• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2000.06a
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• pp.78-83
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• 2000

일반적으로 사람의 신체는 전기가 흐르기 쉬운 도체(Conductor)에 해당한다. 인체를 전로의 일부로 하여 전류를 흘려주면, 극히 미약한 전류는 느끼지 못하지만 전류를 증가시켜 나가면 차차 견딜 수 없게 되며 더 큰 전류를 흘려주면 인체에 여러가지 장해현상이 발생하게 된다. 이와 같이 인체에 전류가 흐름으로써 발생하는 감전(Electric Shock)현상은 단순히 전류를 감지하는 정도의 가벼운 것으로부터 고통을 수반한 쇼크 또는 근육의 경직, 심실세동에 의한 사망 등 여러 증상을 보이며, 인체에 대한 통전전류가 크고 인체의 중요한 부분을 장시간 흐를수록 위험하다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.86-89
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• 2007

실리콘을 사용한 X선 감지 용 센서 어레이 제작에 대해 연구하였다. 단일 센서 소자에서는 필수적인 guard ring구조가 어레이에서는 적절히 설계되지 못할 경우 누설전류 증가를 초래하는 것으로 나타났다. 즉, 누설전류는 공??????층 두께와 능동영역 및 guard ring 구조 간 거리에 매우 민감한 것으로 조사되었다. 또한 다결정 실리콘과 n형 도핑 소스로 인을 활용하는 조합이 결함 gettering을 위한 효율적인 방법임이 입증되었으나 고온 공정과정에 보호되지 않은 채 노출되는 경우에는 효과적이지 못한 것으로 관측되었다. 본 연구에서는 이러한 결과들을 고려하여 어레이를 제작하였으며 우수한 특성을 관찰할 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 1999.07a
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• pp.214-217
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• 1999

IGBT 소자는 고전류 밀도의 특성을 지니면서 구동전력이 작기 때문에 500V 이상의 고전압 응용에서 널리 이용되고 있다. 본 논문에서는 기존의 IGBT 소자의 구동회로가 갖는 기본기능 이외에 소자에 대한 보호기능과 소자의 동작 상태를 감지하기 위한 모니터링 기능을 갖는 지능형 구동회로에 대해 제안한다. 제안된 회로는 소자에 비정상적인 큰 전류가 흐를 경우 논리회로에 의해 게이트 구동전압을 일정시간 즉시 차단하여 소자를 과전류와 과열로부터 보호하고, 소자의 동작 상태가 정상인지 차단 상태인지 감지할 수 있다. 언급한 기능을 가진 구동회로가 제시되며, 제안된 회로의 동작은 Pspice를 이용한 시뮬레이션 및 실험을 통해 확인된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1905-1907
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• 2001

본 논문에서는 다공질 실리콘에 대한 에탄올과 메탄을 가스 감지 특성을 측정하고 전기 전도도의 변화를 고찰하였다. 우선 HF와 에탄올의 혼합 용액내에서 n-type의 웨이퍼에 일정 전압을 인가하여 다공질 실리콘을 형성한다. 다공질 실리콘은 수직한 방향으로 $55{\sim}60{\mu}m$ 두께로 균일하게 형성되었다. 다공질 실리콘을 이용하여 소자를 제작하고 에탄올과 메탄올 가스를 주입하여 전류-전압 특성을 측정하였다. 기존의 다공질 실리콘 에탄올 센서와는 달리 turn-on 시 센서에 흐르는 전류가 빠른 시간내에 일정한 값으로 도달하였고 turn-off시에도 같은 결과를 보였다. 다공질 실리콘 표면에 흡착된 에탄올과 메탄올 가스는 전류의 흐름을 방해하는 surface charge를 스크린하여 전기 전도도를 증가시킨다. 또한 흡착된 가스가 dangling bonds를 passivation하여 전류를 증가시키는 것으로 생각된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2164_2165
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• 2009

가로등 지중전선로에서의 누전차단기는 일정상당의 대지정전용량 및 누설전류증가로 인한 오동작때문에 정전을 발생시켜 많은 민원을 야기하였다. 본 연구는 사용장소별 5~35[V]이내에서 설정값에 따라 전압을 감지하여 제어부를 차단하도록 하고 가로등이나 기계기구에 연결되는 전선로는 누설전류(15~200[mA])값을 1[mA]단위로 사용여건에 따라 조정 할 수 있는 전압감지식 누전차단기의 설치시 동작에 대한 것이다. 동작시험 결과 설정값에 따라 잘 조정되었고 대지정전용량 이나 영상 분전류의 영향을 받지 않았다. 국제 안전전압 25[V](50[mA])와 우리나라 15[V](30[mA])이하에서도 사용할 수 있으며 최소 5[V], (10[mA])에서 오동작 없이 잘 동작하여 고차단 안전차단장치임을 확인하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.215-216
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• 2015

세탁기의 탈수 행정 시, 터브 내 세탁포가 고르게 분포되어 있지 않으면 세탁포가 한쪽방향으로 쏠려 터브가 크게 흔들리는 언밸런스 현상이 발생하게 된다. 이런 언밸런스 현상은 전동기 및 세탁기에 기구적인 손상을 발생시키기 때문에 즉시 감지하여 탈수 행정을 중지시키도록 해야 한다. 본 논문에서는, 세탁기의 언밸런스 현상이 발생 시 나타나는 전동기의 기계적인 주파수를 갖는 전류 리플을 가변 밴드패스 필터를 이용하여 측정한다. 측정된 전류 리플을 바탕으로 언밸런스 현상을 감지하는 알고리즘을 제안한다.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.18 no.3
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• pp.43-48
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• 1999

IDDQ testing is one of current testing methodologies which increases circuit's reliability by means of finding defects which can't be detected by functional testing in CMOS circuits. In this paper, we design a Built-In Current Sensor(BICS) circuit, which can be embedded in chip under test, that performs IDDQ testing. Furthermore, it is designed for IDDQ testing of memories and implemented to carry out testing at high-speed by using small number of transistors.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.11a
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• pp.109-110
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• 2014

신재생에너지의 신뢰성 및 효율의 발전과 함께 컴퓨터 및 각종 디지털 부하의 증가로 인하여, 효과적인 DC 에너지 공급 시스템을 위한 연구가 진행되고 있다. 그중 DC 전원의 경우, 아크 발생과 누설전류 검출이 중요한 문제가 된다. 본 연구에서는 반도체 소자를 사용하여 아크가 발생하지 않게 하는 콘센트에, 누설 감지 감도는 8mA, 감지 시간은 120ms 이내의 누설 전류 검출 기능을 보강한 DC 콘센트를 제안한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.2295-2296
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• 2008

본 논문에서는 에너지 절감을 위하여 POWER LED 구동회로를 PIR(Pyroelectric Infrared Ray) 센서를 이용하여 ON/OFF 제어를 하였다. POWER LED의 전류 특성을 설명하였으며 설명된 전류 특성을 개선하고자 정전류 유지 회로를 구성하였다. 그리고 인체 감지 센서에서 발생되는 ON/OFF 신호를 증폭시키는 구동 회로를 설계하여 정전류 유지 회로에 직접 결합하는 방식을 제안하였다. 실험한 결과는 POWER LED의 ON 상태시 4Watt, OFF 상태시 0.5Watt를 소비하였으며, 정전류 유지 회로에 의해 POWER LED 구동 전류의 리플이 줄어들어 안정적인 동작을 하는 것으로 나타났다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.8 no.6
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• pp.434-439
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• 1999

Differential field effect transistors with double gate metal for integrated humidity sensors have been fabricated and the drain current drift characteristics to relative humidity have been investigated. The aspect ratio was 250/50 for both transistors to get the current difference between the sensing device and non-sensing one. The normalized drain current of the fabricated humidity sensitive field effect transistors increases from 0.12 to 0.3, as relative humidity increases from 30% to 90%.