• Title/Summary/Keyword: 전류-전압 특성

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Analysis of Transport Characteristics for Double Gate MOSFET using Analytical Current-Voltage Model (해석학적 전류-전압모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 전송특성분석)

  • Jung Hak-Kee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.10 no.9
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    • pp.1648-1653
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    • 2006
  • In this paper, transport characteristics have been investigated using analytical current-voltage model for double gate MOSFET(DGMOSFET). Scaling down to 100nm of gate length for MOSFET can bring about various problems such as a threshold voltage roll-off and increasing off current by tunneling since thickness of oxide is down by 1.fnm and doping concentration is increased. A current-voltage characteristics have been calculated according to changing of channel length,using analytical current-voltage relation. The analytical model has been verified by calculating I-V relation according to changing of oxide thickness and channel thickness as well as channel length. A current-voltage characteristics also have been compared and analyzed for operating temperature. When gate voltage is 2V, it is shown that a current-voltage characteristic in 77K is superior to in room temperature.

Comparison of Current-Voltage Characteristics of Nanosheet FET and FinFET (Nanosheet FET와 FinFET의 전류-전압 특성 비교)

  • Ahn, Eun Seo;Yu, Yun Seop
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2022.05a
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    • pp.560-561
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    • 2022
  • In this paper, current-voltage characteristics of various types of Nanosheet FET (NSFET) and FinFET are simulated with 3D device simulator. The threshold voltage and subthreshold swing extracted from the simulated current-voltage characteristics of NSFET and FinFET were compared. Both of threshold voltage and drain current of NSFET are higher than those of FinFET. The subthreshold voltage swing (SS) of NSFET is steeper than that of FinFET.

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DQ Synchronous Reference Frame Model of A Series-Parallel Tuned Inductive Power Transfer System and Current Controller (직렬-병렬 무선 전력 전송 시스템의 DQ 동기 좌표계 모델 및 전류제어기)

  • Noh, Eunchong;Lee, Sangmin;Lee, Seung-Hwan
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2020.08a
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    • pp.181-183
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    • 2020
  • 본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-병렬 공진형 무선전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델과 이를 이용한 전류제어기 시스템을 제안한다. 무선 전력 전송 시스템은 일반적으로 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-병렬 공진형 무선전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시하고 이를 이용하여 과도 상태 제어를 위한 고성능 전류 제어기를 제안한다.

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Vth Compensation Current Source with Poly-Si TFT for System-On-Panel (System-On-Panel을 위한 Poly-Si TFT Vth보상 전류원)

  • Hong, Moon-Pyo;Jeong, Ju-Young
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.43 no.10 s.352
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    • pp.61-67
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    • 2006
  • We developed a constant current source which is insensitive to threshold voltage variation caused by irregular grain boundary distribution in polycrystalline silicon. The proposed current source has superior saturation characteristics over wide range of input voltages as well as small current error compared to the previously reported Vth compensated sources. We measured the circuit performance and error in current due to parameter variation by using HSPICE.

A properties of short circuit current of voltage applied PVDF (전압인가된 PVDF의 단락전류 특성에 관한 연구)

  • 김진식;김두석;이덕출
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.4 no.4
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    • pp.354-360
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    • 1991
  • PVDF는 현재까지 출현된 고분자 재료중 가장 좋은 가능성을 가진 고분자 재료이다. 시료에 일정시간 전압을 인가한 후 전압을 제거하고 시료양면을 단락하였을때 흐르는 단락전류는 일반적으로 인가 전아브이 극성과 반대 방향으로 감소한다. 본 연구에서는 PVDF의 단락전류가 짧은 시간동안 감소하다가 증가한 후 다시 감소하는 특이한 ABNORMAL SHORT CURREUT(Isa)를 규명하기 위하여 인가전압, 시료온도 및 고체 구조를 변화시키면서 단락 전류를 관측하고 PVDF의 열자격 전류특성을 분석하였다. PVDF의 단락전류 특성은 150.deg.C에서는 특이한 단락전류가 흐르지만 150.deg.C이하의 온도에서는 특이한 단락전류가 흐르지 않는다. 이들 실험결과로 부터 특이한 단락 전류 Isa는 시료의 온도가 150.deg.C에서만 나타나고 전계 세기나 결정 구조에는 관계가 없음을 알았다. 그리고 Isa는 쌍극자의 재배향으로 흐르는 정상적인 단락전류 성분과 가동이온이 확산 혹은 드리후트에 의한 단락전류 성분이 중첩되어 관측된다는 모델을 제시할 수 있다.

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An Analysis Of Asymmetrical Breaking Synthetic Test Considering Arc Voltages of Circuit Breakers (아크전압을 고려한 비대칭전류차단 합성시험 해석)

  • Lee, Yong-Han
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07a
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    • pp.635-637
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    • 2005
  • 차단기 합성시험은 직접시험과의 등가성을 유지하는 것이 가장 중요한데, 합성시험에서의 전류일 전압은 직접시험에 비해 매우 낮기 때문에 보조차단기 및 피시험 차단기의 아크전압에 의해 마지막 전류루프가 심하게 왜곡될 수 있다. 특히, 비대칭전류차단시험(T100a)에서는 마지막 전류루프의 특성이 차단기 성능평가에 매우 중요한데, 아크전압에 의한 마지막 전류루프의 왜곡이 심하면 합성시험의 등가성이 결여되어 적절치 못한 시험결과를 초래할 수 있다. 따라서 본 논문에서는 아크전압을 고려한 비대칭전류차단 합성시험 특성을 해석함으로써, 적절한 방법에 의해 아크전압에 의한 왜곡을 보상하여 합성시험의 등가성을 유지할 수 있는 기반을 마련하였다.

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DQ Synchronous Reference Frame Model of A Series-Parallel Tuned Inductive Power Transfer System (직렬-병렬 무선 전력 전송 시스템의 DQ 동기 좌표계 모델)

  • Noh, Eunchong;Lee, Sangmin;Lee, Seung-Hwan
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2019.11a
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    • pp.85-86
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    • 2019
  • 본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-병렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델을 제안한다. 무선 전력 전송 시스템은 일반적으로 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-병렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시한다.

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DQ Synchronous Reference Frame Model of An Inductive Power Transfer System (무선 전력 전송 시스템의 DQ 동기 좌표계 모델)

  • Lee, Sangmin;Lee, Seung-Hwan
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2019.07a
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    • pp.145-146
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    • 2019
  • 본 논문에서는 DQ 변환을 적용한 직렬-직렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 동기 좌표계 모델을 제안한다. 일반적으로 무선 전력 전송 시스템의 경우 급전 측과 집전 측에 단상 전류가 흐르기 때문에 제어에 어려움이 있다. 따라서 정상 상태의 전압 및 전류의 수식을 이용하여 부하에 전달되는 전압 및 전류의 크기를 제어하는 경우가 많다. 따라서 과도 상태의 전압 및 전류의 동특성이 원하는 특성과 다르게 나타날 수 있다. 본 논문에서는 직렬-직렬 공진형 무선 전력 전송 시스템의 단상 전압 및 전류를 DQ 변환하여 과도 상태 및 정상 상태의 전압 및 전류의 동특성을 해석할 수 있는 등가 회로 모델을 제시한다.

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Design of the voltage tuning circuit for signal noise rejecting and band selecting filter (신호잡음 제거 및 대역선택용 필터를 위한 전압 안정화 회로 설계)

  • Kim, Beyong-Wook;Bang, Jun-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2008.09a
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    • pp.266-268
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    • 2008
  • 신호잡음 제거 및 대역 선택용으로 사용되고 있는 필터의 특성을 보정하기 위한 전압 안정화 회로를 설계하기 위한 방법으로 전류비교 방식의 전압안정화 회로를 설계하였다. 제안된 전류비교 방식의 전압안정화 회로는 부가적인 회로가 추가로 필요하지 않아 칩 면적을 최소화 할 수 있고, 저전력 특성을 만족시키는 전류 비교 방식을 이용하여 원하고자 하는 각각의 채널 선택에 따른 제어 전압을 안정적으로 공급함으로써 주파수 특성을 유지시킬 수 있다. 설계된 전류비교방식을 통하여 전류를 감지 및 비교하여 자동적으로 보상하고 원하는 채널에 따라 각각의 제어 전압을 일정하게 유지될 수 있음을 시뮬레이션 결과를 통하여 확인하였다.

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Fabrication and new model of saturated I-V characteristics of hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor (비정질 실리콘 박막 트랜지스터 포화전압대 전류특성의 새로운 모델)

  • 이우선;김병인;양태환
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.2
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    • pp.147-151
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    • 1993
  • PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.

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