Powder type electroluminescent device(P-ELD) in this study was prepared by printing method. P-ELDs were basically composed of phosphor, insulator and transparent conducting layer. The phosphor powder was prepared by sintering the mixture of ZnS as a host, Cu as an activator, and NaCl as a flux for co-activator and enhancement of growth of the phosphor particles. The phosphor layer was made by printing the paste of the cyanoethylpullan as a binder and the ZnS system phosphor powder. In order to evaluate the luminescence characteristics of ZnS P-ELD, applied voltage - luminance(V-L), frequency-luminance(f-L), and relative luminance spectra(L- .lambda.) characteristics were measured. The experimental results show that luminance increased with increasing the applied voltage and frequency. It can be explained in terms of the potential barrier formed between ZnS and CuS. Two emission peaks in luminance-wavelength spectra measured at applied voltage of 100 $V_{rms}$ were observed at 500nm as a primary peak and 460nm as a secondary peak, respectively.y.
We fabricated organic electroluminescent (EL) devices with single layer of poly(3-dodeoylthiophene) (P3DoDT) hlended with different amounts of poly(N-vinylcarbazole) (PVK) as a emitting layer. The molar ratio between P3DoDT and PVK changed with 1:0, 2:1 and 1:1. To improve the external quantum efficiency of EL devices, we applied insulating layer, LiF layer, between polymer emitting layer and Al electrode. All of the devices emit orange-red light and it's can be explained that the energy transfer occurs from PVK to P3DoDT. In the voltage-current and voltage-brightness characteristics of devices applied LiF layer, current and brightness increased with increasing applied voltage. The brightness of the device have a molar ratio 1:1 with LiF layer was about 10 times larger than that of the device without PVK at 6V. Electrical impedance properties of ITO/emitting layer/LiF/Al devices were investigated. In the Cole-Cole plots of impedance data, one semicircle was observed. Therefore, the equivalent circuit for the devices can be designed as a single parallel resistor and capacitor network with series resistor.
청색 발광 SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도를 향상시키기 위하여 황 압력과 열처리 조건을 최적화하여 SrS:CuCl TFEL 소자를 제작하였다. 전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:CuCl 형광체를 6000 ~ 8000 ${\AA}$ 두께로 증착 시킨 후, 800 $^{\circ}C$에서 3분 동안 열처리하여 TFEL 소자를 제작시켰다. 형광체 결정은 열처리 온도 및 열처리 지속 시간의 증가에 따라 향상되었다. SrS:CuCl TFEL 소자는 468 nm 와 500 nm에서 발광 피크 파장을 나타내었고, CIE 색 좌표는 x = 0.21, y = 0.33로 청색 빛이 방출되었다. SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도$(L_{40})$는 형광체 증착 중의 황 압력에 크게 의존하여 황 압력을 $8{\times}10^{-6}$ torr에서 $2{\tiems}10^{-5}$ torr로 증가시켰을 때 262 cd/$m^2$에서 728 cd/$m^2$로 증가되었다.
전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:Cu,X TFEL 소자를 제작한 후, 발광 특성을 분석하였다. 형광체 모체는 SrS 분말을 사용하였고 발광 중심체로는 Cu, $CuF_2,\;Cu_2S$ 또는 CuCl 등의 미분말을 사용하였다. SrS:Cu,X TFEL 소자의 발광 특성은 부활성제에 따라 매우 많은 변화를 나타내었다. SrS:$Cu_2$ TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율 (${\eta}_{20}$)은 각각 1443 cd/$m^2$와 2.44 lm/w를 나타내었고, 녹색 빛의 발광 효율은 ZnS:Tb TFEL 소자보다 높아 새로운 녹색 형광체로의 활용이 기대되었다. SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율(${\eta}_{20}$)은 각각 262 cd/$m^2$와 0.26 lm/w를 나타내었고 청색 빛을 방출하여 새로운 청색 형광체로의 활용 가능성을 확인하였다.
전색 디스플레이의 배경조명과 일반조명으로 응용 가능한 백색 유기발광소자를 제작하기 위해서는 삼원색을 혼합하는 방법과 단색광원의 색변환을 이용하는 방법등이 제안되었다. 삼원색을 혼합하는 방법의 연구가 접근방법 및 효율개선이 용이하기 때문에 많은 연구가 진행되어왔다. 그러나 색변환 방법을 사용하는 구조는 삼원색을 혼합하는 방법에 비해 공정이 단순하며 공정 가격이 낮아지고 안정적인 구조라는 장점이 있기에, 본 연구에서는 무기물 형광체를 청색유기발광 소자에 결합하여 제작된 백색 유기발광소자의 전기적 성질과 광학적 성질을 규명하는 연구를 진행하였다. 본 연구에서는 나노크기의 균일한 형광체를 제작 할 수 있는 졸겔 방법으로 적색 형광체를 제작하였다. 졸겔 방법으로 제작된 형광체에 대한 주사현미경 측정 결과 입자의 표면이 고르며 크기가 작고 균일 하였고, 높은 온도 열처리에 따라서 용매제가 대부분 제거되었기 때문에 형광체 발광 특성이 잘 일어났음을 확인 할 수 있었다. 제작된 형광체의 광학적 성질을 조사하기 위해 형광 루미네센스 측정을 하여 발광특성을 분석하였으며 실제 청색 유기발광소자에 적용하기 위해 tris((3,5-difluoro-4-cyanophenyl)pyridine)iridium (FCNIr)-doped 3,5-bis (N-carbazolyl) benzene (mCP)를 발광층으로 사용하는 진청색의 인광 유기발광소자 배면에 무기물 형광체를 결합하여 인가한 전압에 따른 전계발광분광특성의 변화를 조사하였다. 유기발광소자와 결합된 적색 무기물 형광체는 진청색 인광 유기발광소자에서 발광된 청색빛의 일부를 흡수하여 적색으로 색변환을 하였고 이는 무기물 형광체내에 첨가된 Mn 원자에 의해 색변환이 이루어졌음을 확인하였다. 무기물 형광체를 사용한 백색 유기발광소자의 색변환 메카니즘 및 효율 증진에 대한 연구는 고효율 유기발광소자 제작을 가능하게 할 것이다.
적록청(Red, Green, Blue : RGB)의 세 기본 염료(primary dyes)를 사용하여 백색 유기전계발광소자(White Organic Light Emitting Devices : WOLEDs)을 유기물 분자선 증착(Organic Molecular Beam Deposition)방법에 의해서 제작하였다. 소자의 구조는 $ITO/{\alpha}-NPD(40nm)/DPVBi(6nm)/Alq_3(12nm)/Alq_3:DCJTB(7nm,3%)\;or\;DPVBi:DCJTB(7nm,3%)/Alq_3(35nm)/MgAg(150nm)$으로, red 발광층의 host 물질을 $Alq_3$ 또는 DPVBi의 두 종류를 사용하여 소자를 제작하였다. 이들 소자들은 전류밀도가 증가함에 따라 스펙트럼 곡선의 변화가 거의 보이지 않았으며, 색좌표는 전류밀도 $20mA/cm^2$에서 (0.34,0.34)이고 $100mA/cm^2$에서(0.32,0.33)으로 비교적 안정적이였다. $Alq_3$을 red 발광층의 host로 사용한 소자는 $10mA/cm^2({\sim}6V)$에서 luminance yield가 1.87cd/A 또는 $100cd/m^2({\sim}5.5V)$에서는 발광효율 1.21m/w으로, DPVBi을 red 발광층의 host로 사용한 소자보다 약 20%의 효율향상을 보였다. 그러나 전류밀도 $30mA/cm^2$ 이상에서는 발광효율이 반전되어 나타났다. 이런 현상은 DPVBi을 red 발광층의 host로 사용한 소자가 $Alq_3$을 red 발광층의 host로 사용한 소자보다 발광 소광 현상이 적게 일어난 것에 기인하였다고 생각된다. 두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.
In this study,$ 5{\times}5$ dot-matrix display was implemented with powder electroluminescent device (PELD). Generally PELD which have a luminance from powder phosphor with electric field, inserted phosphor and dielectric layer between electrodes is basic structure. To make high brightness PELD compared to conventional device, new type of PELD was proposed as follows. New PELD had only one layer, which was mixed phosphor (ZnS:Cu) and dielectric (BaTiO3) material appropriately between electrodes. To compare and estimate the conventional and new type of PELD, the EL spectrum, transferred charge density, brightness and decay time was measured. As above result, we fabricated a hish brightness $ 5{\times}5$ dot-matrix display with new type of PELD. Its brightness was 6400 $cd/m^2$ at 200 V, 400Hz.
We have been fabricated the white organic electroluminescent devices using vacuum evaporation method. The structure of the white OELD is Glass/1T0/NPB/DPVBi/AI $q_{3:}$ Ru bren e/B CP/Alq $q_3$/Al. We have got the white emission with two-wavelength that is mixing blue emission in DPVBi layer and orange emission in Al $q_{3:}$Rubrene layer by varying tile doping concentrations of Rubrene and the thickness of NPB layer.yer.
Organic Electroluminescence device, which have the single-layer structure of ITO(indium-tin-oxide)/MEH-PPV (Poly[2-(2'-ethylhexyloxy )-5-methoxy-1,4-pheny lenevinylene])/Al(aluminium) and ITO/MEH-PPV/$Alq_3$(tris-8-hydroxyquinolinato aluminium)/Al were fabricated and electrical properties were investigated. Experimental results, in single-layer structure, shown that turn on voltage is about 12 V, and current density increases as a function of increasing temperature. It was explained by thermionic emission. In double-layer structure, thickness $200\AA$ of $Alq_3$ is shown electrical properties that turn on voltage is about 11 V, and current density decreases as a function of increasing temperature. ࠀ Ȁ 耀 Ѐ
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[게시일 2004년 10월 1일]
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