현재 electronics와 광 electronics등 전자기 관련 분야를 제외하고는 모든 산업을 지탱할 수 없을 만큼 그 이용에는 가히 엄청나다고 할 수 있겠다. 특히 높은 경도를 갖으며 우수한 성형성을 갖지만 전기를 잘 통하지 않는 glass를 기능재료로서 전도성을 높이려는 시도는 중요한 과제라고 생각되어진다. 이러한 관점에서 전기 자기적 기능을 가진 new glass의 개발과 전도성에 따른 분류, 즉 전자 전도성 glass와 이온 전도성 glass, 초전도용 glass등의 응용에 대해서 논하고자 한다. 전도성은 하전체의 종류에 따라 크게 전자전도와 이온 전도로 크게 나눌 수 있으며 그림 1에 여러물질의 전도도를 나타내고 있다.
단결정 다이아몬드의 열전도도는 약 22W/cm.K로 열전도도가 가장 큰 물질로 알려져 있으며, 비저항은 10$\Omega$.cm 이상의 높은 값을 갖는다. 대부분 열전도도가 큰 것으로 알려진 물질들은 Cu, Ag 등과 같이 전자의 흐름에 의하여 열이 전도되기 때문에 큰 전기전도도를 함께 갖는 것일 일반적이다, 그러나, 다이아몬드는 빠른 phonon의 이동에 의하여 열전도가 이루어지므로 전기적으로 절연 특성을 갖으면서도 큰 열전도가 가능하다. 단결정 다이아몬드는 고방열 절연체로서 이상적인 물질 특성을 보여준다. 전기절연성을 갖는 열전도층으로 다이아몬드를 이용하기 위해서는 저가로 제조가 용이한 화학기상증착법을 이용하여야 한다. 화학기상증착법으로 제조된 다결정 다이아몬드 박막의 열전도도는 약 21W/cm.K로 여전히 매우 높은 값을 갖는 것으로 알려져 있지만, 비저항 값은 인위적으로 도핑을 전혀 하지 않은 상태에서도 106$\Omega$.cm 정도의 낮은 값을 갖는다. 전혀 도핑을 하지 않았음에도 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여 주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기 전도성을 갖는 특이한 특성을 다결정 다이아몬드가 보여주고 있으므로 이에 대한 연구는 주로 전기전도성의 원인을 규명하는데 집중되고 있다. 아직 명확한 전도 기구는 제안되고 있지 못하지만 전도성의 원인은 수소와 관련이 있고 전도는 표면을 통하여 이루어진다는 것이다. 산(acid)을 이용하여 다결정 다이아몬드 박막을 세척하면 전기 전도성이 사라지고 높은 저항값을 갖는 박막을 얻게 되는데 박막을 세척하는 공정은 박막의 표면만을 변호시키므로 표면에 있던 전기전도층이 용액 처리를 통하여 제거되므로 전도성이 사라진다고 생각하는 것이다. 그러나, 본 연구에서는 두께가 두꺼울수록 저항값이 증가하는 것이 관찰되었고 기존의 측정방식인 수평적인 저항 측정법에 대하여 수직적 방향으로 저항을 측정하면 저항값이 1/2 정도 작게 측정되었다. 다결정 다이아몬드에서 표면을 통하여 전류가 흐른다면 박막의 두께에 따른 변화가 나타나지 않아야 하고 수직적인 전류 측정법이 오히려 더 큰 저항을 보여주어야 한다. 기존의 표면 전도 모델로는 설명되지 못하는 현상들이 관찰되었고 정확한 전기 전도 경로를 확인하기 위하여 전해 도금법으로 금속들이 석출되는 모습을 관찰하였다. 이 방법을 통하여 다결정 다이아몬드에서 전류는 결정입계를 통하여 전도됨을 알 수 있었다. 온도에 따른 다결정 다이아몬드의 전기전도도 변화를 관찰하였고 이로부터 활성화 에너지 값을 구할 수 있었다. 다결정 다이아몬드의 전도도는 온도에 따라서 0.049eV와 0.979eV의 두 개의 활성화 에너지를 갖는 구간으로 나뉘어졌다. 이로부터 다결정 다이아몬드에는 활성화 에너지 값이 다른 두 종류의 defect level이 형성되는 것으로 추정할 수 있고 이 낮은 defect level에 의하여 전도성을 갖는 것으로 생각된다.
금속과 유사한 전도성을 가진 공액이중결합의 전기전도성 고분자를 사용한 Langmuir-Blodett (LB) 막의 제조에 관한 연구는 그 범위가 넓으며, 지금까지 많은 연구 논문들이 보고되고 있다[1]. 특히 전도성이 뛰어난 polyaniline, polypyrrole, polythiophene은 전도성과 stability가 우수하여 전기 전도성 LB 막에 대한 연구들이 많이 진행되어 왔다[2]. 본 연구에서는 이와 같은 전기전도성 유기물질을 사용한 전도성 LB막이 수직방향에 비해 수평방향의 전기전도도가 크다는 전기적 장점을 이용하여 전도성 LB막을 제조하기 위해 새로운 전도성 고분자를 합성하여 전기 전도성을 띄는 LB 막을 제조하였다[3,4]. (중략)
전기 전도성 고분자는 전하 이동체의 종류에 따라 이온과 전자 전도성 고분자로 구분되며 전자 전도성 고분자는 절연체인 고분자에 전도체를 혼합하는 전도성복합체와 본질적으로 전도성을 갖는 고분자로 나뉘어진다. 전도성복합체는 제법이 간단하여 이미 전기ㆍ전자산업에 많이 이용되고 있지만 일정한 전도도의 유지와 가공성 향상 및 염가의 제품 제조는 아직 과제로 남아있다.(중략)
각종 monomer를 공중합시킨 PE의 고전계 전기전도와 X선 유기 TSC(X-ray induced thermally stimulated current)를 측정하고 공중합 monomer의 영향에 대하여 검토하였다. 할로겐을 함유한 공중합 PE에서 고전계 전기전도가 억제되는 것을 관찰하였다. 또 할로겐을 함유하는 monomer를 공중합시킨 PE의 X선 유기 TSC에서는 공중합에 의한 전자 trap은 약 0.4eV정도로 평가된다. 이들 시료에서 절연 파괴 강도가 상승한 것은 전자 트랩이 전자의 전계가속을 억제하여 고전계 전기전도를 억제시키고 절연파괴강도를 향상 시킨 것으로 추측된다.
3,4-ethylenedioxythiophene(EDOT)을 ferric-toluenesulfonate(FTS)로 doping하여 합성하였다. 이때 다양한 유기용매를 함께 첨가하여 합성하였고, 온도에 따른 각각의 DC 전도도를 측정하였다. FTS로 dofing된 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)는 3-D variable range hopping model을 잘 따르며, alcohol류의 용매와 함께 합성한 경우는 상온의 DC 전도도가 2 S/cm로 0.4 S/cm의 reference 보다 전기전도를 증가시키는 반면, ketone류는 약 $10^{-11}$ S/cm로 전기전도를 감소시키는 경향을 보였다. 전도도의 증감과 doping level의 관계를 규명하기 위하여 X-ray 분석을 하였다.
일반적으로, 전도성 고분자는 금속에 준하는 전기 전도도와 다공성을 이용한 전해질 이온 및 생채 고분자의 물리, 화학적 도우핑 능력을 장점으로 한다. 따라서, 이 분야의 최근 연구동향도 이온 도우핑에 의한 전도성 고분자의 전기 전도도 향상에 초점이 맞추어져 있으며, 이미 다수의 연구진에 의행 여러 가지 방법이 제시되었다. 본 논문은 전기 화학적 cementation 공정을 이용하여 금속 이온을 전도성 고분자에 도우핑하고 특성을 고찰하였다. 전도성 고분자로써 polypyrrole (PPy)을 사용하고, micropaticles (구리와 니켈 이온)를 도펀트 (dopant)로 하여 -1.5 V ${\sim}$ 2V의 범위에서 순환 전압 전류법 (Cyclic voltammetry)을 이용해 organic-inorganic complex를 제작하였고, 각각의 전극을 비교, 분석 하였다. 구리 이온을 도우핑한 PPy 필름은 전기 전도도가 매우 우수하나 대기 중 공기 및 수분에 의해 쉽게 산화되므로 life-time이 짧다. 이를 보완하기 위하여 상대적으로 안정한 니켈 이온을 도우핑한 PPy 필름의 전기 화학적 특성을 고찰하였다. 전극의 표면은 SEM (Scanning Electron Microscopy), EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy)를 이용하여 분석하였다.
본 연구에서는 유기절연재료의 재방사선 재료개발을 위한다는 측면에서 두께 15[.mu.m]의 이축 연신 폴리프로필렌 필름을 시료로 선정하여 Co$^{60}$-.gamma.으로 조사시켜 온도 25-55[.deg.C], 전계 10-250[MV/m]사이에서 방사선 조사량 변화에 따른 전기전도현상을 연구하였다. 조사된 시료의 전기전도는 온도에 크게 의존하여 전계의 증가와 더불어 각기 다른 전도기구 특성을 갖는 4개의 영역으로 구분되었는데 각 영역별로 조사선량 변화에 따른 하전입자들의 거동상황을 규명하고 기초적인 제 물성정수를 결정하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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