• 제목/요약/키워드: 저항 열 DAC

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AMOLED 컬럼 구동회로 응용을 위한 시분할 기법 기반의 면적 효율적인 10b DAC (An Area-Efficient Time-Shared 10b DAC for AMOLED Column Driver IC Applications)

  • 김원강;안태지;이승훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제53권5호
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    • pp.87-97
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    • 2016
  • 본 논문에서는 시분할 기법을 적용하여 AMOLED 컬럼 구동회로용 DAC의 유효 채널 면적을 최소화한 2단 저항 열 기반의 10비트 DAC를 제안한다. 제안하는 DAC는 시분할 기법 기반의 DEMUX, 6비트 및 4비트의 2단 저항 열 구조를 기반으로 하는 롬 구조의 디코더를 2단계로 사용하여 기존의 디스플레이용 DAC보다 빠른 변환속도를 가지는 동시에 하나의 패널 컬럼 구동을 위한 DAC의 유효 면적을 최소화하였다. 두 번째 단 4비트 저항 열에서는 DAC 채널의 면적과 부하 영향을 줄이는 동시에 버퍼 증폭기로 인한 채널 간 오프셋 부정합을 제거하기 위해 기존의 단위-이득 버퍼 대신 간단한 구조의 전류원으로 대체하였다. 제안하는 1:24 DEMUX는 하나의 클록과 5비트 2진 카운터만을 사용하여, 하나의 DAC 채널이 24개의 컬럼을 순차적으로 구동할 수 있도록 하였다. 각 디스플레이 컬럼을 구동하는 출력 버퍼 입력 단에는 0.9pF의 샘플링 커패시터와 작은 크기의 source follower를 추가하여 top-plate 샘플링 구조를 사용하면서 채널 전하 주입에 의한 영향을 최소화하는 동시에 출력 버퍼의 신호정착 정확도를 향상시켰다. 제안하는 DAC는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 제작하였으며, DAC 출력의 정착 시간은 입력을 '$000_{16}$'에서 '$3FF_{16}$'으로 인가했을 때 62.5ns의 수준을 보인다. 제안하는 DAC 단위 채널의 면적 및 유효 채널 면적은 각각 $0.058mm^2$$0.002mm^2$이며, 3.3V의 아날로그 및 1.8V의 디지털 전원 전압에서 6.08mW의 전력을 소모한다.

0.18 ㎛ CMOS 공정을 이용한 저 전력 1 Ms/s 12-bit 2 단계 저항 열 방식 DAC (A Low-Power 1 Ms/s 12-bit Two Step Resistor String Type DAC in 0.18 ㎛ CMOS Process)

  • 유명섭;박형구;김홍진;이동수;이성호;이강윤
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권5호
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    • pp.67-74
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    • 2013
  • 본 논문은 무선 센서분야를 위한 1MS/s rate의 저 전력 12-bit 2단계 저항 열 DAC를 제시하고 있다. 2단계 저항 열 구조를 채택함으로써 복잡함을 줄이고, 소비 전력을 최소화 하고 변환속도를 증가 시킬 수 있었다. 이 칩은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정에서 제작 되었으며, Die 면적은 $0.76{\mu}m{\times}0.56{\mu}m$ 이다. 1.8V의 공급 전압으로부터 측정된 전력 소비는 1.8 mW 이다. 샘플링 주파수가 1MHz 이하에서 측정된 동적 동작범위(Spurious-Free Dynamic Range: SFDR)은 70dB 이다.

10-비트 CMOS 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기 (A 10-bit CMOS Time-Interpolation Digital-to-Analog Converter)

  • 김문규;장영찬
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.225-228
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    • 2012
  • 본 논문은 8-비트 디코더, 2-비트 시간-인터폴레이터, 그리고 출력 버퍼로 구성된 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기를 제안한다. 제안하는 시간-인터폴레이션 기법은 RC 로우패스 필터에 의한 시정수를 이용해서 charging time을 조절하여 아날로그 값을 결정하는 방법이다. 또한 시간-인터폴레이터를 구현하기 위해 공정 변화를 최소화하기 위해 레플리카 회로를 포함한 제어 펄스 발생기를 제안한다. 제안하는 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기는 3.3 V $0.35{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS 공정을 이용하여 설계된다. 설계된 10-비트 시간-인터폴레이션 디지털-아날로그 변환기의 면적은 기존의 10-비트 저항열 디지털-아날로그 변환기의 61%를 차지한다. 그리고 시뮬레이션 된 DNL과 INL은 각각 +0.15/-0.21 LSB와 +0.15/-0.16 LSB이다.

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