방법을 제안한다. 능동전력 디커플링 회로는 시스템에 필요한 커패시턴스를 낮추어 전해커패시터를 필름 커패시터로 대체하여 시스템 수명과 전력밀도를 높일 수 있는 장점이 있다. 그러나 일반적으로 오픈 루프 제어방식의 전압제어 방식을 사용하여 파라미터 값의 변화에 민감하다는 단점을 가지고 있다. 이에 본 논문에서는 커패시터-분할 타입 능동전력 디커플링 회로를 위한 폐루프 제어 방법을 제안한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2001.05a
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• pp.269-272
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• 2001

실리콘 마이크로머시닝 기술과 바이폴라 공정으로 집적화된 압력센서를 제작하고 동작특성 평가를 수행하였다. 센서부 보상파라미터를 추출하였고 트리밍 공정을 통하여 출력전압의 보상을 수행하였다. 센서 특성은 압저항 위치, 마스크 정렬 오차, 다이어프램 정밀두께제어 정도, 보호막의 과도식각 정도 등에 의하여 민감하게 좌우됨을 알 수 있었다. 웨이퍼별 샘플추출을 통하여 센서부 감도는 평균 0.653mV/kPa, 감도의 온도계수는 -2078.8ppm/℃, 옵셋 전압은 30.78mV, 옵셋전압의 온도계수는 32.11㎶/℃로 측정되었다. 추출된 샘플의 다이어프램 두께오차는 27±2.5㎛였다. 센서부 특성평가 결과를 통하여 신호처리회로의 옵셋 및 스팬보상, 온도보상을 위한 트리밍 공정을 수행한 결과 개발사양을 만족하는 결과를 얻을 수 있었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.1
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• pp.99-110
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• 1992

본 논문은 고정된 바늘모양의 공기물에 의하여 형성된 불평등전계중에서 뇌임펄스전압에 대한 SF$_{6}$가스의 절연특성과 전구방전진전에 관한 것이다. 하전입자의 이동에 의하여 외부회로에 흐르는 전도전류의 측정방법에 대하여 기술하고 0.05~0.3[MPa]의 압력범위에서 섬락전압-압력특성을 측정하였으며 분류기와 광전자증배관을 사용하여 전구방전의 순시적 진전과정을 관측하였다. 전구방전은 돌기물의 선단에서 발생한 초기스트리머에 의하여 발단되며 정극성의 경우 섬락전압은 국부고전계에 매우 민감하며 리이더메카니즘으로 진전됨이 확인되었다. 전구방전현상의 극성의존성은 공간전하의 영향이 지배적이었다. 더불어 본 연구에서 제안된 전구전류의 측정기법은 불평등전계중에서의 전자사태전류, 코로나방전과 공극내에서의 부분방전의 측정에 매우 유용하게 적용될 것이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.11a
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• pp.51-52
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• 2016

본 논문은 속도 운전 영역 확장을 위한 자동 진상각 제어 알고리즘을 제안한다. 속도 운전 영역 확장을 위하여 상전류의 위상을 역기전력의 위상에 대하여 진상으로 제어한다. 기존의 진상각 제어 방식은 속도 - 진상각 참조표를 이용하거나 추가적인 하드웨어를 구성하여 제어한다. 참조표를 이용한 제어 방식의 경우 전동기의 특성에 매우 민감하며 운전점이 변경될 경우 제어 특성이 현저히 나빠지는 단점이 있으며, 추가적인 하드웨어를 이용하는 경우 전동기의 제정수에 의존적임과 동시에 제어 시스템의 부피 및 비용 증가와 같은 문제를 야기시킨다. 본 논문은 유효 전압의 크기와 전류 제어기의 궤환 전압을 이용하여 필요한 진상각을 계산한다. 본 논문에서 제안하는 방식의 유용함은 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 타당함을 검증하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.7
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• pp.1657-1662
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• 2014

In this paper, the impact of substrate bias($V_{BS}$) on the zero capacitor RAM(Z-RAM) in n-channel junctionless multiple gate MOSFET(MuGFET) has been analyzed experimentally. Junctionless transistors with fin width of 50nm and 1 fin exhibits a memory window of 0.34V and a sensing margin of $1.8{\times}10^4$ at $V_{DS}=3.5V$ and $V_{BS}=0V$. As the positive $V_{BS}$ is applied, the memory window and sensing margin were improved due to an increase of impact ionization. When $V_{BS}$ is increased from 0V to 10V, not only the memory window is increased from 0.34V to 0.96V but also sensing margin is increased slightly. The sensitivity of memory window with different $V_{BS}$ in junctionless transistor was larger than that of inversion-mode transistor. A retention time of junctionless transistor is better than that of inversion-mode transistor due to low Gate Induced Drain Leakage(GIDL) current. To evaluate the device reliability of Z-RAM, the shifts in the Set/Reset voltages and current were measured.

• Journal of the Korean Solar Energy Society
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• v.32 no.spc3
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• pp.289-294
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• 2012

In recent years, understanding the dynamics of DC distribution system has become critically important due mainly to the increasing needs for the interconnection of DC distributed generators and the (DC-based) electric vehicle (EV) charging systems. In this paper, the characteristics of the DC grid system connected to the compact proton exchange membrane fuel cell (PEMFC) has been studied. In particular, the voltage and current transient phenomena were measured by varying the load of the DC grid system. Also, the voltage and current ripple were measured at the different load conditions. Our experimental results clearly manifested that the study contributes to the establishment of fundamental method to characterize the small DC grid system including distributed generation.