• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.43-43
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• 2013

붕화질소(hexagonal Boron Nitride, h-BN)위의 그래핀은 산화규소(SiO2) 위에 전사된 그래핀에 비해서 월등한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 전자소자의 산업적 응용을 위한 대면적화를 위하여, 그래핀을 붕화질소위에 화학증기증착(CVD) 방법을 통해 직성장시키고, 그 전기적 성질이 산화규소 및 suspended된 그래핀에 비해서 훨씬 더 이상적임을 원자 수준의 공간해상도에서 초고진공 저온 주사형 터널링 현미경(scanning tunneling microscope, STM)을 통해 입증하였다.

• ETRI Journal
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• v.11 no.1
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• pp.123-135
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• 1989

본 논문에서는 $0.5\mum$의 최소선폭을 가지는 초고집적 소자제조에 필요한 레지스트 재료의 특성 및 레지스트 공정을 살펴보았다. 일반적인 레지스트 특성변수들 중에서 소자의 고집적화에 따라 중요한 미세형상 정의 및 건식식각에 의한 패턴전사에 관련된 변수들을 깊이 살펴보았다. 미세형상 정의에 필요한 레지스트 특성의 한계는 회절에 의한 분해능 한계 이론을 적용하였고, 패턴전사에 필요한 한계는 반응성 이온식각 과정을 고려하여 유추하였다. 마지막으로 굴곡이 있는 기판 상에서의 초미세 형상 정의를 위한 여러가지 레지스트 공정을 간단하게 비교 검토하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.31 no.1
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• pp.99-110
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• 2016

본고에서는 초연결(Hyper-connectivity) 사회 구현에 필수적인 초저지연, 고속/대용량화, 고집적화, 저전력화와 같은 요구사항들을 만족하기 위해 빠르게 진화하고 있는 광 네트워크 인프라 기술을 광 전달망, 가입자망, 광 트랜시버 영역으로 나누어서 영역별로 기술추세와 관련 표준화 동향을 살펴보고 이를 기반으로 미래 광 네트워크 인프라 기술의 진화방향을 조망한다.

• 전기의세계
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• v.31 no.11
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• pp.758-765
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• 1982

레이저어니이링법은 이온주입층의 어니이링뿐만 아니라 단결정기반위의 증착막의 에피택셜 성장, 비정질기반위에 단결정Si 막의 형성, 오옴믹전극이나 금속실리사이트의 형성 등 레어저어니이링법의 장점을 이용한 여러가지 재료처리기술이 연구되어 흥미있는 결과가 얻어지고 있다. 예를 들면 비정질상의 단결정Si의 형성은 값이 싼 태양전지와 삼차원집적화 디바이스를 실현하는 것으로서 주목을 받고 있다. 또한 냉각속도가 지금까지 사용된 여러가지 급냉법보다 큰 점을 이용하여 준안전상합금등의 새로운 재료의 합성이 시행되고 있다. 본고에서는 레이저어니이링의 기구, 특징 및 여러가지 응용예를 중심으로 하여 서술한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.2 no.2
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• pp.146-169
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• 1987

최근 반도체 제조설비에도 컴퓨터가 도입되어 여러기능의 자동화가 진행되고 있다. 그러나 반도체 제조공정 전체의 자동화에는 H/W, S/W면에서 충분히 검토를 한후에 도입하여야 한다. 제조설비를 도입할 경우에는 스펙작성 단계에서 필요한H/W, S/W를 충분히 검토하고, 제조설비 메이커는 여기에 대응할 수 있는 기술력을 갖고 있어야 한다. 현재에는 반도체 device의 고집적화, 고성능화, 웨이퍼 크기의 대형화가 진행중이어서 제조공정의 자동화는 필연적인 문제로 가일층 현실화 될것이다. 본고에서는 미국 및 일본의 대표적인 반도체 공정관리 자동화를 구현하고 있는 업체의 자동화 현황을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.226-227
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• 2002

최근 정보 산업 기기의 고성능화ㆍ소형화 추세에 따라 이에 소요되는 각종 전자 부품들도 고기능화ㆍ고집적화의 방향으로 기술전개가 이루어지고 있으며 현재 큰 장애 요인으로 등장하고 있는 분야중의 하나가 전자 변환 기능을 담당하는 연자성 재료 분야이다. 전자기기의 소형, 콤팩트화를 위해서는 자기 부품의 소형화가 이루어져야 하고, 따라서 여기에 내장되는 연자성 재료의 소형화도 필수적인 조건이 된다. (중략)

• ETRI Journal
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• v.8 no.3
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• pp.15-23
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• 1986

ISL(Integrated Schottky Logic)의 고집적화를 위하여 종래의 p-n 접합 격리 방법 대신에 산화막으로 격리시킨 2마이크론의 최소 설계치수를 갖는 소자를 설계, 제작하여 특성을 분석하였다. 접합 형성을 위한 불순물은 이온 주입법을 이용하여 고속소자가 필연적으로 갖추어야 하는 얕은 접합으로 형성을 시켰으며, 출력단의 쇼트키 다이오드는 백금 실리 사이드를 이용하였다. 링 발진기의 특성에서 최소 전달지연 시간은 한 게이트당 5.7ns의 속도 특성과 논리 진폭은 360mV의 현격한 특성을 나타내었다 .

• 전기의세계
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• v.38 no.4
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• pp.24-35
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• 1989

최근 DRAM 시장을 주도하고 잇는 일본의 유수업체의 DRAM cell의 면적과 대비한 축전용량과의 관계로 한눈에 알 수 있다. 1M DRAM급에서 얻었던 Cs값을 확보하면서 Chip Size를 줄이기 위해서는 Cell Size가 축소 되어야 하며 이에 따른 Active Region의 감소를 만회하기 위해서는 3차원 구조를 가지는 Trench나 Stacked cell의 등장이 불가피하게 된것이다. 따라서, 본고에서는 추후로 기억소자의 고집적화에 따라 필수적으로 요구되는 이러한 3차원 Capacitor형성기술의 특징을 알아보고 그 문제점에 대해 살펴보고자 한다.

• 기계와재료
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• v.21 no.2
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• pp.146-155
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• 2009

본고에서는 레이저 가공의 시대적 요구사항인 고속화와 대면적화에 부응하기 위한 고속 레이저 가공 및 장비 핵심기술의 개발 동향을 분석하고자 한다. 여기서, 고속 레이저 가공기술은 갈바노 모터를 사용하는 고속 스캐너(scanner)와 정밀 스테이지를 연동하여 대면적 제품을 연속으로 가공하는 기술을 말하며 FPD 공정, 태양전지가공, 리모트용접 공정 등에 대표적으로 적용된다. 본고에서는 최근 한국기계연구원에서 개발하고 있는 고속 레이저 가공 및 장비 핵심기술 관련 연구개발 내용도 일부 소개하고자 한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.317-318
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• 2012

최근 전력변환장치에서 널리 사용되고 있는 반도체 소자인 IGBT는 소형 최적화 및 다기능을 갖도록 고집적화설계가 요구되고 있다. 또한, 대용량 소자로 조립공정을 간단히 할 수 있는 제품을 필요로 하고 있다. 본 논문은 고객이 전력변환장치를 설계하는 경우에 개발기간 단축과 최적화된 설계를 할 수 있는 전력용반도체 SKiiP 4에 대해서 소개하고자 한다.