• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.54 no.4
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• pp.91-98
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• 2017

Electrical impedance tomography is a nondestructive imaging technique to reconstruct unknown conductivity distribution based on applied current data and measured voltage data through an array of electrodes attached on the periphery of a domain. In this paper, an inverse method based on truncated singular value decomposition is proposed to solve the inverse problem with the generalized Tikhonov regularization and to reconstruct the conductivity distribution. In order to reduce the inverse computational time, truncated singular value decomposition is applied to the inverse term after the generalized regularization matrix is taken out from the inverse matrix term. Numerical experiments and phantom experiments have been performed to verify the performance of the proposed method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.192.2-192.2
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• 2015

본 논문에서는 사파이어 기판 표면에 레이저 처리를 통해 격자 구조(레이저 격자 구조)를 제작하고 InGaN/GaN 발광다이오드(Light-Emitting Diodes, LED) 박막을 성장 한 시료에서 Bowing 특성 변화를 논의한다. 그리고 Bowing 정도에 따른 InGaN/GaN LED의 광학 및 전기적 특성을 Photoluminescence (PL)와 Electroluminescence (EL) Mapping 법을 이용하여 상호 비교 분석하였다. 2-인치 사파이어 기판 상에 레이저 격자 구조의 간격은 1 mm (GS1-LED), 2 mm (GS2-LED), 3 mm (GS3-LED) 로 제작하였으며, 격자 구조가 없는 LED를 기준 시료(C-LED)로 사용하였다. GS1-LED, GS2-LED, GS3-LED의 Bowing 정도는 C-LED 대비 각각 8%, 7.6%, 6.4% 감소하였다. PL Mapping 결과, GS-LED의 발광 파장의 분포 균일도가 C-LED 보다 개선되는 것을 확인하였고, 파장이 C-LED 대비 단파장으로 이동하였다. 또한, GS-LED시료의 PL 강도는 C-LED보다 증가하였고, 특히 GS2-LED의 PL 강도는 C-LED 대비 6.9% 증가 하였다. EL mapping 결과, GS-LED 발광 파장의 분포 균일도는 PL 결과와 유사하게 측정되었으며, 2인치 기판 전체 면적에 대한 GS-LED의 주요 동작전압 및 출력 전력 수율이 C-LED대비 현저히 개선되었다. 사파이어 기판 표면에 제작한 레이저 격자 구조에 따른 InGaN/GaN LED의 광학적, 전기적 특성을 Bowing의 개선과 응력 완화 현상으로 논의 할 예정이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.200.1-200.1
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• 2015

Charge trap flash (CTF) 메모리 소자는 기존의 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 소비 전력이 적으며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 그러나 CTF 메모리 소자에서도 메모리 셀의 크기가 작아짐에 따라 셀 사이의 간섭 효과를 무시할 수 없다. 인접 셀 간의 간섭현상은 측정 셀의 문턱전압을 예측할 수 없게 변화시켜 소자 동작의 신뢰성을 낮추고 성능을 저하시킨다. 본 논문에서는 셀 사이의 간섭을 줄이고 소자의 성능을 향상시키기 위해 charge trap 층에 금속 공간층을 삽입한 CTF메모리 소자의 전기적인 특성에 대해 연구하였다. 금속 공간층을 갖는 CTF 메모리 소자는 기존 CTF 메모리 소자의 트랩층 양 측면에 절연막과 금속 공간층을 증착시켜 게이트가 트랩층을 감싸는 구조를 갖는다. 인접 셀 사이에 발생하는 간섭 현상과 전계 분포를 분석하였다. 프로그램 동작 시CTF 메모리 소자 내에 형성되는 전계의 분포와 크기를 계산함으로 금속 공간층이 인접한 셀에서 형성된 전계를 차폐시켜 셀 간 간섭 현상을 최소화하는 것을 확인하였다. 이러한 결과는 인접 셀 간의 간섭현상을 최소화하면서 소자 동작의 신뢰성이 향상된 대용량 메모리 소자를 제작하는데 도움을 줄 수 있다.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.3 no.1
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• pp.269-277
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• 1998

The TSDC(Thermally Stimulated Depolarization Current) measurement were carried out in the temperature range $30{\sim}500^{\circ}C$. We observed the anomalous two peaks that have a thousand times longer relaxation time than that of the space charge. It seems that the origin of the two peak are due to the electron trapping effect and to the adsorption of the vacancies at silver electrode.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.18 no.2
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• pp.23-28
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• 2004

In EIT, various image reconstruction algorithms have been used in order to compute the internal resistivity distribution of the unknown object with its electric potential data at the boundary. Mathematically the EIT image reconstruction algorithm is a nonlinear ill-posed inverse problem. In this paper, a SPSA approach is proposed for the solution of the EIT image reconstruction. Results of numerical experiments of EIT solved by the SPSA approach are presented and compared to that obtained by the modified Newton-Raphson(mNR) method.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.24 no.4
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• pp.177-184
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• 2010

This paper presents the electric field analysis for 2[MVA] mold transformer using finite element method. The electric field was calculated for the voltage applied to the mold transformer without voids in the insulating material. Then, it was analysed the maximum electric field when the voids was in the insulating materials. And the starting voltage of partial discharge was predicted due to the voids. The effects of voids in epoxy resin on the electric field were investigated for different sizes, shapes, positions and arrangements of voids.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.25 no.11
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• pp.1286-1293
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• 1988

A general closed form expression for the channel length of the self-aligned double-diffused MOS transistor is obtained from the 2-dimensional Gaussian doping profile. The proposed model in this paper is composed of the doping concentration of the substrate, the final surface doping concentration and the vertical junction depth of the each double-diffused region. The calculated channel length is in good agreement with the experimental results. Also, the optimum channel structure for the prevention of the channel puncthrough is obtained by the averaged doping concentration in the channel region. A correspondence between the results of device simulation of channel punchthrough and the estimations of simplified model is confirmed.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1195-1196
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• 2008

최근, 친환경 물질이면서 광유에 비하여 발화점이 높은 식물성절연유에 대한 관심이 고조되고 있으며 식물성절연유변압기의 사용이 미주 등 해외시장에서 급격하게 증가되고 있다. 본 연구에서는 송전급 식물성절연유변압기 개발을 위하여 액체절연 매질의 고전압 시험법을 검토하고 전극 간 이격 거리에 따른 절연파괴 시험을 통하여 식물성절연유의 절연성능을 평가하였다. Weibull 분포와 전계해석을 이용하여 2% 절연파괴전압을 산출하고 전계분포를 계산하여 기존의 변압기 절연매질인 광유와 비교하였다. 본 연구 결과는 향후 식물성 절연유변압기 제작에 필요한 설계 자료로 활용될 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.420-420
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• 2010

AC PDP에서 유전체 보호막으로 사용되는 MgO 박막은 높은 이차전자방출계수($\gamma$)로 인해 방전전압을 낮춰주는 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 증가시키기 위해 MgO 의 Energy Band Structure 규명이 중요한 연구 주제가 되고 있다. MgO의 이차전자방출계수($\gamma$)는 Auger 중화 이론에 의해 방출 메커니즘이 설명이 되고, 그 원리는 다음과 같다. 고유의 이온화 에너지를 가진 이온이 MgO 표면에 입사 되면, Tunneling Effect에 의해 전자와 이온 사이에 중화가 일어나고, 중화가 되고 남은 에너지가 MgO Valance Band 내의 전자에게 전달되면 이때 남은 에너지(${\Delta}E$)가 MgO의 일함수(Work function) 보다 크게 되면 이차전자로 방출된다. 본 실험 에서는 $\gamma$-FIB System을 이용하여 결정 방향이 (100), (110), (111)을 갖는 Single Crystal MgO에 이온화 에너지가 24.58eV인 He Ion source를 주사 하였을 때 Auger self-convolution을 통해 이차전자의 운동 에너지 분포를 구하고, 이를 통해 MgO 내의 Energy Band Structure를 실험적으로 측정하였다. 이를 통해 MgO Single Crystal의 일함수 및 Defect Level의 분포를 확인하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.7
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• pp.1281-1286
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• 2006

We have used the silicon-carbide(4H-SiC) instead of conventional silicon materials to develope of the planar junction barrier schottky rectifier for ultra high breakdown voltage(1,200 V grade). The substrate size is 2 inch wafer, Its concentration is $3*10^{18}/cm^{3}$ of $n^{+}-$type, thickness of epitaxial layer $12{\mu}m$ conentration is $5*10^{15}cm^{-3}$ of n-type. The fabticated devices are junction barrier schottky rectifier, The guard ring for improvement of breakdown voltage is designed by the box-like impurity of boron, the width and space of guard ring was designed by variation. The contact metals to rectify were used by the $Ni(3,000\:{\AA})/Au(2,000\:{\AA})$. As a results, the on-state voltage is 1.26 V, on-state resistance is $45m{\Omega}/cm^{3}$, maximum value of improved reverse breakdown voltage is 1180V, reverse leakage current density is $2.26*10^{-5}A/CM^{3}$. We had improved the measureme nt results of the electrical parameters.