• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.05a
• /
• pp.61-62
• /
• 2006

본 연구에서는 대표적인 양친매성분자인 Arachidic acid를 이용하여 박막을 제작하였으며, 층수 변화에 따른 표면이미지와 전압-전류 특성을 측정하였다. Arachidic acid 는 포화지방산으로 ($CH_3(CH_2)_{18}$ COOH)의 구조를 가지며, 크기가 $27.5{\AA}$으로 $CH_3(CH_2)_{18}$의 소수기와 COOH의 친수기로 구성되어 있어, Langmuir-Blodgett (LB) Trough을 사용하여 박막제작과 분자제어가 쉽다. Chloroform을 용매로 하여 2 mmol/l의 농도를 조성하여 ${\pi}$-A 등온선을 통해 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태를 관찰하였다. LB 막의 제작 및 평가에서 막의 안정성은 ${\pi}$-A 곡선, AFM(Atomic force microscopy) 등을 통하여 확인하였다. 또한 LB 막을 Metal/유기물 LB막/Metal 구조의 소자로 제작하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2006.06a
• /
• pp.394-395
• /
• 2006

본 연구에서는 Arachidic acid Langmuir-Blodgett (LB) 막의 표면이미지와 전압-전류 특성을 측정하였다. Arachidic acid는 포화지방산으로 ($CH3(CH_2)_{18}$ COOH)의 구조를 가지며, 크기가 $27.5\;{\AA}$으로 $CH_3(CH_2)_{18}$의 소수기와 COOH의 친수기로 구성되어 있어, LB Trough를 사용하여 박막제작과 분자제어가 쉽다. Chloroform을 용매로 하여 2mmol/l의 농도를 조성하여 ${\pi}$-A 등온선을 통해 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태를 관찰하였다. LB막의 제작 및 평가에서 막의 안정성은 ${\pi}$-A곡선, AFM (Atomic force microscopy) 등을 통하여 확인 하였다. 또한 LB 막을 Metal/LB막/Metal 구조의 소자로 제작하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

• Journal of the Korean Chemical Society
• /
• v.30 no.1
• /
• pp.19-26
• /
• 1986

A titanium oxide thin films were prepared by air oxidation and vapour oxidation and a $TiO_2$ single crystal was reduced by heating in an argon atmosphere. All the electrode characteristics of the Ti$O_{2-x}$, thin films are not different from those of slightly reduced single crystal rutile. In cyclic voltammogram of oxygen containing electrolyte solution at Ti$O_{2-x}$ electrodes, cathodic peaks were observed at between -0.8V and -1.0V vs. SCE. The cathodic current near 0V vs. SCE in saturated solution with nitrogen was observed to be greater than in saturated solution with air. The chronoamperogram was represented by the equation of i = $i_0e^{-kt}$, when the rate constant k was represented by the equation of k =$k_0{[H^+]}^nexp(A{\eta}+E_a/RT)$ The values of activation energy $E_a $were found to be 4.6~4.8kcal/mole in overpotential range of 0.035∼0.145 V and 1.6kcal/mole in overpotential range of 0.2∼0.5V. The values of n and A were found to be 0. 1 and 5.4~5.6/V in range of 0.035~0.145V, and in range of 0.2~0.5V, to be 0.04 and 1.3/V, respectively. This can be interpreted as an totally irreversible reduction of oxygen.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.16 no.6
• /
• pp.533-541
• /
• 2011

This paper studies modeling of Jeju 80kV HVDC system and its controller by using PSCAD/EMTDC program. Reduced ac network is applied to verify interaction between ac network and dc system. Design parameter is applied to the converter transformer, harmonic filter and dc transmisstion line to simulate dc system. HVDC controller is divided into a rectifier controller and a inverter controller according to the converter operating mode. The inverter controller is composed of current control, voltage control and extingtion angle control. The rectifier controller is composed of current control and voltage control. Both controller has VDCOL characteristics so that current order is dependant on voltage variation. Step response, ac network single phase fault, three phase fault is simulated to verify the dynamic performance of controller model in both transient state and steady state.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.129-131
• /
• 2009

급속하게 발전하는 태양광발전산업에 맞추어 태양광발전시스템의 시험단계에 필요한 태양전지의 전압-전류 특성을 가지는 태양전지 시뮬레이터는 필수적이다. 이를 위해 본 논문에서는 기존의 방법과 달리 태양전지모듈의 표준시험 조건의 출력데이터와 주요 온도별, 광량별 데이터, 관계변수만을 가지고 온도와 광량의 변화에 따른 새로운 전류, 전압곡선 추출방법을 간단한 수식을 통해 해석하고, 하드웨어를 구성하여 다양한 조건에서 태양전지의 I-V Curve를 시뮬레이션 한다. 15kW급 태양전지 시뮬레이터의 시작품을 제작하여 실험을 통해 제안된 방법의 타당성을 검증한다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
• /
• 2002.05a
• /
• pp.158-164
• /
• 2002

본 연구에서는 탄소나노튜브를 직류 바이어스가 인가된 유도결합형 플라즈마 열선 화학기상증착 장치를 이용하여 58$0^{\circ}C$ 이하의 저온에서 유리기판의 변형 없이 수직 배향 시켰다. 탄소나노튜브의 성장을 위해 강화유리기판 위에 전도층으로 Cr을 증착하였고, 그 위에 촉매 층으로 Ni을 순차적으로 RF magnetron cputtering 장치를 이용하여 증착 시켰다. 성장 시 탄소나노튜브의 저온에서의 좋은 특성을 위해 높은 온도에서의 열분해를 목적으로 텅스텐 필라멘트를 이용하였으며, 수직 배향 시키기 위해서 직류 바이어스를 이용하였다. 성장된 탄소나노튜브는 수직적으로 잘 배향 되었으며, 저온에서 좋은 특성을 보였다. 탄소나노튜브의 특성화에는 SEM, TEM을 관찰하였으며, Raman spectroscopy를 이용하여 흑연화도를 측정하였고, 전계방츨 특성은 전류 전압 특성곡선과 Fowler-Nordheim plots를 이용하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2015.08a
• /
• pp.210.2-210.2
• /
• 2015

유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)기반의 바이오센서는 저비용 제작 및 플렉서블 소자 제작이 가능하여 많은 주목을 받아오고 있다. 본 연구에서는, hexamethyldisilazane (HMDS) 표면 처리된 $Si/SiO_2$ 기판 위에 진공 증착 공정을 이용하여 pentacene 기반의 OTFT를 제작한 후, 수용성 매체에 대한 안정성을 향상시키기 위하여 저분자 물질인 tetratetracontane (TTC)를 진공 증착 공정을 이용하여 증착하였으며, cyclized perfluoropolymer (CYTOP)을 용액 공정으로 코팅하여 bilayer의 passivation 층을 형성하였다. 실제 제작된 OTFT의 수용성 매체에 대한 안정성을 테스트하기 위하여 소자에 수용성 phosphate buffered saline (PBS)용액을 투하하여 10분에 걸쳐 1분 간격으로 transistor의 transfer 특성을 측정하였다. 또한 측정된 $I_d-V_g$ 곡선 데이터를 이용하여 시간에 따른 드레인 전류, 이동도, 문턱 전압, 점멸비 등의 수치를 산출하였다. 그리고, 그 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들을 증류수가 투하된 OTFT 소자의 $I_d-V_g$ 곡선 데이터와 산출된 데이터들과 비교하였다. 결론적으로, TTC/Cytop bilayer passivation 층이 형성된 OTFT 소자는 인체 내 혈액의 pH와 유사한 PBS 용액 하에서도 안정적인 구동 성능을 보여 바이오센서로 응용될 수 있는 가능성이 있다는 결론을 얻었다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
• /
• v.22 no.12
• /
• pp.87-94
• /
• 2008

This parer presents the soil ionization phenomena and parameters associated to characterize the transient performances of grounding system under lightning impulse Currents. Ionization properties in occurring some soil media were experimentally investigated. The cylindrical test cell was employed in order to facilitate the analysis of soil breakdown field intensity and ionized radius. The soil breakdown field intensity, dependence of impedance on the amplitude of impulse current, V-I curves and transient impedances were discussed based on the voltage and current oscillograms. It was found that the ionization process and dynamic behaviors were strongly dependent on the types of soil and two current peaks were not observed in highly water-saturated soils. The results presented in this paper will provide useful information on the improvement of transient performance of a grounding system subjected to lightning impulse Current considering the soil ionization.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.7 no.2
• /
• pp.263-268
• /
• 2003

In this paper, we have investigated double gate (DG) MOSFET structure, which has main gate (NG) and two side gates (SG). We know that optimum side gate voltage for each side gate length is about 3V in the main gate 50nm. Also, we know that optimum side gate length for each for main gate length is about 70nm. DG MOSFET shows a small threshold voltage roll-off. From the I-V characteristics, we obtained IDsat=550$mutextrm{A}$/${\mu}{\textrm}{m}$ at VMG=VDS=1.5V and VSG=3.0V for DG MOSFET with the main gate length of 50nm and the side gate length of 70nm. The subthreshold slope is 86.2㎷/decade, transconductance is 114$mutextrm{A}$/${\mu}{\textrm}{m}$ and DIBL (Drain Induced Barrier Lowering) is 43.37㎷. Then, we have investigated the advantage of this structure for the application to multi-input NAND gate logic. Then, we have obtained very high cut-off frequency of 41.4GHz in the DG MOSFET.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.37 no.6
• /
• pp.24-33
• /
• 2000

Switching behaviour of the ferroelectric thin film and device characteristics of the MFSFET(Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET) are simulated with taking into account the accumulation of oxygen vacancies near interface between the ferroelectric thin film and the bottom electrode caused by the progress of fatigue. In our switching model, relative switched charge is 0.74 nC before fatigue, but after the progress of fatigue it reduces to 0.15 nC with the generation of oxygen vacancies. It indicates that the generation of oxygen vacancies strongly suppresses polarization reversal. $C-V_G\;and\;I_D-V_G$ curves in our MFSFET device model exhibit the memory window of 2 V and show the accumulation, the depletion and the inversion regions in capacitance characteristic clearly. The difference of saturation drain current of the device before fatigue in shown by the dual threshold voltages in $I_D-V_G$ curve as 6nA/$cm^2$ and decreases as much as 50% after fatigue. Decrease of the difference of saturation drain currents by fatigue implies that the accumulation of oxygen vacancies with the fatigue should be avoided in the device application. Our simulation model is expected to play an important role in estimation of the behavior of MFSFET device with various ferroelectric thin films.