• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.9 no.3
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• pp.173-178
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• 2009

We have investigated the electrical properties of oxide metal thin film device. The device has been fabricated top-top electrode structure and its transport properties are measured in order to study the resistance change. Electrical properties with linear voltage sweep on a electrodes are used to show the variation of resistance of oxide metal thin film device. Fabricated oxide metal thin film device with MIM structure is changed from a low conductive Off-state to a high conductive On-state by the external linear voltage sweep. The $Si/SiO_2/MgO$ device is switched from a high resistance state to a low resistance state by forming. Consequently, we believe oxide metal is a promising material for a next-generation nonvolatile memory and other electrical applications.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.444-444
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• 2012

본 연구에서는 흑연(graphite)과 티타늄(titanum; Ti) 타겟이 양쪽에 부착되어 있는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 Ti가 도핑되어진 탄소(a-C:Ti) 박막을 증착하였다. 흑연 타겟의 파워는 고정하고 Ti 타겟 파워를 증가시켜 탄소 박막내에 Ti의 함량을 증가시켰으며, Ti 금속 함량에 따른 탄소박막의 경도와 마찰계수, 표면의 거칠기, 접촉각 등의 물리적 특성과 비저항 등 전기적 특성을 고찰하였으며, XPS와 라만등을 이용하여 a-C:Ti 박막의 구조적 특성을 고찰하여 Ti 금속 함량에 따른 구조적 특성과 물리적 특성, 전기적 특성과의 관계를 규명하였다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.320-321
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• 2000

전기장 발광현상(Electroluminescence, 이하 EL)은 1936년 Destriau$^{[1]}$ 가 ZnS:Cu 분말에서 처음 전기장 발광현상을 발견한 이래 TFEL(Thin Film EL)소자의 구동전압을 감소시키는 문제는 ACTFEL(Alternating Current Thin Film EL)소자의 개발이후 계속적인 관심의 대상이 되어왔다. TFEL 소자는 전기적으로 용량소자이므로 전기장 인가시 각 층의 정전용량의 역수에 비례하는 전압이 분배되므로 동일한 조건의 형광막 사용시 소자의 구동전압을 낮추기 위해서는 절연박막의 두께를 줄이는 방법과 유전율이 높은 물질을 사용하는 방법이 있으나, 전자의 경우에는 박막의 결함이 생기기 쉬워 한계가 있기 때문에 고유전율 특성을 갖는 새로운 물질을 개발하는 것이 바람직하다. Ta$_2$O$_{5}$ 박막의 경우 작은 누설전류 특성과 고유전율 특성으로 인해 고집적을 요하는 반도체 분야에서 많은 연구가 진행되어 왔다. 또한 EL소자 응용시 효율면에서 우수한 특성이 기대되며, 특히 수분에 강한 특성을 가지고 있어 EL소자의 안정성이 예견되는 바이다. 본 연구에서는 Ta$_2$O$_{5}$ 박막의 산소 결핍에 따른 전기적 특성에 대해 연구하였고 Ta$_2$O$_{5}$ 박막을 이용한 저전압에서 구동가능한 전기장 발광소자를 제작하여 전기광학적 특성에 대해 연구하였다. (중략

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.269-269
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• 2010

$SnO_2$ 나노선은 n-type의 전기적 특성과 우수한 광 특성을 보이며, 전자소자, 광소자 뿐 아니라 다양한 종류의 가스 센서 등에 응용되고 있다. 그러나 $SnO_2$ 나노선은 공기중에서 전기적으로 불안정한 특성을 보이며, 도핑을 하지 않은 나노선 소자에서는 전자의 모빌러티가 높지 않다는 단점을 갖고 있다. 이를 개선하고자 본 연구에서는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition)으로 Sb을 도핑한 $SnO_2$ 나노선을 성장하여 전계방출효과 트랜지스터 (field effect transistor: FET)를 제작하여 전기적 특성과 UV 반응성의 변화를 측정하였다. Sb 도핑 양을 늘려감에 따라 전기적 특성이 반도체 특성에서 점점 금속 특성으로 변하는 것과 게이트 전압의 영향을 적게 받는 것을 확인하였다. 또한 도핑을 해준 $SnO_2$ 나노선의 경우 UV 반응과 회복 시간이 기존에 비하여 크게 감소하여 UV 센서에 더욱 적합해진 것을 확인하였다. 또한, 슬라이딩 트랜스퍼 공정을 이용하여 나노선을 원하는 기판에 정렬된 상태로 전이할 때 도핑한 나노선은 표면특성의 변화로 정렬도가 크게 감소하는 것을 확인하였고, 기판에 윤활제를 사용하여 정렬도를 높일 수 있었다.

• 전기의세계
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• v.21 no.2
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• pp.41-46
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• 1972

가공송전선의 전기적특성은 비교적 간단한 이론공식에 의하여 정확한 치수를 구할수 있으나, 지중선의 그것은 그렇지 않다. 지중선의 전기특성은 도체 상호간 근접효과, 절연체의 유도손, pipe내의 활유손, 그리고 토양의 방열효과등이 그 영향을 미치므로 그 이론공식이 대단히 복잡하다. 본문에서는 전호에 이어 우리나라에서 시초로 건설될 pipe type cable의 허용전류의 계산방법의 미완부분을 계속해서 소개하고져 한다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.45.1-45.1
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• 2010

소성 온도에 따른 전면 전극과 태양전지 에미터와의 계면에서 전기적 특성을 평가하였다. Ag 전극 형성 시 특정 온도 이상의 열처리 과정을 통해 에미터와 전극 간 양질의 전기적 접촉을 형성하기 위해 소성 온도에 따라 Ag paste 내의 siver가 결정화되어 에미터 내부로 성장함을 확인 하고 Ag 전극의 전기적 특성을 평가하였다. 소성 온도 $650{\sim}750^{\circ}C$에서 전기적 특성이 가장 좋았으며 silver의 결정 생성에 의해 Ag paste와 에미터 간 전기적 접촉이 잘 형성됨을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.206-206
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• 2011

투명 전도성 산화물 (TCO, Transparent Conductive Oxide) 박막을 태양전지에 적용하기 위해서는 우수한 전기 전도성 및 가시광 영역에서 높은 투과율을 가져야 한다. 대표적인 TCO 물질인 ITO (Indium tin oxide) 박막은 우수한 전기적, 광학적 특성을 가지고 있지만 $400^{\circ}C$ 이상의 고온에서는 전기저항이 급격히 증가하게 되어 실제 태양전지 패널에 적용했을 때 전기적 특성이 저하된다. 따라서 태양전지용 TCO 박막을 개발 시, 뛰어난 고온 안정성이 요구되고 있다. 본 연구에서는 고온 안정적 특성을 지니는 Ga3+를 도핑한 ZnO 계열 TCO인 GZO/ITO multi-layered 박막을 증착하였다. 또한 buffer layer의 두께 변화 및 구조 제어를 통한 최위층 박막의 전기적 특성 및 결정성을 조사하였으며 다층 박막의 계면 간 특성 및 굴절률 제어를 통한 광학적 물성을 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.370-371
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• 2006

본 연구에서는 PZT박막의 강 유전 캐패시터 제작을 위한 연구로, 4-inch크기의 $SiO_2$/Pt/Ti/Si가 증착된 웨이퍼를 습식 식각하여 $SiO_2$ 패턴(0.8um)을 형성하였고, PZT박막의 캐패시터 제작을 위해 패턴 웨이퍼에 $Pb_{1.1}$($Zr_{0.52}Ti_{0.48}$)$O_3$조성을 갖는 PZT를 증착하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리 후 페로브스카이트 구조를 가지는 PZT 박막의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 따른 전기적 특성을 연구하였다. 강유전체 소자 적용을 위한 CMP 공정으로 제조된 PZT 박막 캐패시터의 P-E특성, I-V특성, 피로특성 등의 전기적 특성을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.11a
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• pp.502-505
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• 2002

본 논문에서는 냉음극 형광램프의 구조 및 동작원리를 파악하고 램프의 특성을 알아본다. 램프의 특성에 영향을 주는 요소인 관경, 관길이, 가스압, 전극등을 최적화 하여야 하고 CCFL(cold cathode fluorescent lamp) 의 휘도가 관선류, 주파수, 가스압력, 주위온도에 의한 영향에 따른 전기적 및 광학적인 특성을 분석하고자 한다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2003.06a
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• pp.253-255
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• 2003

Flash memory는 device 특성상 peripheral circuit을 구성하는 transistor의 종류가 다양하고, 이에 따른 각 transistor의 동작 전압 영역이 넓다. 이에 따라 설계 초기의 전기적 특성 스펙 절정을 위해서는, silicon 상에서 소자의 scale down에 따른 전기적 특성을 선 검증하는 과정이 필수적이었으며, 이로 인해 설계 및 소자 개발의 기간을 단축하기 어려웠다. 본 연구에서는 TCAD tool을 사용하여 silicon상에서의 제작 공정을 거치지 않고, 효과적으로 model parameter를 생성할 수 있도록 하는 방법을 제안하여. 전기적 특성 스펙 결정과 설계 단계의 시간 지연을 감소할 수 있도록 한다.