• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10b
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• pp.518-519
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• 2008

소수력 발전설비(1000kw 3대)가 연결되어 있는 22.9kV 선로상에서 순간적인 지락사고가 발생한 경우에 계통 보호계전기는 설비보호차원에서 지락과전류 보호요소에 대해 재폐로시간을 고려하지 않고 0.5초이내에 트림이 되도록 설정되어 있어 대부분의 선로고장에 대해서 민감하게 동작하고 있다. 2차례의 트립원인을 분석한 결과 순간적인 계통전압의 상승이 관찰되어 재기동하여 병입한 후 동일상황이 발생하는 강매에서 역률설정치를 낮추어 계통전압과 평형을 맞춤으로 해서 트립을 방지할 수 있었으며, 소수력의 자동전압조정기 Fault에 의한 정지원인 분석한 결과이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2007.11a
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• pp.82-85
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• 2007

전압과 전류에 민감한 장치설비에 대해 통합적으로 전력품질을 개선할 수 있는 3상 UPQC(Unified Power Quality Conditioner)는 전압의 변동을 보상하는 직렬형 인버터와 전류의 고조파를 보상하는 병렬형 인버터로 구성된다. 본 연구의 주안점은 종전의 3상 UPQC의 직렬형 인버터와 병렬형 인버터에 Z-소스 토폴로지를 적용하는 것이다. Z-소스 인버터의 shoot-through제어를 위해서는 simple boost control을 사용하였으며 shoot-through제어에 의하여 Z-소스 네트워크의 직류전압이 제어 가능하였다. 과도상태와 정상상태에서 전압과 전류 조건에 대한 PSIM시뮬레이션에 의해 제안된 시스템의 타당성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.11a
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• pp.181-182
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• 2012

마이크로그리드 계통 연계 운전시 분산 발전은 main grid와 함께 연계되어 부하의 수요를 담당한다. 하지만 계통사고나 의도적인 제어 전략으로 인해 분산 발전은 계통과 분리되어 단독으로 부하의 수요를 담당하게 된다. 이때 분산발전을 기반으로 한 인버터는 계통 연계 운전 시 하나의 전류원으로서의 역할을 하다가 시스템이 단독 운전 모드로 전환시 전압원으로 가정되게 된다. 이러한 특성으로 인해 단독운전 모드시의 인버터 병렬 운전은 시스템 파라미터와 라인 임피던스에 매우 민감해진다. 따라서 본 논문에서는 단독운전 모드시 불평형 저전압 마이크로그리드에서 대두되는 문제들에 대해 분석하고 가상 인덕터와 기준 전압 조정을 활용한 개선된 드룹 방식의 적용을 통해 이를 해결하고자 하였다. 제안된 이론은 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.460-463
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• 2004

본 논문은 고에너지 방사선 검출을 위한 흔합형 구조의 방사선 센서를 제작, 반응 특성을 평가하였다. 먼저, 스크린 인쇄법을 이용하여 형광체 필름을 제작하였으며, 발광스펙트럼(PL, Photoluminescence) 및 잔광 시간(decay time) 측정을 통하여 형광체의 발광 특성을 조사하였다. 제작된 혼합구조의 방사선 센서는 $2{\mu}m$ 두께의 $HgI_2$와 $150{\mu}m$ 두께의 형광체 필름으로 제작되었으며, 면적은 $2\;cm\;{\times}\;2\;cm$이다. 방사선에 대한 전기적 검출 신호의 특성을 조사하기 위해 인가전압에 따른 암전류 및 방사선민감도, 선량에 따른 검출신호를 측정하였다. 측정결과, 제작된 $HgI_2$ 필름은 방사선에 의해 형광체에서 방출된 가시광 파장을 잘 흡수하였으며, 진단영역의 저에너지 방사선에 의해 직접 전기적 신호를 발생시켜 높은 방사선 민감도를 보였다. 뿐만 아니라, 인가전압에 대해 $10\;pA/mm^2$이하의 낮은 암전류를 가졌으며, 넓은 조사선량에서 우수한 선형성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.271-271
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• 2014

본 연구에서는 최근 다양한 전자 소자로써의 연구가 진행되고 있는 그라핀을 SiO2/Si 기판 위에 전자빔 식각(Electron-Beam Lithography)을 이용하여 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자를 형성하고 가스 유입이 가능한 진공 Probe Measurement System을 이용하여 금속 전극과 그라핀 간의 접촉저항 (Rc) 및 길이가 다른 채널저항(Rch)를 구하고, 채널 길이, 가스 유량, 온도, 게이트 전압에 따른 I-V 변화를 측정함으로써, 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자의 가스 센서로서의 가능성을 연구하였다. 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자는 전자빔 식각(Electron-Beam Lithography)에 의해 패턴을 제작하고 Evaporator를 이용하여 전극을 증착 하였다. 소자의 소스 (Source)와 드레인 (Drain)은 TLM (Transfer Length Method)패턴을 이용하여 인접한 두 개의 전극간 범위를 변화시키는 형태로 제작함으로써 소스-드레인간 채널 길이가 다르게 하였다. 이 때 전극의 크기는 가로, 세로 각각 $20{\mu}m$, $40{\mu}m$이며 전극간 간격은 $20/30/40/50/60{\mu}m$로 서로 다르게 배열 하였다. 제작된 그라핀 소자는 진공 Probe Measurement System 내에서 게이트 전압(VG)를 변화시킴으로써 VG 변화에 따른 소자의 특성을 평가하였는데, mTorr 상태의 챔버 내로 O2 가스를 주입하여 그라핀의 Dangling bond 및 Defect site에 결합 된 가스로 인한 전기적 특성의 변화를 측정하고, 이 때 가스의 유량을 50 sccm에서 500 sccm 까지 변화시킴으로써 전기적 특성 변화를 측정하여 센서 소자의 민감도를 평가하였다. 또한, 서로 다르게 배열한 소스-드레인 간의 채널 길이로 인하여 채널과의 접촉 면적에 따른 센서 소자의 민감도 또한 평가할 수 있었다. 그리고 챔버 내 온도를 77 K에서 400 K까지 변화시킴으로써 온도에 따른 소자의 작동 범위를 확인하고 소자의 온도의존성을 평가하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.36 no.2
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• pp.231-236
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• 2012

This work presents the application of the DFSS (Design for Six Sigma) methodology to optimizing both the linearity and the sensitivity of the output voltage of a Hall-effect rotary position sensor. To this end, the dimensions and relative positions of a permanent magnet with reference to a Hall sensor are selected as the design factors for a full factorial design. In order to evaluate the output voltage of the rotary position sensor at each run in the experimental design, analytical solutions to the magnetic flux density were obtained using the Biot-Savart law and the relations between the magnetic flux density and the output voltage intrinsic to a Hall sensor. Through measurements of the improved output voltage of the rotary position sensors manufactured using the optimized design factors, the proposed method is shown to be simple and practical.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.22 no.5
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• pp.13-20
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• 2008

Power quality problems such as momentary interruptions and voltage sags do not great influence on loads at past. However, the interests in power quality problems increase as the use of sensitive loads with microprocessor like computers increases recently. Accordingly, power system reliability research focusing to sustained interruption and momentary interruption partially needs more accurate evaluation methods including momentary and instantaneous problems. That is, many sensitive loads being tripped by voltage sags result in interruption costs. In this paper, new reliability worth evaluation method is presented considering voltage sags. We calculated the magnitude of voltage sags using fault studies and the duration of voltage sags using the trip time of protective relays for each fault. Moreover, we includes the customer interruption cost resulted from sensitive load trip by voltage sags. Through case studies, we evaluate the effects of voltage sags for permanent faults.

• Journal of IKEEE
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• v.22 no.1
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• pp.74-79
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• 2018

We analyzed the relationship between center potential and subthreshold swing (SS) of Junctionless Cylindrical Surrounding Gate (JLCSG) and Junctionless Double Gate (JLDG) MOSFET. The SS was obtained using the analytical potential distribution and the center potential, and SSs were compared and investigated according to the change of channel dimension. As a result, we observed that the change in central potential distribution directly affects the SS. As the channel thickness and oxide thickness increased, the SS increased more sensitively in JLDG. Therefore, it was found that JLCSG structure is more effective to reduce the short channel effect of the nano MOSFET.

• Journal of IKEEE
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• v.18 no.1
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• pp.128-133
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• 2014

This paper suggest hysteretic buck converter using thermistor that can improve output ripple voltage according to temperature to improve. In case of high temperature where circuit is sensitive, it decides two comparable voltages high. And, in case of non-high temperature where circuit is stable, it decides two comparable voltages low, then it minimizes output ripple voltage. simulation result what is included in this paper describe that output ripple voltage is reduced more than 30mV by using suggested converter, and load regulation was 0.011mV/mA. Suggested circuit is suitable to power managing circuit that operate digital circuit requiring fast response and low power.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.353-353
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• 2012

채널 도핑이 다른 비대칭 구조를 갖는 NMOSFET의 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), maximum transconductance (GM) 및 threshold voltage (VT)와 같은 다양한 변수를 측정하였고 DAHC (Drain avalanche hot carriers) 스트레스에 따른 특성을 추출하였다. 전기적 특성은 반도체 파라미터 분석기를 사용하여 Probe system에서 진행되었다. 문턱전압은 Normal channel dopoing의 경우 0.67 V, High channel doping의 경우 0.74 V로 High channel doping된 소자가 상대적으로 높은 문턱전압을 보였다. Swing의 경우 Normal channel doping의 경우 87 mV/decade, high channel doping의 경우 92 mV/decade으로 High channel doping된 소자가 더 높은 Swing값을 보였다. 스트레스 인가 후 두 소자 모두 문턱전압이 증가하고 ON-current가 감소하였다. High channel doing된 소자의 경우 Normal channel doping된 소자보다 문턱전압의 증가율과 Current 감소율 측면 모두 스트레스에 더 민감하게 반응하였다. 문턱전압이 서로 다른 비대칭 NMOSFET의 핫 캐리어 특성을 비교, 분석결과 스트레스 인가에 따라 채널 도핑이 높아질수록 드레인과 게이트간의 더 높은 전계가 생겨 게이트 산화막과 Si/SiO2 계면의 손상이 더 발생하였다. 따라서 채널 도핑이 상대적으로 높은 트랜지스터가 핫 캐리어에 의한 계면 트랩 생성 비율이 더 높다는 것을 알 수 있다.