본 연구는 STATCOM을 이용하여 고속철도 급전 계통의 전압 변화를 보상하는 기법에 관한 것이다. 기존의 PI 제어기를 이용한 제어기법를 대신하여 본 연구에서는 퍼지제어기(FLC) 적용을 제안하며, 퍼지제어기와 PI제어기의 제어결과를 비교한다. 퍼지제어기를 통해 내부 파라미터 변동이나 외부의 환경 변화 등 계통의 변화시에 정상상태 편차, 정상상태 도달 시간 등을 최소화 시킬 수 있음을 보인다.
본 논문에서는 새로운 선형 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기(OTA)를 제안한다. OTA의 선형성 향상을 위해 이동도 보상 회로와 공통모드 전압 조절기법을 적용했다. 이동도 보상 회로는 각각 트라이오드와 서브스레쉬홀드 영역에서 동작하는 트랜지스터의 경로를 연결하여 이동도 감소를 보상한다. 공통모드 전압 조절기법은 공통모드 피드백(CMFB)과 공통모드 피드포워드(CMFF)로 구성된다. 제안된 기술은 넓은 입력전압 스윙 범위에서 향상된 Gm의 선형성을 나타낸다. 제안된 OTA는 ${\pm}1.1V$의 입력전압 스윙 범위 내에서 ${\pm}1%$의 Gm변화율을 갖고 총고조파 왜곡(THD)은 -73dB 이하이다. 제안된 OTA는 $0.35{\mu}m$ n-well CMOS 공정에서 공급전압이 3.3V를 갖도록 설계되었다.
PMSM 구동을 위한 PWM 인버터에서는 DC 링크의 단락으로 인한 스위칭 소자의 파괴를 방지하기 위하여 인버터에 데드타임을 적용하며, 이는 인버터의 출력 전압과 전류 왜곡, 토크 리플을 일으키는 원인이 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 파라미터 변화에 무관한 데드타임 보상기법이 제안되며 제안된 기법의 타당성이 시뮬레이션을 통해 입증된다.
본 논문에서는 3상 4선식 전력계통에서 새로운 전압제어 방식의 역률보상시스템을 제안한다. 제안하는 전압제어 방식의 역률보상시스템은 슬라이닥을 이용하여 가변되는 출력전압을 커패시터에 인가하는 것으로 보상에 필요한 무효전력을 생성한다. 기존의 커패시터 뱅크 방법을 이용하는 역률보상시스템은 선택 가능한 커패시터 용량이 한정되어 있어 부하 상황에 따라 역률보상 오차가 발생하지만, 제안 시스템은 변화하는 부하를 추종하여 오차 없이 역률을 100%까지 보상할 수 있다. 본 논문에서는 3상 4선식 전력계통에서 전압제어 방식의 역률보상시스템과 제어 알고리즘을 개발하였고 모의실험과 실험을 통해 성능을 확인한다. 제안 시스템을 수용가에 설치할 경우 역률 개선을 통한 전기료 감소, 선로손실 감소, 부하 용량 증대 효과가 기대된다. 특히 발전 사업가 측에서는 역률 보상 성능의 향상으로 송전 여유 용량 확보와 발전량 절감이 가능하다.
삼중탐침법은 세 개의 탐침으로 플라즈마의 전자온도와 밀도를 구할 수 있는 정전탐침법이다. 삼중 탐침은 빠른 시간에 플라즈마 변수를 구할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 따라서 펄스파워로 구동하는 플라즈마나 시간에 대해 변화가 심한 플라즈마에서 주로 사용된다. 하지만 RF전원으로 구동되는 플라즈마의 경우에는 RF교란과 잡음에 의해서 측정값에 왜곡이 일어난다. 또한 바이어스 전압에 따라 측정값에 차이가 나타나게 된다. 유도 결합 플라즈마에서 RF교란을 줄였을 경우에 대한 효과를 알아보기 위해 RF보상 삼중탐침을 통하여 RF 잡음 및 교란을 줄이고, 적당한 바이어스 전위를 구했다. RF보상 삼중탐침의 부유전압을 재어 Self-bias가 줄어듦을 알 수 있었고, 전자온도와 밀도의 측정값이 단일탐침 측정값과 비슷하게 나옴을 알 수 있었다.
전원품질은 전원의 전압, 전류 및 주파수 성질을 나타낸다. 이러한 품질은 전력시스템에 대한 광범위한 전력외란이나 신호간섭 등에 의해 변화한다. 전력반도체에 의한 인버터, 컨버터, 제어기 등의 기술이 다양해지고 그 응용범위가 확대됨에 따라, 전원계통에 고조파에 의한 전력품질에 오염이 많이 발생한다. 전력전자기술이 응용하는 다양한 전력기기 들은 고조파 발생원이 되어, 전력에너지를 사용하는 모든 분야에서 전력품질 문제가 대두되었고 이 문제를 해결하기 위해 많은 노력을 기울여왔다. 본 논문에서는 무효전력보상과 고조파전류를 보상하기 위한 3상 능동전력필터의 모델을 제안한다. 제안된 시스템은 PWM 전압원 인버터의 구조로 되어있으며 두 가지의 특징을 가지고 있다. 첫째는 고정된 주파수로 동작한다는 점이며 둘째는 비선형 부하 하에서 부하전류의 무효성분을 검출 및 계산을 하지 않고 무효전력과 고조파전류를 보상할 수 있다는 점이다. 또한 시간영역에서 제어를 함으로써 간단하게 제어기를 설계할 수 있다.
인버터의 전압 변조방식으로 널리 쓰이는 삼각파 캐리어 PWM 방식은 기준전압이 캐리어의 최대치에 가까워지면 데드타임 보상의 영향으로 직류전압을 최대로 이용할 수 없다. 따라서 데드타밍이 없는 이상적인 인버터의 경우에 비교하여 데드타임 효과 만큼 전압이용율이 낮아진다. 이를 해결하기 위한 방법으로 제시된 것이 이중 캐리어 PWM방식으로 데드타임에 관계없이 전압이용율을 최대로 할 수 있다. 그러나 기준전압이 캐리어의 최대치에 가까운 구간에서의 기준전압의 변화 패턴에 따라 데드타임 확보되지 못하는 경우가 생기고, 따라서 기준전압을 변화시킬 때 이러한 경우를 회피하기 위한 주의를 필요로 한다. 본 논문에서는 기준전압 변화 패턴에 제약이 없는 새로운 이중 캐리어 PWM 방식과 이의 실제적인 설계에 관하여 제시한다.
기존의 고정 부하 중심점 방식의 ULTC 운전제어전략은 계절별 부하 변화에 따른 전압보상을 효율적으로 실현하기 어렵다. 따라서 가변 부하 중심점 방식의 ULTC 운전제어전략들이 제안되는데, ANN이나 Fuzzy 멤버쉽 함수를 설계하는 문제는 고도의 전문적 설계경험과 상당한 시간을 요구한다. 따라서 본 연구에서는 적용이 쉬운 최소거리 판별기법을 적용, 부하변화에 따라 ULTC의 운전 부하 중심점을 이동시켜, 전압보상 범위를 개선시킬 수 있는 디지털 ULTC 운전 제어전략을 제안한다.
본 논문에서는 자동 온도 보상 기법을 사용한 on-chip CMOS 내부 전원 전압 발생기를 제안하였다. PMOSFET의 경우, 게이트 바이어스 저압에 따라 온도의 변화에 대한 소오스-드레인간 전류 특성이 달라진다. 제안된 내부 전원 전압 발생기는 서로 다른 게이트 바이어스 전압에 두 개의 PMOSFET를 놓고, 이의 온도에 대한 서로 상이한 소오스-드레인간 전류 특성을 이용하여 내부 전원 전압 발생기 전체의 온도 의존도를 줄였다. 제안된 회로는 동부-아남 $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작되었으며 측정 결과로 내부 전원 전압은 $-10^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 $-0.49mV/^{\circ}C$의 온도 의존도를 보였으며 $2.2V{\sim}4.0V$의 동작 범위에서 외부 전압에 대하여 내부 전원 전압의 변화는 6mV/V를 나타내었다. 전체 전류소모는 $1.1{\mu}A@2.5V$로 저전력을 구현할 수 있었다.
본 논문에서는 저전압에서 다결정 실리콘(Polycrysta1line Silicon: Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistors: TFTs) 의 문턱전압(threshold voltage)의 불균일성을 보상한 새로운 AMOLEDs(Active Matrix Organic Light Diodes) 구동 회로를 제안한다, 제안한 회로는 6개의 스위칭, 1개의 드라이빙 TFT와 1개의 저장 콘덴서로 구성되어 있으며, SPICE 시뮬레이션을 통해 구동회로의 동작을 검증하였다. 시뮬레이션 결과 5V정도의 낮은 구동 전압($V_{DD}$)에서 제안한 화소 구동회로의 OLED 출력 전류는 0.8%정도의 오차를 갖는 반면 기본적인 구동회로의 경우 약20%정도의 오차를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 화소 구동회로는 OLED의 전류를 결정하는 driving TFT의 threshold voltage 변화에 따른 전류의 변화를 성공적으로 보상하였고, 안정화된 전류를 OLED를 흘려주어 기본적인 화소 회로가 가지고 있던 불균일화의 문제를 해결함을 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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