본 논문은 optocoupler를 사용하여 궤환단을 절연한 오프라인 플라이백 변환기의 설계와 해석에 중점적인 목적을 두었으며, 부가적으로 궤환단을 절연하지 않은 구조를 가지는 전류모드제어 플라이백변환기와 optocoupler로 궤환단을 절연한 구조를 가지는 전류모드제어 플라이백 변환기의 상관관계를 분석하였다. 설계와 해석을 하기 위해 PSIM 시뮬레이터를 사용하여 PSIM 모델을 제시하였으며, 제시한 PSIM 모델은 110$\sim$220V 오프라인 전원을 입력하여 10V/5A의 출력을 가지는 50W 오프라인 전류모드 플라이백 변환기의 설계와 실험을 통하여 높은 정확성과 사용의 용이성을 확인하였다.
LCD BLU에 광원의 수명을 측정하고, 고장모드를 분석하기 위해서는 광원을 구성하고 있는 각각의 성분 중에서 광원 자체를 구성하고 있는 R/G/B 광원에 대한 Burn-in test 및 고장모드를 분석하였다. LCD BLU에 있어서 R/G/B LED광원의 역할은 BLU 자체의 수명과 성능에 가장 큰 영향을 미친다. 서로 각각 사용조건하에서의 수명과 성능의 차이에 따라서 BLU 자체의 수명이 결정된다. 이를 평가가기 위해 LED device에 대한 가속수명테스트를 위한 Burn-in test를 실시하였으며, 발생한 고장모드를 분석하였다. 분석결과 누설전류 증가로 인한 불량이 주로 발생하였다. 누설전류 증가를 평가하기 위해 Photo emission microscope(PHEMOS-1000, MoDooTEK Inc.)을 이용하여 저전류에서의 LED chip의 누설전류에 의한 발광을 관찰함으로 인해, LED chip의 신뢰성 및 평가 기준이 됨을 알 수 있다.
본 연구에서는 부하의 급격한 변화 또는 병렬컨버터를 구성하는 단위컨버터의 고장 발생 시 안정적인 병렬컨버터의 운용을 위한 연구를 수행하였다. 단 위컨버터는 응답특성을 개선하기 위하여 평균전류모드제어를 채택하였으며, 병렬컨버터의 부하전류분담을 위하여 최대전류 제어법을 이용하였다. 병렬컨버터의 모델을 도출하여 부하전류분담 제어에 따른 동작특성을 분석하였다. 급격한 부하변화와 단위컨버터의 고장발생 시 안정된 병렬컨버터의 특성을 실험을 통하여 확인하였다.
다상 교호 컨버터에서 인덕턴스가 불일치 할 때 첨두전류 제어기를 사용하는 경우에 각 상의 평균 전류는 동일하지 않다. 본 논문에서는 각 상의 인덕턴스가 불일치한 경우에 첨두전류 모드에서 평균전류가 동일해지는 전류분배 제어기를 제안한다 제어기는 과도상태에서도 전류의 평형이 잘 이루어질 수 있도록 설계한다. 제안된 방법을 2상과 4상 교호 승압컨버터에 적용시켰으며, 실험 결과를 통해 인덕턴스가 불일치한 경우에도 첨두전류 모드에서 전류평형이 잘 이루어짐을 보인다.
벅 컨버터 회로 평균모델를 이용하고 한주기 응답 기법을 적용한 전류모드 PWM 기법을 제안하였다. 이 제어기는 비선형 PWM 제어기로 스위칭 변수와 응답 기준과의 오차를 각 주기에서 0이 되도록 구현하였다. 그 결과, 시스템 전달함수는 폐루프 극점의 함수가 되어 설계가 용이하며 폐루프 특성이 향상되었다. 이 제어기에서 인덕터 전류의 상태 변수를 구현하기 위하여 전류모드를 이용하여 컨버터를 제어하였다. 제안한 PWM제어는 인덕터 전류 센서를 생략할 수 있으며 잡음 특성, 동특성이 기존 전류 모드 제어기에 비하여 많은 장점을 갖는다. 시뮬레이션 및 실험을 통하여 타당성을 입증하였다.
본 논문에서 3치가산기와 승산기(multiplier)는 전류모드 CMOS에 의해서 구현된다. 첫째, 3치 T-gate를 집적회로 설계의 유효 가용성을 갖고 있는 전류모드 CMOS를 이용하여 구현한다. 둘째, 3치 T-gates를 이용해 회로가 유한체 GF (3)에 대하여 2변수 3치 가산표 (2-variable ternary addition table) 및 구구표 (multiplication table)가 실현되도록 구현한다. 마지막으로, 이러한 동작 회로들은 1.5 CMOS 표준 기술과 $15{\mu}A$ 단위전류(unit current) 및 3.3V 소스 전압 (VDD voltage)에 의해 활성화 된다. 활성화 결과는 만족할 만한 전류 특성을 나타냈다. 전류 모드 CMOS에 의하여 실행되는 3치가산기 및 승산기는 단순하며 와이어 라우팅(wire routing)에 대하여 정규적이고, 또한 셀 배열 (cell array)과 함께 모듈성 (modularity)의 특성을 갖고 있다.
Complex-coupled(CC) DFB 레이저의 경우 문턱 전류에서 spatial hole burning (SHB)현상을 나타내는 f 계수를 고려하여 구한 단일 모드 수율과 문턱 전류 이상에서의 단일 모드 수율과의 연관성이 존재하지 않음을 알 수 있었다. 문턱 전류에서 f 계수를 고려하여 구한 in-phase (IP) CC DFB 레이저와 anti-phase (AP) CC DFB 레이저의 단일 모드 수율은 일치하였으나 문턱 전류 이상에서는 큰 차이를 보였다. 문턱 전류 이상에서 IP CC DFB 레이저의 단일 모드 수율은 결합 계수 비가 증가할수록 증가하였다 반면에 AP CC DFB 레이저의 경우 결합 계수 비에 관계없이 주입 전류가 증가하면 단일 모드 수율은 급격히 감소함을 알 수 있었다. 양 단면 반사율 조합이 AR-HR인 경우 결합 세기가 작을수록 AR 단면의 반사율이 단일 모드 수율에 미치는 영향이 크게 나타났다. 결합 세기가 작을수록 단일 모드 수율의 증가율이 완만해지기 시작하는 결합 계수 비가 커졌고 또한 최대 단일 모드 수율이 증가하였다 양 단면 반사율 조합이 AR-HR과 AR-AR의 경우가 AR-CL과 CL-CL인 경우에 비하여 단일 모드 수율이 크게 나타났다.
본 논문에서는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 회로를 구현하고, 슬립 트랜지스터 (sleep-transistor)를 이용하여 누설전류를 최소화하는 새로운 저 전력 MOS 전류모드 논리회로 (MOS current-mode logic circuit)를 제안하였다. 제안한 회로는 저 전압 스윙 기술을 적용하여 저 전력 특성을 갖도록 설계하였고 고 문턱전압 PMOS 트랜지스터 (high-threshold voltage PMOS transistor)를 슬립 트랜지스터로 사용하여 누설전류를 최소화하였다. 제안한 회로는 $16\;{\times}\;16$ 비트 병렬 곱셈기에 적용하여 타당성을 입증하였다. 이 회로는 슬립모드에서 기존 MOS 전류 모드 논리회로 구조에 비해 대기전력소모가 1/104로 감소하였으며, 정상 동작모드에서 11.7 %의 전력소모 감소효과가 있었으며 전력소모와 지연시간의 곱에서 15.1 %의 성능향상이 있었다. 이 회로는 삼성 $0.18\;{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, HSPICE를 통하여 검증하였다.
이 논문에서는 아날로그 전류모드 인공지능 프로세서에서 핵심 디바이스 중에 하나인 아날로그 전류 모드 곱셈기 회로의 선형성과 동적범위 향상을 위한 설계 기법을 소개한다. 제안하는 회로는 4 quadrant Translinear loop를 NMOS 트랜지스터만으로 구성하여, 트랜지스터의 물리적 Mismatch를 최소화하는 설계로 0.35㎛ CMOS 공정에서 117㎛ × 109㎛로 구현가능하였으며, 최대 전고조파왜율 0.3% 의 선형성을 확보할 수 있었다. 제안한 아날로그 전류모드 곱셈기는 전류모드 인공지능 프로세서의 핵심 회로로 유용할 것으로 기대된다.
PWM 인버터에 의하여 구동되는 유도전동기는 뛰어난 동작특성을 가지고 있지만, 커먼 모드 전압과 고주파 누설전류를 야기한다. 이 고주파 누설 전류는 여러가지 문제점을 일으킨다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 일으키는 고주파 누설 전류와 커먼 모드 진압을 감쇄하기 위하여 커먼 모드 전압과 크기가 같고 반대극성을 가진 전압을 4 level half bridge 인버터를 이용하여 생성하고, 이것을 커먼 모드 transformer에 인가하여 고주파 누설 전류 역시 감쇄시킬 수 있는 새로운 형태의 능동형 커먼 모드 전압 감쇄기를 제안한다. 그리고 제안한 감쇄기의 동작 성능을 시뮬레이션과 실험을 통하여 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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