• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.2207-2209
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• 2000

본 논문에서는 접지 모델을 활용하여 접지계의 임펄스 임피던스를 계산하고, 선로 임피던스에 연결된 접지 임피던스의 반사계수를 계산하여 대지로 유입되는 분류율을 평가하였다. 따라서 접지 저항을 낮추는 경우 평상시 전위 상승효과를 줄일 수는 있지만 위험전압의 인가시에는 인축의 안전과 기기의 절연 측면에서 악조건의 상황이 될 수 있다. 또한 접지 모델에서 용량의 변화와 접지 저항의 변화에 따른 반사계수의 변화를 확인하였고, 상용 주파수 근처에서는 저항 성분만 존재하고 리액턴스 효과는 없음을 확인하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제28권6호
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• pp.7-14
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• 2014

We proposed a new algorithm to improve the calculation speed of forward ray tracing method which was quite a problem in conventional Monte Carlo algorithm. To verify the accuracy and the effect of improving calculation speed, we directly compared integrating sphere characteristics with conventional ray tracing algorithm under the same condition which was referred in a reference paper. By applying new algorithm to an absolute reflectometer, we calculated the degree of errors which were caused by baffle and port characteristics to find optimal system design condition.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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• pp.90-93
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• 1987

Phase conjugate wavefront generation via real-time holography in degenerate four-wave mixing experiments in photo-refractive crystal $Bi_{12}$ Si $O_{20}$ is presented. Depending on the respective values of applied field $E_o$ and fringe spacing, drift or diffusion of the photecarriers dominates the space-charge buildup and affects the Phasa- Conjugate Wavefront intensity. The experimental results for wavefront reflectivity as a function of the intensity ratio of the writing beams agree with the theoretical predictions.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2003년도 학술대회논문집
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• pp.227-232
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• 2003

Anodizing film was prepared by anodic oxidation of pure aluminum(purity > 99.50) using DC power supply for constant current mode in an electrolytic solution of surface of sulfuric acid. Effects of pre-treatment process such as chemical polishing, acid cleaning, alkali etching before anodic oxidation, were studied to microstructures and surface morphologies. A roughness on surface of anodizing film had to be decreased for amorphous phase by anodic oxidation. A roughness on surface of anodizing film decrease as annealing temperature increased in chemical polishing.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2003년도 학술대회논문집
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• pp.145-153
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• 2003

본 연구에서는 초등학생들의 시력 저하에 작용될 수 있는 교실조명 환경에서의 문제점을 파악하기 위하여 주광 이용을 포함한 교실의 조명환경으로 책상면 조도, 칠판면 조도, 균제도, 휘도, 반사율등 시력에 작용되는 요소들을 측정하고 분석하였다. 교실조명의 문제점을 최소화시키기 위한 조명환경을 개선하고 개선된 조명환경 하에서 계절 변화에 따라 달라지는 조명 특성의 변화를 지속적으로 측정 분석하였다. 일정 기간 경과 후 개선된 환경에서 생활한 학생들과 개선되지 않은 환경에서 생활한 학생들의 시력의 변화를 측정하여 비교 분석함으로써 교실 조명환경이 학생들의 시력변화에 미치는 영향 및 상관 관계를 분석하고자 하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1503-1504
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• 2011

염료 감응형 태양전지(Dye-sensitized Solar Cells, DSC)에서 고효율화를 위해 light scattering layer가 반도체 산화물 $TiO_2$와 함께 많이 사용되고 있다. 이것은 light scattering layer에 의해 빛의 이용률을 증가시킴으로써 DSC의 성능을 증대 시킬 수 있기 때문이다. 따라서 본 연구에서는 입자크기가 크고 반사율이 좋은 $Nb_2O_5$를 light scattering layer로 사용하여 $TiO_2$ layer를 통과한 빛을 다시 반사시켜 빛의 이용률을 증대시킴으로써 DSC 성능면에서 light scattering layer를 사용하지 않았을 때보다 전류밀도와 효율을 크게 증가시키고자 하였다. 그 결과 $V_{OC}$는 0.74V, $J_{SC}$는 17.95mA/$cm^2$, FF는 0.63, ${\Box}$는 8.38%로 기존의 DSC 보다 전류밀도가 약 30%, 효율이 약 31% 증가한 좋은 결과를 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.146-149
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• 2004

Porous silicon(PS) as an excellent light diffuser can be used as an antireflection layer without other antireflection coating(ARC) materials. PS layers were obtained by electrochemical etching(ECE) anodization of silicon wafers in hydrofluoric acid/ethanol/de-ionized(DI) water solution($HF/EtOH/H_2O$). This technique is based on the selective removal of Si atoms from the sample surface forming a layer of PS with adjustable optical, electrical, and mechanical properties. A PS layer with optimal ARC characteristics was obtained in charge density (Q) of 5.2 $C/cm^2$. The weighted reflectance is reduced from 33 % to 4 % in the wavelength between 400 and 1000 nm. The weighted reflectance with optimized PS layers is much less than that obtained with a commercial SiNx ARC on a potassium hydroxide(KOH) pre-textured multi-crystalline silicon(mc-Si) surface.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제2권2호
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• pp.117-126
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• 1989

9/65/35 PLZT 세라믹을 그레인 크기에 따라 2단소성법으로 제조하여 그 전기적, 광학적특성을 관찰하고 횡모드 복굴절방식의 반사형 디스플레이소자를 제작하여 그 동작특성을 조사하였다. P-E곡선은 슬림형의 히스테리시스를 타나냈으며 그레인이 커질수록 유기분극과 광투과율은 증가하지만 복굴절율은 감소하여 디스플레이소자 구동시 콘트라스트 비가 감소 하였다. 디스플레이소자의 동작개시 전압은 1mm전극 간격에서 300V이고, $V_{(CR.Max)}$ 전압은 550V였으며 가시각도에 따른 콘트라스트 비의 비율((60.deg./90.deg.), $G_{S}$:4.mu.m)은 0.67이었다.다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.165-165
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• 2007

투명전도박막은 ITO, $SnO_2$, ZnO, 등이 있으나 $SnO_2$는 자외선 영역까지 투과시키는 우수한 광학적 특성을 나타내지만, 상당히 큰 전기저항으로 인해 현재는 현재 ITO가 널리 이용되고 있다. ITO(Indium Tin Oxide)박막은 자외선 영역에서 반사율이 높으며 가시광선영역에서는 80%이상의 뛰어난 투과율을 가지고 있다. 또한 낮은 전기저항과 넓은 광학적 밴드갭 때문에 가장 유용한 투과전도성 재료 중에 하나이다. 이러한 특성 때문에 여러 가지 문자 표시소자의 투명전극, 태양전지의 창재료, 정전차폐를 위한 반도체 포장재료, 열반사막, 면발열체, 광전변환 소자에 응용되고 있다. 일반적으로 박막의 제작에는 저항가열법과 전자선가열법, 스퍼터링법의 물리적 증착과 화학적 증착으로 나뉜다. 본 논문에서는 증착온도를 달리 하여 RF-sputtering에 의해 ITO박막을 증착한 후 온도증가에 따른 박막의 특성을 연구하였으며 또한 광역평탄화를 위한 CMP공정을 적용하여 증착온도가 연마에 미치는 영향을 연구하였다. 본 실험에서 사용된 ITO박막은 $2{\times}2Cm$의 Corning glass위에 증착되었으며 타겟은 $In_2O_3$와 $SnO_2$가 9:1로 혼합된 Purity 99.99%이상의 직경 2 inch인 ITO타겟을 사용하였다. 박막 증착시 기판온도는 상온에M $200^{\circ}C$까지 변화시켰으며 RF power는 100W로 일정하게 하였으며 증착압력은 $8{\times}10^{-2}$Torr이였다. CMP공정조건은 헤드속도 60rpm, 플레이튼 속도 60rpm, 슬러리 주입 유량 60mml/min, 압력 $300g/cm^2$이였다. 전기적 특성은 four point probe를 이용하여 측정하였으며 광학적 특성은 UV-Visible Spectrometer를 이용하여 200~900nm의 파장범위에서 광투과도를 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.36-36
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• 2007

본 논문에서는 SoP-L(System on Package-Laminates) 기술을 이용하여 이종의 유전율을 가진 유기물 적층 기반의 수동소자를 이용한 GSM/DCS 대역 분리용 diplexer를 설계, 제작하였고 그 특성을 고찰하였다. SoP-L 기술은 LTCC기술과 같은 타 SoP 기술과 비교해서 이종의 물질을 접합하는데 용이하고 공정비용이 저렴하다. 이러한 장점을 이용하여 캐때시터는 유전율 40의 고유전율 재료를 사이에 두고 구성하였고, 인덕터 부문에는 유전율 4률 적용, 정방혈 스파이럴 구조로 두 개 층으로 구성하여 소형화를 이룰 수 있었다. 제작 시에 구리와 유기물을 적층, patterning 하였고, 수직 via hole 을 형성하고 구리의 무전해, 전해 도금 과정을 거쳐 각 소자를 연결하였다. 이러한 과정을 거쳐 제작된 diplexer의 GSM 저역 통과 필터는 0.52 dB이하의 삽입손실과 20 dB 이상의 반사손실을 가지고 DCS 통과 대역 부근에 notch 가 존재하도록 설계함으로써 DCS 통과 대역에서 17 dB 이상의 저지특성을 나타내었다. DCS 고역 통과 필터는 1.2 dB 이하의 삽입손실과 16 dB 이상의 반사손실을 가지며 GSM 통과 대역 부근에 notch를 가지도록 설계하여 GSM 통과대역에서 32 dB 이상의 저지특성을 나타내었다.