• 제목/요약/키워드: 전계 방출

검색결과 406건 처리시간 0.031초

화학기상증착법으로 기판에 직접 성장된 탄소나노튜브 이중 게이트 전계 방출 어레이

  • 한인택
    • 인포메이션 디스플레이
    • /
    • 제7권5호
    • /
    • pp.24-29
    • /
    • 2006
  • 화학기상증착법을 이용하여 이중 게이트 구조에 탄소나노튜브를 직접 성장시켰으며, 제작된 FEA는 91%의 픽셀간 균일도, 스캔 전압 70V 미만, 데이터 전압 30V 미만을 실현하였다. 또한 0.699mm pixel ptich의 동영상 이미지 구현을 시연하였다.