Enhancement of Saturation Current of a p-channel MESFET using SiGe and $\delta$ -dopend Layers
($\delta$ 도핑과 SiGe을 이용한 p 채널 MESFET의 포화 전류 증가)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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- v.36D no.4
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- pp.86-92
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- 1999