• Title/Summary/Keyword: 전극접촉저항

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Effect of Total Resistance of Electrochemical Cell on Electrochemical Impedance of Reinforced Concrete Using a Three-Electrode System (3전극방식을 활용한 철근 콘크리트의 교류임피던스 측정 시 전기화학 셀저항의 영향)

  • Khan, Md. Al-Masrur;Kim, Je-Kyoung;Yee, Jurng-Jae;Kee, Seong-Hoon
    • Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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    • v.26 no.6
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    • pp.82-92
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    • 2022
  • This study aims to investigate the effect of total electrochemical cell resistance (TECR) on electrochemical impedance (EI) measurements of reinforced concrete (RC) by electrochemical impedance spectroscopy (EIS) using a three-electrode system. A series of experimental study is performed to measure electrochemical behavior of a steel bar embedded in a concrete cube specimen, with a side length of 200 mm, in various experimental conditions. Main variables include concrete dry conditions, coupling resistance between sensing electrodes and concrete surface, and area of the counter electrode. It is demonstrated that EI values remains stable when the compliant voltage of a measuring device is sufficiently great compared to the potential drop caused by TECR of concrete specimens. It is confirmed that the effect of the coupling resistance of TECR is far more influential than other two factors (concrete dry conditions and area of the counter electrode). The results in this study can be used as a fundamental basis for development of a surface-mount sensor for corrosion monitoring of reinforced concrete structures exposed to wet-and-dry cycles under marine environment.

Electrical properties and contact energy barrier of ZnO nanowire field effect transistor (ZnO 나노선 FET에서의 접촉 에너지 장벽의 전기적 특성 연구)

  • Kim, Kang-Hyun;Yim, Chan-Young;Kim, Hye-Young;Kim, Gue-Tak;Kang, Hae-Yong;Lee, Jong-Su;Kang, Woun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2005.07a
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    • pp.13-14
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    • 2005
  • ZnO 단일 나노선 field effect transistor (FET) 소자의 2단자 전류-전압 특성을 조사해 보면 n-type 반도체 특성이 나타남을 알 수 있다. 그러나 2단자로 측정 할 경우 반도체 나노선과 금속 전극사이에 존재하는 접촉저항의 영향이 필연적으로 포함된다. 따라서 측정한 결과가 나노선에 의해서 나타나는 고유한 특성인지 접촉저항의 원인이 되는 에너지 장벽의 성질인지 명확히 밝힐 필요가 있다. 그래서 이번 연구에서는 4단자 측정방법을 이용하여 접촉저항 성분을 배제한 소자의 고유한 성질을 밝혀낼 뿐만 아니라, 이것을 2단자의 결과와 비교함으로써 접촉점에서 나타나는 에너지 장벽의 특징도 파악해 낼 수 있었다. 실험에서 사용된 ZnO FET 소자의 경우, 접촉점에서 생기는 에너지 장벽을 터널링을 통해 극복하는 것으로 분석되었고 이는 온도 변화에 따른 4 단자 및 2 단자 전류-전압 측정을 통해 확인될 수 있었다.

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The Ground Resistance Reduction Effect of o Conductive Expansion Ground Resistance Reducing Material (도전성 팽창 접지저감재의 접지저항 저감 효과)

  • Kim, Jong-Wook;Kim, Kyung-Chul;Choi, Jong-Kee;Kang, Min-Gyu;Baek, Nam-Woong
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.22 no.2
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    • pp.155-161
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    • 2008
  • The grounding systems provide a low resistance path for fault or normal currents into the earth. The material for reducing ground resistance is buried around the grounding electrode to increase its effective size of the electrode and thus to obtain low ground resistance. Increasing the contacting area with the grounding electrode is effective for lowering the ground resistance in soils. Using this idea the conductive expansion ground resistance reducing material was developed. In this paper experimental data has shown that the ground resistance reduction method using proposed material is superior to using a typically available commercial ground resistance reducing material.

High Temperature Ohmic Contacts to Monocrystalline $\beta$-SiC Thin Film Using Nitride Thin Films (질화물 박막을 이용한 단결정 $\beta$-SiC의 고온 ohmic 접촉 연구)

  • Choe, Yeon-Sik;Na, Hun-Ju;Jeong, Jae-Gyeong;Kim, Hyeong-Jun
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.10 no.1
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    • pp.21-28
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    • 2000
  • Refractory metals, W and Ti, and their nitrides, $W_2N$ and TiN, were investigated for using as an ohmic contact material with SiC single crystalline thin films. The possibility of nitride materials for using as a stable ohmic contact material of SiC at high temperatures was examined by considering the thermal stability depending on the heat treatment temperature, their electrical properties and protective behavior from the interdiffusion. W contact with SiC thin films, deposited by using new organosilicon precursor, bis-trimethylsilylmethane, showed the lowest resistivity, $2.17{\times}10^{-5}$$\textrm{cm}^2$. On the other hand, Ti-based contact materials showed higher contact resistivity than W-based ones. The oxidation of contact materials was restricted by applying Pt thin films on those electrodes. Nitride electrodes had rather stable electrical properties and better protective behavior from interdiffusion than metal electrodes.

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Simulation of heat flow for rectangular electrodes (사각형 전극에서의 열유동 해석)

  • 신윤섭;박수웅;나석주
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.8 no.1
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    • pp.62-69
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    • 1990
  • Being focused on the recent studies that the fatigue strength of resistance spot weldmentes can be improved by using ellipsoidal weld nuggets, the voltage and temperature distribution in resistance spot weldments were simulated for the various rectangular electrodes which had the different aspect ratio of the contact area. Because the electrode shape was not axi-symmetric, the solution domain for simulation should be three dimensional. A series of experiments were carred out to verify the analytically obtained temperature distribution in the weldment. From the calculational and experimental results, it could be revealed that the nugget took the form of ellipsoid, while both results showed a considerable discrepancy for the high aspect ratio.

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투명 전도성 전극에 대한 탄소나노튜브 네트워크 구조 특성과 전기적 특성의 상관관계

  • Jeong, Hyeok;Kim, Do-Jin
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.10a
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    • pp.17.1-17.1
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    • 2011
  • 본 연구에서는 탄소나노튜브 네트워크의 구조 변화에 따른 투명 전도성 필름의 전기적, 광학적 특성 변화를 관찰하였다. 탄소나노튜브 기반 필름의 전기적 특성은 탄소나노튜브의 직경, 길이에 큰 영향을 받을 뿐만 아니라 개별의 탄소나노튜브가 기판에 적층되어 형성되는 네트워크의 구조 변화에도 영향을 받는다. 이에 대해 본 연구에서는 분산제의 종류 및 농도에 따른 용액내 탄소나노튜브의 분산도, 산소 플라즈마 처리에 따른 기판의 표면장력, 탄소나노튜브의 정제에 따른 순도를 변화 시켰으며, 이에 따른 탄소나노튜브 네트워크 구조변화를 관찰하였다. 또한, 탄소나노튜브 네트워크의 구조변화에 따른 전기적, 광학적 특성 변화를 관찰하고, 이를 통해 탄소나노튜브 필름의 전기적 특성에 개별 탄소나노튜브간에 발생하는 접촉저항의 영향을 논의하였다.

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Fabrication and Electrochemical Analysis of Back-gate FET Based on Graphene for O2 Gas Sensor

  • Kim, Jin-Hwan;Choe, Hyeon-Gwang;Kim, Jong-Yeol;Im, Gi-Hong;Jeon, Min-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.271-271
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    • 2014
  • 본 연구에서는 최근 다양한 전자 소자로써의 연구가 진행되고 있는 그라핀을 SiO2/Si 기판 위에 전자빔 식각(Electron-Beam Lithography)을 이용하여 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자를 형성하고 가스 유입이 가능한 진공 Probe Measurement System을 이용하여 금속 전극과 그라핀 간의 접촉저항 (Rc) 및 길이가 다른 채널저항(Rch)를 구하고, 채널 길이, 가스 유량, 온도, 게이트 전압에 따른 I-V 변화를 측정함으로써, 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자의 가스 센서로서의 가능성을 연구하였다. 후면 게이트 전극 구조의 그라핀 채널을 갖는 삼단자 소자는 전자빔 식각(Electron-Beam Lithography)에 의해 패턴을 제작하고 Evaporator를 이용하여 전극을 증착 하였다. 소자의 소스 (Source)와 드레인 (Drain)은 TLM (Transfer Length Method)패턴을 이용하여 인접한 두 개의 전극간 범위를 변화시키는 형태로 제작함으로써 소스-드레인간 채널 길이가 다르게 하였다. 이 때 전극의 크기는 가로, 세로 각각 $20{\mu}m$, $40{\mu}m$이며 전극간 간격은 $20/30/40/50/60{\mu}m$로 서로 다르게 배열 하였다. 제작된 그라핀 소자는 진공 Probe Measurement System 내에서 게이트 전압(VG)를 변화시킴으로써 VG 변화에 따른 소자의 특성을 평가하였는데, mTorr 상태의 챔버 내로 O2 가스를 주입하여 그라핀의 Dangling bond 및 Defect site에 결합 된 가스로 인한 전기적 특성의 변화를 측정하고, 이 때 가스의 유량을 50 sccm에서 500 sccm 까지 변화시킴으로써 전기적 특성 변화를 측정하여 센서 소자의 민감도를 평가하였다. 또한, 서로 다르게 배열한 소스-드레인 간의 채널 길이로 인하여 채널과의 접촉 면적에 따른 센서 소자의 민감도 또한 평가할 수 있었다. 그리고 챔버 내 온도를 77 K에서 400 K까지 변화시킴으로써 온도에 따른 소자의 작동 범위를 확인하고 소자의 온도의존성을 평가하였다.

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Study on the Safety of the Grounding Rods in the Distribution System (IEEE Std 80에 따른 배전용 접지동봉의 안전성 검토)

  • Kang, Moon-Ho;Lee, Heung-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07a
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    • pp.470-471
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    • 2006
  • 다중 접지 배전계통에서 발생하는 이상전압으로부터 전력설비의 안정적인 운영과 인체안전을 위해 주로 봉상 접지전극을 이용하여 대지방전경로를 구성하고 있다. 그리고 접지종류별로 접지 저항값을 규정하고 이를 시공에 적용하고 있다. 지락고장이 발생하면 접지전극으로 유입되는 고장전류에 비례하여 대지전위가 상승하기 때문에 이에 대한 인체 안전성측정 및 검토가 필요하다. 따라서 본 논문에서는 IEEE Std 80에서 제시하는 안전성 기준에 기초하여 다중 접지 배전계통에서 접지전극으로 널리 사용되는 봉상 접지전극을 대상으로 상용주파전류를 인가하여 대지전위상승에 따른 접촉전압을 측정하였으며, CDEGS 프로그램을 이용하여 보폭전압을 모의하였다. 또한 이 값을 IEEE Std 80에서 제시하는 최대 허용 보폭전압과 접촉전압과 비교하여 인체 안전성을 검토하였다.

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Cold Spray 증착된 Cu의 전면전극 특성연구

  • Gang, Byeong-Jun;Park, Seong-Eun;Kim, Yeong-Do;Kim, Seong-Tak;Lee, Hae-Seok;Cha, Yu-Hong;Kim, Do-Yeon;Park, Jeong-Jae;Yun, Seok-Gu;Kim, Dong-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.482.1-482.1
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    • 2014
  • 고효율 셀 및 생산 단가 절감은 결정질 실리콘 태양전지에서 가장 중요시되고 있는 이슈이다. 그 중 박형 실리콘 웨이퍼를 사용하는 공정은 고효율 및 생산단가의 절감을 만족시킬수 있는 방안으로 개발되고 있으며, 전면 전극 재료인 Ag를 다른 금속 재료로 대체하는 방법 또한 단가 절감을 위한 방안으로 연구가 진행 중이다. 하지만 박형 웨이퍼를 기존 공정에 적용할 시 전후면 전극 형성을 위한 고온의 소성 공정 때문에 웨이퍼의 휨 현상이 문제가 되고 있다. Cu 금속 분말의 저온 분사법을 결정질 실리콘 태양전지 전면전극 형성에 적용할 경우, 박형 실리콘 웨이퍼에 적용하는 문제와 Ag 전극의 대체 전극 사용 문제를 동시에 해결할 수 있는 대안이 될 것으로 사료된다. 본 연구에서는 Cold spray법을 사용하여 결정질 실리콘 태양전지 에미터 위에 Cu 전면 전극을 형성하였으며 반복되는 증착 횟수에 따른 전기적 특성 및 형상학적 특성 등을 평가하였다. 전극 형성 전의 Cu 분말 크기는 1~10 마이크론 이었으며, 주사전자현미경을 이용하여 전극의 형상 및 종횡비를 측정하였다. 또한 transfer length method (TLM) 패턴을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하여 접촉 저항 특성 및 전극의 비저항을 평가하였다.

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Application of electrochemical process to Si solar cells (전기화학적 공정의 실리콘 태양전지에 대한 응용)

  • Lee, Eun-Gyeong;Kim, Mi-Seong;Yu, In-Jun;Im, Jae-Hong;Lee, Gyu-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.172-173
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    • 2011
  • 실리콘 태양전지의 공정의 단순화와 효율을 극대화시키기 위하여 전기화학적 방법을 통하여 반사방지막(Anti-Reflection layer)의 선택적 식각공정과 선택적 오믹 전극을 형성하였다. Anti-Reflection coating 층의 식각 공정은 종전의 사진공정을 이용하지 않는 전기-화학적 나노식각을 적용하여 보다 용이한 공정을 연구하였다. 또한 태양전지의 효율을 증대시키기 위하여 전면에서 받은 빛 에너지로 발생된 전자가 전극부분에서 회로로 이동하기 위해 더욱 낮은 저항 값을 가지는 전극 구조가 필요하다. 이를 위해 Ni-P 박막을 형성시킨 전극부분을 열처리함으로써 오믹 접합 특성을 향상시켜 접촉 저항을 현격히 낮출 수 있는 기술을 연구하였다.

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