• Title/Summary/Keyword: 전극재

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Adhesion Behaviors of Semiconductive-Insulation Interfaced Liquid Silicone Rubber for EHV Cable Accessory (초고압 접속재용 반도전-절연체 액상실리콘 계면의 접착거동)

  • Yoon, Seung-Hoon;Kim, Hyun-Seok;Kim, Ji-Hwan;Lee, Jung-Hee
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.10a
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    • pp.123-127
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    • 2003
  • 액상실리콘으로 이루어진 초고압전력케이블용 프리몰드 접속재의 반도전-절연체 계면접합체를 다양한 제조조건과 조합별로 제조하여 계면접착력에 대한 영향을 검토하였다. 후가교적용 시 계면접착력이 강화되며 grade조합에 따른 특성차이가 존재하였다. 하지만 고온 장시간의 후가교 조건에서는 계면간의 화학적 결합력의 저하로 인해 오히려 접착력이 낮아지기도 하였다. 절연 RTV와의 계면접착성은 S-1재료가, 절연 LSR의 경우에는 S-3 재료가 가장 우수하였으며 도전안정성 측면에서도 S-3 재료가 상대적으로 유리하였다. 매입형 전극체를 제조하여 절연파괴거동을 연구한 결과 계면접착성과의 직접적인 상관관계는 크지 않음을 알 수 있었다.

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태양광 모듈용 EVA의 수분 침투에 관한연구

  • Kim, Han-Byeol;Jeong, Tae-Hui;Kim, Gyeong-Su;Gang, Gi-Hwan;Jang, Hyo-Sik
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.690-690
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    • 2013
  • Field에 설치된 PV모듈은 가혹한 외부 환경에 노출되어 외부 하중, 온도 변화, 자외선, 수분 등의 영향을 받게 된다. 특히 PV모듈 내부로 수분이 침투 하였을 경우에는 태양전지와 전극의 부식 등 발전성능을 크게 저하시킬 수 있다. 이러한 외부 환경으로부터 태양전지가 안정적으로 발전할 수 있도록 PV 모듈은 전면재료인 유리와 후면재료인 Back Sheet를 진공 상태에서 압력을 가해 봉합하는 Lamination 공정을 거쳐 제작 되어 진다. 특히 Lamination 공정에 사용되는 EVA (ethylene vinyl acetate)는 PV모듈의 내구성능을 좌우할 수 있는 가장 중요한 재료중 하나이다. 본 논문에서는 Lamination 공정에 사용되어지는 EVA의 수분 침투의 특성에 관한 연구를 수행하였다. 공정 조건에 따른 EVA에 침투 되는 수분의 양을 확인하기 위해 Lamination 공정 조건을 변경하여 실험을 진행하였다. 그리고 외부 환경 변화에 의한 영향을 확인하기 위해 EVA가 수분에 노출 되는 시간과 온도를 변화시켜 보았다. 실험의 결과는 외부에 노출된 PV 모듈의 내부에 침투할 수 있는 수분의 양을 예상할 수 있게 하며, 수분 침투에 의한 내구성의 저하를 감소시키기 위한 최적의 Lamination 공정 조건과 봉합재 선정을 위한 기초 자료를 제공한다.

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직류 구동 EL을 이용한 평판 화상 표시장치의 연구동향

  • 정인재;김형곤;오명환
    • 전기의세계
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    • v.37 no.1
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    • pp.42-54
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    • 1988
  • 본 고에서는 화상표시장치로서의 모든 요건을 대부분 만족시키며 제조공정 등이 비교적 용이하고 평면화상표시장치의 대규모 생산에 알맞는 것으로 알려진 직류형 분말 EL을 이용한 표시장치 기술에 대해 논의한다. 서론에 이어 2장에서는 EL의 동작원리 및 동작특성에 대해 설명하고 3장에서는 투명 전극, EL 분말 처리과정 및 분말의 구리 도금 과정등 직류 EL용 재료의 제조방법 및 특성 등에 대해 기술한다. 4장에서 EL 평판제작 및 발광층 형성 과정에 관해 설명하고 이상의 방법으로 제작된 직류구동형 EL 평판의 열화형태 및 이들의 해결책에 대해 5장에 설명한다. 6장에서는 이들 평판표시장치를 구동하기 위한 주변 전자 회로의 집적화 기술에 대해 설명하며 마지막으로 결론 및 앞으로의 연구방향을 7장에 제시한다.

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고굴절률 레진의 임프린팅 기술을 이용한 발광 다이오드의 광추출효율 향상 연구

  • Byeon, Gyeong-Jae;Jo, Jung-Yeon;Jo, Han-Byeol;Kim, Jin-Seung;Lee, -Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.63.2-63.2
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    • 2011
  • 본 연구에서는 질화물 계 발광 다이오드의 광추출효율을 향상시키키 위해서 발광 다이오드의 ITO 투명전극 층 상부에 임프린팅 공정을 이용하여 고굴절률 레진 패턴을 형성하였다. 고굴절률 레진은 단량체 기반의 열경화성 임프린트 레진에 ZnO 나노 파티클을 분산시켜 제작하였고 ZnO 나노 파티클의 함량비를 달리하여 레진의 굴절률을 조절하였다. 고굴절률 레진으로 이루어진 패터닝 층은 열경화 임프린팅 공정으로 제작되었고 300 nm 크기의 dot 또는 hole 격자 패턴 및 moth-eye 형상의 저반사 나노 패턴 등으로 형성되었다. 발광 다이오드에 형성된 패터닝 층의 굴절률, 구조에 따른 광추출효율 향상 정도를 분석하기 위하여 electroluminescence 측정을 하였으며 I-V characteristics를 통해서 임프린팅 공정에 의하여 발광 다이오드 소자의 전기적 특성이 저하되지 않았음을 확인하였다.

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A Study on the Machining Characteristics of the Electropolishing of Aluminum (알루미늄 재의 전해연마 가공특성에 관한 연구)

  • 조규선;박봉진;이은상
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 1997.10a
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    • pp.943-946
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    • 1997
  • Electropolishing is the controlled electrochemical removal of surface metal, resultmg in a brilliant appearance andimproved properties. Sometimes described as "reverse plating," the process has a leveling effect, which produces smoothnessand increased reflectivity. Unlike conventional mechanical finishing systems, the electropolishing does not smear, bend,stress or fracture the crystalline metal surface to achieve smoothness. Instead, electropolishing removes metal from thesurface producing a unidirectional pattern that is stress-free, microscopically smooth and often highly reflective. In addition,improved corrosion resistance and passivity are achieved on many ferrous and some non-ferrous alloys. Pure aluminium doesnot electropolish well, if at all, but most other alloys of aluminum electropolish excellently.Therefore, the aim of this study is to determine the characteristics of electropolishing aluminium alloy in term of currentdensity, machining time, temperature, electrode gap and workpiece surface measurementkpiece surface measurement

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Design analysis of high efficiency crystalline silicon solar cell using the selective emitter (선택적 에미터를 적용한 고효율 결정질 실리콘 태양전지 구조 설계)

  • Lim, Jong-Keun;Lee, Won-Jae;Moon, In-Sik;Oh, Hoon;Cho, Eun-Chel
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2009.11a
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    • pp.355-358
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    • 2009
  • This paper presents the technology of selective emitter for high efficiency crystalline silicon solar cell. The effect of selective emitter is analyzed by using the simulation program for solar cell, PC1D. The selective emitter shows better spectral response in short wavelength regions compared to homogeneous emitter. Therefore, the efficiency of solar cell with selective emitter can be improved by changing the sheet resistance from 60 $\Omega/\square$ to 120 $\Omega/\square$. In addition, the power loss of solar cell can be minimized by optimizing width and gap of the finger electrodes on the selective emitter.

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고효율 유기발광다이오드의 제작공정과 특성

  • 공수철;장호정;백인재;유재혁
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.05a
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    • pp.224-228
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    • 2005
  • 차세대 디스플레이로서 각광을 받고 있는 OLED는 현재 많은 기업과 대학 연구소에서 연구가 활발히 진행중이다. 현재 12인치 이하에서 양산이 되고 있는 저분자 OLED에 비해 고분자 OLED는 공정이 간단하고 대화면, flexible 디스플레이가 가능하다는 많은 장점을 가지고 있지만 소자의 신뢰성과 안정성에 문제를 갖고 있다. 본 논문에서는 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al 구조를 갖는 유기발광다이오드를 제작하여 전기 광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 구조를 최적화시키기 위하여 ITO 기판의 열처리 효과와 패턴폭에 따른 면저항을 측정하고, 발광효율을 극대화시키기 위하여 다층구조로서 정공수송층인 PEDOT:PSS를 첨가시켜 박막의 표면상태를 향상시켜 ITO기판에서 발광층인 MEH-PPV로의 정공수송을 원활하여 효율을 증대시키려 하였다. 이렇게 형성된 소자에 발광물질인 MEP-PPV의 농도를 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 0.9, $1.5wt\%$로 변화시켜 박막을 형성하고 $3{\times}10^{-6}Torr$ 상태의 고진공에서 Al 전극을 증착시켜 제작된 소자의 전기${\cdot}$광학적 특성을 측정, 비교하였다.

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Electrode dependences of MFSFET Characteristics using BaMgF$_4$ Thin Films (BaMgF$_4$박막을 이용한 MFSFET특성의 전극의존성)

  • 김채규;정순원;김진규;김용성;이남열;김광호;유병곤;이원재
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 1999.05a
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    • pp.465-468
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    • 1999
  • Electrical properties of metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor(MFSFET) using $BaMgF_4$ thin films grown on p-Si(100) substrates have been investigated. $BaMgF_4$ thin films have been directly deposited on the p-Si(100) wafers at a low temperature of $300^{\circ}C$ in an ultra high vacuum(UHV) system. First an in-situ post-deposition annealing was conducted for 20s at $650^{\circ}C$ and second an in-situ post-annealing was conducted for 10s at $950^{\circ}C$. The electrical properties of MFSFET compared with using A1 and Pt electrodes.

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Soldering characteristics of Ag-Pd electrodes in relationship to differing particle size of LTCC substrate (LTCC 기판의 Particle Size 에 따른 Ag-Pd 전극의 Soldering 특성 변화)

  • 조현민;유명재;박종철
    • Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.130-133
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    • 2002
  • Solder leaching resistance of the metal electrode is an important factor with regard to adhesion properties of ceramic substrate. In the Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC), Ag-Pd or Ag-Pt pastes are used instead of pure Ag paste to prevent leaching. Solder leaching behavior of the Ag-Pd paste in relation to LTCC raw material powder size was investigated. First fabrication of LTCC green tape with different particle size was done. LTCC substrates with Ag-Pd electrode were prepared using conventional multilayer ceramic process. Dipping test was performed to test solder leaching behavior of the electrode. Ag-Pd electrode on LTCC substrate with smaller particle size achieved higher solder leaching resistance.

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질화물 계 발광다이오드의 광추출효율 향상을 위한 나노임프린트 리소그래피 공정

  • Byeon, Gyeong-Jae;Hong, Eun-Ju;Park, Hyeong-Won;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.27.2-27.2
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    • 2009
  • 현재 질화물 계 발광다이오드는 액정소자의 백라이트유닛, 모바일폰, 차량용램프, 교통신호등 등 다양한 장치의 광원으로 사용되고 있으며, 그 응용분야는 앞으로도 크게 확대되는 추세에 있다. 이는 발광다이오드의 저전력, 장수명, 친환경적인 장점에 의한 것으로, 일반 조명용 광원으로 사용하기 위한 기술개발이 활발히 진행 중이다. 하지만 질화물 계 발광다이오드를 미래의 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 광출력이 보다 향상되어야 한다. 발광다이오드의 광출력을 저하시키는 요인으로는 다양한 문제점이 있지만 특히 낮은 광추출특성으로인한 광출력저하 문제를 해결해야 한다. 본 연구에서는 질화물 계 발광다이오드의 광추출특성을 향상시키기 위해서 나노임프린트 리소그래피 공정을 도입하였다. UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해서 p형 질화갈륨 및 인듐주석산화물 투명전극 층에 sub-micron 급 광결정패턴을 형성하였으며, 광루미네선스와 전기루미네선스 측정을 통하여 광결정패턴으로 인한 광출력 특성을 분석하였다.

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