• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.98-99
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• 2014

질산산화법(nitric acid oxidation method)은 저온에서 안정적인 산화막을 형성하는 직접산화공정으로 azeotropic point(68 wt%)인 120도 이하의 온도에서 산화막을 형성한다. 120도에서 형성한 질산산화막은 CVD법으로 형성한 산화막 보다 낮은 누설전류밀도(leakage current density)를 나타낸다. 또한 질산의 농도가 증가함에 따라 형성한 산화막의 누설전류밀도가 감소하며, 이는 열산화법으로 형성한 산화막 보다 낮다. 질산산화의 낮은 누설전류밀도는 형성한 산화막의 높은 원자 밀도와 낮은 계면준위밀도에 의한 것으로 이 특성을 이용하여 게이트 절연막(gate insulator)과 태양전지의 passivation막으로 응용되고 있다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.4 no.2
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• pp.47-54
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• 1997

Pt/SiO2/Si을 기판으로 사용하고 RF 마그네트론 스퍼터링에 의한 (Ba, Sr)TiO3 (BST) 씨앗층을 약 10nm 정도의 두께로 입힌 다음 그 상부에 화학 기상증착법으로 BST를 증착하여 BST seed layer가 CVD BST 박막의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 또한 급 속열처리가 BST 박막과 커패시터의 특성에 미치는 영향도 조사하였다. Seed layer와 급속 열처리에 의해 박막의 결정성이 향상되었으며 이로인해 유전상수가 증가되었고 주파수에 대 한 유전특성도 개선되었다. Seed layer를 도입함으로써 BST 박막과 Pt 하부전극 사이의 계 면에 존재하고 있는 산소부족\ulcorner이 사라짐을 확인할수 있었으며 이로 인해 Pt/BST/Pt 커\ulcorner 시터의 누설전류가 감소하였다. 또한 급속 열처리에 의해 BST/Pt 계면에서 트랩된 전자의 농도가 감소함으로써 누설전류 특성이 개선됨을 알수 있었다. Seed layer 위에 증착된 CVD BST 박막의 유전상수는 증착온도가 증가함에 따라 증가하였으나 누설전류도 같이 증가하 였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.38 no.7
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• pp.496-501
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• 1994

Square-wave voltammetric behavior for tellurium(Ⅳ) was studied in hydrochloric acid medium using a hanging mercury drop electrode. The reduction of tellurium(Ⅳ) was found to be irreversible and catalized by acid. Analytical conditions for the determination of tellurium(Ⅳ) and effects of diverse ions were also investigated. The detection limit of tellurium(Ⅳ) was $4.2\;ppb (3.3{\tiems}10^{-8}M)$. The amount of tellurium(Ⅳ) on the electrode surface was ${\Gamma}=(7.2{\pm}1.4){\times}10^{-11}\;mol\;cm^{-2}$.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.36 no.6
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• pp.889-893
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• 1992

A very sensitive adsorptive stripping voltammetric method is studied on the gallium-morin complex at a hanging mercury drop electrode (HMDE) in 0.1 M acetate buffer solution. The effects of various analytical conditions are discussed on the reduction peak current of the adsorbed complex on the suface of HMDE. Interferences by other trace metals and surfactant are also discussed. Detection limit is 1.7 nM of gallium with 60 seconds deposition time, and the relative standard deviation (n = 7) at 4 ${\mu}$g/l gallium is 2.8%.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.10a
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• pp.105-106
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• 2008

전파의 이응분야의 증가와 사용되는 파워의 증가 따라 전자파에 의한 전류영향을 정밀도 있게 측정하는 방법들이 필요로 하게 되었다. 본 논문에서는 고주파 대역에서 도체 구에 유기되는 포면 전류량을 측정하여 이론치와 비교 하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.48 no.6
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• pp.654-658
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• 2004

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.41 no.10
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• pp.557-560
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• 1997

• 전기의세계
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• v.45 no.2
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• pp.32-38
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• 1996

본 논문에서는 2차측이 평판형 구조를 갖는 선형유도전동기를 대상으로 하여 유한요소법을 이용한 수치해석방법과 기자력발생의 개념적인 기본단위가 되는 하나의 전류도체를 등가표면전류밀도로 치환하여 해석하는 공간고조파해석 방법[10]과, 영구자석 계자형 선형동기전동기의 공간고조파 해석방법에 대하여 소개하겠다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.10
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• pp.999-1006
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• 1996

전기화학법 중 음극환원법을 이용하여 0.005M TiCI4수용액으로부터 수화물 형태의 TiO2박막을 제조하였다. TiCI4수용액에 첨가제로 에탄올을 50vol% 첨가하여 균일한 박막을 얻을 수가 있었으며, 전류밀도와 시간에 따라서 박막의 두께와 미세구조가 변화하였다. 성장속도가 큰 조건에서 얻은 박막은 균질성의 감소로 인하여 건조과정이나 열처리 중 다량의 균열이 발생하였다. 일정한 전류밀도ㅇ에서 반응시간의 증가에 따라 박막의 두께가 직선적으로 증가하였으며, 10mA/$\textrm{cm}^2$의 전류밀도에서 3분 동안 반응시켜 약 0.7$\mu\textrm{m}$ 두께의 우수한 TiO2박막을 얻을수 있었다. 이러한 박막은 80$0^{\circ}C$에서 한 시간 열처리 한 결과, rutile 단일상으로 결정화되었다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.51 no.5
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• pp.412-417
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• 2007

A simple prepared paste electrode (PE) of DNA immobilized on a carbon nanotube was utilized for monitoring the antibacterial agent oxytetracycline (OTC), using square-wave anodic stripping voltammetry (SWASV) and cyclic voltammetry (CV). Given these conditions, SWASV and CV working ranges were observed within 1-10 ngL-1 OTC. In the SWASV and CV for OTC concentrations of 0.1 mgL-1, the relative standard deviations (n=15) were 0.068 and 0.067, respectively. At the optimized condition, the detection limit was found to be 0.4 ngL-1 OTC. This method was applied to the hatchery fish tissue.