• Defense and Technology
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• no.5 s.267
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• pp.52-59
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• 2001

본딩은 전기/전자 시스템뿐만 아니라 연료, 엔진, 비행제어, 유/공압계통 등에서도 안전한 전기적인 운용을 하기 위해서 필요하다. 항공기 개발에서 본딩은 설계시부터 요구조건을 두어 엄격히 관리해야 하며, 제작시에도 제시된 요구조건에 맞게 본딩을 해야 한다. 항공기의 전기/전자계통 설계시 요구성능과 항공기 및 운용자의 안전성 확보를 본딩 계통의 설계목표로 설정하고, 세부적인 본딩 요구조건과 유사기종의 설계개념을 보완하여 현실적으로 적용가능한 적용분야별 본딩 설치 및 설계 요구조건을 정립하는 것이 매우 필수적이라고 판단된다. 이 글에서는 항공기 설계시 고려해야 되는 본딩 일반요구조건에 대하여 기술해 보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.171-171
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• 2008

본 연구는 초음파 알루미늄 웨지 및 금 볼 본딩을 동시에 적용 가능한 본딩 Pad의 금속학적 안정성을 고려한 표층전극 형성 방법에 관한 것이다. 특히, 이동통신 및 전장용 모듈의 복합 및 융합화로 LTCC기판 패키징에 있어서 다양한 본딩 기술이 요구되고 있다. 전통적인 interconnection 기술인 Au ball 본딩 및 초음파 에너지를 이용한 Al wedge 본딩 기술이 동시에 사용되어야 하는 패키지 구조의 경우 본딩 패드의 표층전극 설계는 서로 상충되는 조건이 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 LTCC기판의 표층전극의 Metal finish 방법으로 이용되는 ENEPIG(무전해 Ni/Pd/Au도금)공법으로 Au ball 본딩 및 초음파 Al wedge 본딩을 동시에 가능하게 하는 solution을 제시하여 패키징 자유도뿐만 아니라 Interconnection 신뢰성을 확보할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.382-383
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• 2006

본 연구에서는 열처리 본딩장비를 실제로 개발하여 Al/Sus와 Al/Al의 두 재료를 서로 본딩 하였다. 열처리 본딩 실험을 하기 위해서 열처리시에 온도분포를 정확히 파악하기 위해서 컴퓨터모의실험으로 같은 재료인 Al/Al과 서로 다른 재료인 Al/Sus의 온도분포를 나타내었다. 본딩된 두 가지의 sample들을 FESEM으로 접합부의 표면조직 상태를 측정하였고 인장력측정 장치로 bonding strength를 측정하였다. 접착제를 사용한 본딩 sample 보다는 더 본딩 결합력이 크다는 것을 확인할 수 있었다.

• 전기의세계
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• v.39 no.6
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• pp.42-49
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• 1990

반도체 조립과 관련하여 다이본딩 시스템, 와이어본딩 시스템 및 인라인 시스템의 구성 및 기능을 살펴보고, 자동화를 위해 필요한 관리제어, 시각처리 및 통신에 대하여 간략하게 알아보고자 한다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• s.438
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• pp.73-73
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• 2013

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.384-384
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• 2008

그라핀 기판 제작을 위해서는 그라파이트의 탈착이 가장 핵심 기술이다. 본 연구에서는 신뢰성 있는 그라핀 기판 제작을 위해서, HOPG(Highly Ordered Pyrolytic Graphite) 기판에 고농도의 이온을 주입하고, HOPG를 이형기판에 본딩한후, 후속 열처리를 통해 HOPG를 탈착시켜 그리핀을 얻는 일련의 기본 실험에 대한 결과를 보여 주고자 한다. 기대하는 효과는 고농도의 수소/산소 이온의 경우 주입된 고농도의 수소/산소가 후속 열처리동안 이동 및 뭉침현상을 통해 HOPG기판 내에 수소압력(혹은 CO2 발생)을 증가시켜 HOPG를 자르는 것을 기대하고 있다. 일차 수소이온 주입의 실험결과, 기대와는 달리 $900^{\circ}C$ 열처리에도 절단현상이 발견되지 않아서 산소이온주입에 대한 추가실험을 진행 중이다. 그라핀 본딩의 경우 그라핀의 큰 roughness로 인해 $SiO_2$만의 Fusion 본딩은 불가능함을 여러 실험을 통해 알 수 있었고, 현재 SiO2/SOG 혹은 SiO2/Fox를 이용한 본딩실험을 진행중이다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.64.1-64.1
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• 2011

LCD 디스플레이 등에 사용되는 글래스 패널 위에 bare si die를 직접 실장하는 COG 플립칩 패키지의 경우 Au 범프와 ITO 패드 간의 전기적 접속 및 접합부 신뢰성 확보를 위해 접속소재로서 ACF (anisotropic conductive film)가 사용되고 있다. 그러나 ACF는 고가이고 접속피치 미세화에 따라 브릿지 형상에 의한 쇼트 등의 문제가 발행할 수 있어 NCP (non-conductive paste)의 상용화가 요구되고 있다. 본 연구에서는 NCP를 적용한 COG 패키지에 있어서 온도, 압력 등의 열압착 본딩 조건과 NCP 물성이 Au-ITO 접합부의 전기적 및 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. NCP는 에폭시 레진과 경화제, 촉매제를 사용하여 다양하게 포뮬레이션을 하였고 DSC (Differential Scanning Calorimeter), TGA (Thermogravimetric Analysis), DEA (Dielectric Analysis) 등의 열분석장비를 이용하여 NCP의 물성과 경화 거동을 확인하였다. 테스트 베드는 면적 $5.2{\times}7.2\;mm^2$, 두께 650 ${\mu}m$, 접속피치 200 ${\mu}m$의 Au범프가 형성된 플립칩 실리콘 다이와 접속패드가 ITO로 finish된 글래스 기판을 사용하였다. 글래스 기판과 실리콘 칩은 본딩 전 PVA Tepla사의 Microwave 플라즈마 장비로 Ar, $O_2$ 플라즈마 처리를 하였으며, Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 사용하여 본딩하였다. 본딩 후 접합면의 보이드를 평가하고 die 전단강도로 접합강도를 측정하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.37 no.3
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• pp.43-48
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• 2000

In this paper, vortical integrated transformers using bondwires are proposed and characterized for MMIC's (Monolithic Microwave Integrated Circuits) In a wide range of frequencies (1∼20 GHz), where full-wave analysis by the FEM (Finite Element Method) was adopted. The electrical characteristics of the proposed transformers are compared with those of the spiral transformer. We extracted mutual inductances from S -parameters. The vertical transformers using bondwires have not only low insertion loss but also reduce parasitic capacitances and dielectric loss due to their separation from substrates. It can be fabricated easily by used of the modern automatic wirebonding technology. It is expected that the proposed transformers are to improve the performance of MMIC's applied to impedance matching, and phase shifting circuits.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.45 no.5
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• pp.466-472
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• 2007

A technology platform for wafer-level three-dimensional integration circuits (3D-ICs) is presented, and that uses wafer bonding with low-k polymeric adhesives and Cu damascene inter-wafer interconnects. In this work, one of such technical platforms is explained and characterized using a test vehicle of inter-wafer 3D via-chain structures. Electrical and mechanical characterizations of the structure are performed using continuously connected 3D via-chains. Evaluation results of the wafer bonding, which is a necessary process for stacking the wafers and uses low-k dielectrics as polymeric adhesive, are also presented through the wafer bonding between a glass wafer and a silicon wafer. After wafer bonding, three evaluations are conducted; (1) the fraction of bonded area is measured through the optical inspection, (2) the qualitative bond strength test to inspect the separation of the bonded wafers is taken by a razor blade, and (3) the quantitative bond strength is measured by a four point bending. To date, benzocyclobutene (BCB), $Flare^{TM}$, methylsilsesquioxane (MSSQ) and parylene-N were considered as bonding adhesives. Of the candidates, BCB and $Flare^{TM}$ were determined as adhesives after screening tests. By comparing BCB and $Flare^{TM}$, it was deduced that BCB is better as a baseline adhesive. It was because although wafer pairs bonded using $Flare^{TM}$ has a higher bond strength than those using BCB, wafer pairs bonded using BCB is still higher than that at the interface between Cu and porous low-k interlevel dielectrics (ILD), indicating almost 100% of bonded area routinely.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.25 no.6
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• pp.54-58
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• 2011