• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1983-1984
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• 2008

뇌 활동의 전기적 신호인 뇌파(EEG)와 외부 자극에 대한 유발 전위(EP)를 측정하여 실시간으로 뇌지형도를 생성하는 real-time brain mapping system을 개발하였다. 측정 전극은 32채널을 사용하였고, EEG를 실시간 및 누적 주파수 분석을 통한 뇌파의 활성도 진단, EP를 측정하여 시각적/청각적 자극에 의한 유발 전위 분석을 할 수 있다. 본 시스템은 측정 대상군의 통계적 분석을 위한 Database를 구축하였고, 신뢰성 높은 뇌파 및 유발 전위 신호를 위하여 실시간 측정과정 및 측정 후 Data 검토과정에서 다양한 Artifact 제거 알고리즘이 도입되었다. 또한, 32 채널 Brain map을 구성하여 뇌파를 공간적으로 분석 가능하며, 시간 및 주파수의 증가에 따라 Brain map을 동영상화하여 시간적/주파수적 변화에 따른 분석이 가능하다.

• Journal of the KSME
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• v.23 no.5
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• pp.344-348
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• 1983

유속의 최초 측정방법은 Torricelli (1608-1647)가 Bernoulli 방정식을 오리피스에 적용하여 유속 계산식 v =k.root.2gh를 유도하였고, 그 이후 역시 Bernoulli 방정식을 이용하여 Henri Pitot (1695-1771)는 정체점에 대한 이론을 고려하여 정체압을 측정하는 방법으로 가는관을 이용하여 Seine 강의 유속을 측정하는데 성공하므로서 이론적인 유속계산식 v =k.root.2gh는 가장 원시적인 피토우관(Pito-tube) 이나 오리피스에 의한 유속계산식이지만, 현재에 아무리 전기적인 정밀측정 방법과 레이저에 의한 측정방법이 개발되어도 결국 피토우관에 의한 측정값이나 압력측정치와의 교정(Calibration)이 선행되지 않으면 안되기 때문에, 피토우관에 의한 측정방법은 가장 원시적 이면서 가장 정확한 측정방법의 하나이다. 다만 피토우관에 의한 측정은 속도장내의 평균속도를 측정하게 되고 난류성분의 해석이 불가능하며, 그 측정이 일차원 유동에 국한된다는 것이 단점 으로 되어 있다. 이러한 점들을 보완할 수 있는 측정장치 들이 많이 개발되고 있으나 본 해설 에서는 공기유동의 경우 우리가 가장 많이 사용하고 있는 열선풍속계에 대하여 그 용법을 논하기 로 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2001.05a
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• pp.303-306
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• 2001

Using THz time-domain spectroscopy (THz-TDS), the power absorption and the real conductivity of silica sand are measured terahertz frequency range. It is impossible to measure the characterization of the silica sand by simple electrical measurements using mechanical contacts, e.g., Hail effect or four-point probe measurements. However, the THz-TDS technique can measure not only electrical but also optical characterization of the sample. Also this technique can measure frequency dependent results. Especially, the real conductivity was increased according to THz frequency this is unusual material compare with metal and semiconductor materials; the measured real conductivity are not followed by the simple Drude theory.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.246-246
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• 2012

최근의 디스플레이 시장에서는 고효율 저전력, 자발광 소자인 OLED가 차세대 디스플레이 시장의 블루칩으로써 연구되고 개선되어 왔다. 고효율, 고휘도 구현이 가능한 OLED 소자는 초기 발광 시 수명감소, 저전류 구동 효율 개선 및 소자의 유기 재료 개선의 문제점에 직면해 있기 때문에 많은 가능성을 아직 현실화 하지 못하고 있다. 본 연구에서는 전기적 스트레스를 가한 OLED 소자의 전기적, 광학적 성질을 측정함으로써 열화에 따른 소자의 특성 변화를 확인하여 문제점을 개선하는데 기여하고자 한다. $2{\times}2$ inch Glass에 $2{\times}2$ mm 크기의 발광면적을 갖는 Red OLED 소자를 제작한 후 Source Measure Unit을 이용, 8 V의 과전압을 72시간 동안 인가하여 소자의 열화현상을 가속시켰다. 이후 I-V-L 장비를 이용하여 전기적 특성 및 휘도 특성을 측정하였다. 측정된 결과는 휘도가 8 V에서 10,620 cd/$m^2$ ＞ 9,849 cd/$m^2$ (약 7.2% 감소)로 변화한 것을 확인 하였으며, 휘도 효율과 전력 효율을 측정해본 결과 8 V 에서의 소비전력 효율 역시 16%에서 ＞ 15%로(약 1%감소) 변화하였으나 안정적으로 발광이 유지되는 3 V~6 V 구간에서는 효율이 약 13%가 감소하였다. 또한 휘도 효율은 8 V 기준으로 1% , 3 V~6 V 구간에서는 약 8% 감소하였다. 본 연구 결과를 통하여 OLED 소자의 열화 현상은 소자의 휘도 감소뿐만 아니라 소비전력증가, 열화현상의 촉진으로 이어지는 것으로 확인 되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07d
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• pp.3061-3062
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• 2005

고정밀급 저항 및 센서류를 사용할 때 정확한 전기저항의 측정이 요구되므로 누설전류 혹은 누설저항 효과는 중요한 측정오차로 나타난다. 그 누설효과를 측정하는 두 가지 방법들에 의한 측정결과와 여기서 제안하는 방법의 결과를 서로 비교하였다. 세 가비 방법 모두 비슷한 결과를 나타내었으나 제시한 방법의 결과가 조금 더 크게 나타났다. 그 원인은 누설경로가 생기는 부분들에 대한 해석의 차이와 수 pA 정도의 적은 누설전류로 인하여 시간적으로 보다 안정된 상태에서 측정이 되어야 한다는 점에서 비롯된다고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.257-257
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• 2011

현재의 평판 디스플레이를 대체할 차세대 정보전달 매체로서 플랙서블 디스플레이가 부각되고 있다. 이러한 플렉서블 디스플레이의 발전과 함께 터치스크린 패널 또한 같은 방향으로 연구 개발이 필요하다. 플렉서블 터치 스크린 패널의 연구에서 가장 큰 문제는 ITO의 휨에 따른 깨짐 현상으로 인한 전기적 특성의 저하이다. 이 논문에서는 현재 터치 스크린 패널로 사용되는 ITO/PET 샘플과 ITO/PET 를 패터닝한 그 위에 PEDOT을 증착한 구조를 전기적, 기계적, 광학적 특성을 비교하였다. 실험진행은 샘플의 면저항 및 투과도, hall measurement 측정을 진행하였고, 추가적으로 샘플의 Bending test를 통해 bending 횟수에 따른 박막의 특성을 분석하였다. 측정 결과, ITO/PET 와 PEDOT/patterned ITO/PET 샘플의 면저항은 400${\Omega}/{\Box}$, 424${\Omega}/{\Box}$로 큰 변화가 없었으며, hall 측정결과 중에서 carrier concentration은 2.8${\times}$1,020/cm-3, 4.492${\times}$1,021/cm-3로 증가 하였다. 투과도를 측정한 결과 97.6%, 96% 정도로 큰 변화는 없었다. 하지만, bending 횟수에 따른 면저항 특성의 변화 측정 결과 PEDOT/patterned ITO/PET 샘플의 면저항 변화가 기존의 ITO/PET 샘플의 면저항 변화와 비교하여 거의 변화가 없어, 기계적 특성에서 우수한 특성을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.04a
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• pp.33-36
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• 2004

세계적으로 전기수요와 전기풀질의 중요성의 증대로 진력설비의 감시 및 보호를 위한 센싱기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 기존의 전압 및 전류측정 장치인 철심형 변성기는 측정전압이나 전류가 증가될수록 전기적 절연설계가 어렵고 외형 부피가 커질 뿐만 아니라, 측정의 정확도, CT 철심의 자속포화로 인한 사고전류측정의 어려움 등의 문제점이나 단점을 가지고 있어서, 이를 해결하기 위해 센서기술의 개발이 진행되고 있다. 따라서 본 논문에서는 전력설비분야에서의 새로운 센싱기술에 대한 연구개발 동향 및 상용화동향을 분석하고, 이를 통해 국가 과학기술정보의 확산 및 국가 경쟁력 증대에 작으나마 도움이 되고자 한다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.11 no.4
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• pp.51-58
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• 1997

I배열형 광다이오드인 EG&G Reticon을 사용하여 측정시간이 약 10[ms]인 광측정용 초고속 분광광도계를 제작하였다. 핵심 부품인 배열형 광다이오드의 물리적 특성인 화소의 균일성, 선형성, 분광감응도를 측정하였다. 화소의 균일성과 선형성은 각각 0.5[%] 이내에서 일치하였으며, 분광감응도는 400[nm]에서 900[nm]까지 표준검출기를 사용하여 구하였다. 제작된 분광광도계는 2[nm]의 대역폭으로 측정이 가능하며 측정불확도는 2[%] 정도였다. 성능평가를 위해 미표준국의 표준기준물인 2009 didymium 필터와 수은 선광원을 측정한 결과 양호한 값을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.215.1-215.1
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• 2016

플라즈마는 반도체, 디스플레이, 태양전지 등 다양한 산업 분야에 이용된다. 플라즈마 공정 시 수율 향상을 위해 플라즈마를 진단하는 기술이 필요한데, 대표적으로 전자온도가 있다. 반도체 공정의 낮은 압력과 높은 밀도의 플라즈마에서 전자온도는 1~10 eV 정도인데, 0.5 eV정도의 아주 적은 차이로도 공정 결과에 큰 영향을 미친다. 플라즈마의 전자온도를 측정하는 방법은 전기적 탐침 방법인 랑뮤어 탐침(Langmuir Probe)과 와이즈 프로브(Wise Probe)를 이용한 방법, 그리고 광학적 방법인 방출분광법(OES : Optical Emission Spectroscopy)이 있다. 전기적 탐침 방법은 직접 플라즈마 내부에 탐침을 넣기 때문에 불활성 기체를 사용한 공정에서는 잘 작동하지만 건식식각이나 증착에 사용할 경우 탐침의 오염으로 인한 오동작, 공정 시 생성된 샘플에 영향을 줄 수 있다는 단점이 있다. 반면에 방출분광법은 광학적 진단으로, 플라즈마를 사용하는 공정 진행 중에 외부에 광학계를 설치하여 플라즈마에서 발생하는 빛을 광학적으로 분석하기 때문에 공정에 영향을 미치지 않고, 공정 장비에 적용이 쉬운 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 RF Power를 인가한 유도결합플라즈마(ICP : Inductively Coupled Plasma) 공정에서 아르곤 가스와 산소 혼합가스 분압과 인가전압을 변화시켜 플라즈마 방출광 세기 변화에 따른 전자온도를 측정하였다. 전자온도 측정에는 전기적 방법인 랑뮤어 탐침, 와이즈 프로브를 이용한 방법과 광학적 방법인 방출분광법을 사용하여 측정하였으며 이를 비교 분석하였다.

• JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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• no.11 s.131
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• pp.94-98
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• 1987

수전반의 스위치를 끊지 않고 활선상태에서 옥내배선 등의 누전양을 측정하는 방법이 고안되었다. 이 방법에 따르면 클램프형 전류계를 모체로, 어댑터를 부가시키는 것만으로 지극히 손쉽게 실질적인 누전양을 바르게 측정할 수 있다. 여기서는 그 기본원리와 구체적인 방법$\cdot$용구에 대해 해설한다.