• 제목/요약/키워드: 저항값

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절연보호막 처리된 AI-1% 박막배선의 Electromigration에 대한 길이 의존성 및 Cu 박막배선의 Electromigration 저항성 변화에 대한 연구 (A Study on the Dependence of Length for the Electromigration in the Dielectric Passivation Overlayered AI-1%Si Thin Film Interconnections and the Electromigration Resistance of Cu Thin Film Interconnetions)

  • 양인철;김진영
    • 한국진공학회지
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    • 제4권4호
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    • pp.380-385
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    • 1995
  • AI-1%Si 박막배선에서 수명의 길이 의존성 및 EM에 대한 저항성을 절연보호막 및 온도에 대하여 관찰하였고 ICB증착된 Cu박막배선의 EM에 대한 저항성을 측정하여 진공 열증착된 Cu 박막배선과 비교하였다. 첫째, 절연보호막 처리된 AI-1%Si 박막배선에서 길이가 200$\mu$m에서 1200$\mu$m로 증가함에 따라 전류인가에 의한 평균 수명과 활성화에너지값이 감소하다가 임계길이서부터는 모두 포화되는 것으로 나타났다. 절연보호막 물질에 상관 없이 고온으로 갈수록 임계길이가 짧아지며 그것을 넘는 영역에서는 길에에 대한 의존성이 약해져 임계길이 이상을 갖는 박막배선인 경우 평균수명 및 활성화 에너지값은 길이보다 막특성에 의존하는 것으로 사료된다. 둘째, ICB 증착된 Cu 박막배선의 d.c.인가에 따른 평균 수명은 진공 열층착된 Cu 박막배선보다 길게 나왔으며 e.ectromigration에 대한 활성화 에너지값도 1.70eV로 1.33eV보다 높게 측정되어 EM에 대한 저항성이 증가한 것으로 나타났다.

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접지용 핵심기술 대지고유저항 분석시스템 개발 및 활용 (Core technology for Earthing Development and application of Earth Resistivity Analysis System)

  • 원봉주;유동희;강성철;박재호;박정우
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.515-516
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    • 2011
  • 송 배전 및 정보통신 설비, 건축물 등 모든 분야의 설비 및 인명 보호를 위해서는 반드시 필요하고 중요한 것이 접지이며, 접지 설계 시 대상 부지의 정확한 대지고유저항을 측정, 분석하는 것은 가장 중요하다고 할 수 있다. 본 대지고유저항 분석시스템은 이렇듯 중요한 대지고유저항을 기존의 수작업 분석방법이 아닌 시스템 반복계산에 의한 최적 curve 분석방법을 도입, 측정값의 신뢰도 평가 등을 이용한 측정값 분석으로, 분석값의 정확성을 높이고 분석시간을 단축함으로서 보다 정확하고 신속한 접지설계를 가능하도록 한다.

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정자표면파 트랜스듀서용 마이크로스트립 선로의 복소 입력 임피던스 Full-Wave 계산 (Full-Wave Calculation of the Complex Input Impedance of Microstrip Line Used for Magnetostatic Surface Wave Transducers)

  • 이재현
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.345-352
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    • 2004
  • 본 논문은 페라이트 필름을 기반으로 하는 마이크로스트립 선로로부터 여기되는 정자표면파의 복사 임피던스를 full-wave모멘트 해석법을 이용하여 계산하였다. 마이크로스트립 선로 폭과 페라이트 필름 두께 변화에 따른 여 기 특성 변화도 분석하였다. 정자파 근사에 의하여 계산된 복사 저항값은 주파수가 증가할수록 실험 값과 차이가 심해지나, full-wave 해석에 의하여 계산된 복사 저항값은 실험값에 매우 근접함을 알 수 있었다.

주파수 해석을 통한 PSFB 컨버터 스너버 저항 최적설계 기법 (Snubber Resistor Optimization by Frequency Domain Analyze for PSFB Converter)

  • 고재학;오승민;김학원;조관열
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2018년도 추계학술대회
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    • pp.80-82
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    • 2018
  • 위상천이 풀-브릿지 컨버터(PSFB converter)는 다양한 전원장치에 응용되고 있다. 하지만 2차측에 링잉(ringing)현상이 생겨 다이오드에 과도한 전압 스트레스를 유발하는 문제가 있다. 링잉 현상을 억제하기 위해 스너버 회로를 추가하여 사용해야 하지만 저항 값에 대한 주파수응답 해석이 이루어지지 않아 스너버 튜닝에 많은 시간이 소요되었다. 본 논문에서는 저항 값에 따른 스너버 회로의 주파수 응답특성 분석을 통해 링잉으로 인한 전압 스파이크를 최소화 할 수 있는 저항 값 선정 기법을 제안하며 PSIM/Matlab 시뮬레이션으로 검증한다.

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벼 종자에서 분리한 Fusarium속 균주들의 prochloraz에 대한 저항성 검정 및 교차 저항성 조사 (Detection for the Resistance of Fusarium spp. Isolated from Rice Seeds to Prochloraz and Cross-resistance to Other Fungicides Inhibiting Sterol Biosynthesis)

  • 신명욱;강효중;이용환;김흥태
    • 농약과학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.277-282
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    • 2008
  • Fusarium spp. 균주들에 대한 Prochloraz의 살균효과를 비교하기 위하여 한천희석법을 사용하여 각 균주에 대한 prochloraz의 $EC_{50}$값을 구하였다. 전체 균주에 대한 평균 $EC_{50}$값은 $0.25{\mu}g\;mL^{-1}$이었으며, 최저값과 최고값은 0.02과 $1.78{\mu}g\;mL^{-1}$이었다. Fusarium의 종별로 조사한 평균 $EC_{50}$값을 보면 F. fujikuroi의 경우가 $0.31{\mu}g\;mL^{-1}$, F. moniliformis와 F. proliferatum의 경우는 0.09과 $0.11{\mu}g\;mL^{-1}$이었다. 실험에 사용한 36개 Fusarium 속 균주의 Prochloraz에 대한 감수성과 저항성을 판단할 수 있는 기준 $EC_{50}$ 값은 $0.5{\mu}g\;mL^{-1}$가 타당하며, 이 기준에 의한 저항성 균주의 분리 비율은 13.8%이었다. Prochloraz에 대한 저항성과 Fusarium 균주의 병원성간에는 전혀 상관관계가 없었다. 또한 prochloraz에 대해서 저항성인 균주들은 triflumizole, hexaconazole, difenoconazole, tebuconazole과 교차 저항성을 보이지 않았다.

흰쥐의 좌골 신경 자극을 통한 광전 자극의 가능성에 대한 연구 (Feasibility of Optoelectronic Neural Stimulation Shown in Sciatic Nerve of Rats)

  • 김의태;오승재;박형원;김성준
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제25권6호
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    • pp.611-615
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    • 2004
  • 본 연구는 외부 전원 없이 광다이오드만을 이용하여 생성한 광전 자극을 통해 신경계를 효과적으로 자극하는 방법에 대한 것이다. 광을 통한 전류원 생성 및 전달은 생체 내에 집적된 광소자를 삽입하고 외부에서 광을 통해 신호와 전력을 전달을 한다. 이 기술은 특히 '눈' 이라는 광학적인 연결통로를 이용할 수 있는 인공망막과 같은 시스템에 매우 효과적이다. 그러나 광전 소자를 내부 전원 없이 구동시키는 경우, 광전류가 생체 저항에 직접적인 영향을 받게 되므로 자극에 충분한 전류를 생성할 수 없다. 무 전원 광다이오드를 통해 생성되는 광전류를 신경 자극에 적용하기 위해서는 생체 저항의 크기에 관계없이 활동 전위 생성에 충분한 전류 공급을 할 수 있는 안정된 전류원이 필요하다. 이를 위해서 본 연구에서는 병렬 저항을 도입하였다. 병렬 저항 추가 시 생체 저항을 포함한 전체 저항 값이 낮아지므로, 광원의 세기에 따라 최대의 광전류에 근접한 값을 얻을 수 있게 된다. 그러나 병렬 저항 값의 크기를 낮출수록 자극에 쓰이지 않는 전류량이 늘어나므로, 자극 전류량의 극대 값을 찾기 위해서는 병렬 저항 값의 최적화가 필요하다. 실험을 통해 측정된 실제 자극 전류량이 최대가 되는 병렬 저항 값의 범위는 500Ω∼700Ω 이고, 이때 전류량은 580uA∼860uA 이며 전류 효율은 47.5∼59.7%이었다. 자극의 크기와 빈1도를 변화시키면서 쥐의 좌골 신경을 자극하여 눈으로 확인 가능한 떨림 현상을 확인하였으며, 다채널 기록기를 이용해 활동 전위를 측정하였다. 이를 통해, 인공 망막에서의 광 자극 가능성을 확인할 수 있었다.

NiO 스핀밸브 박막의 Specular Effect에 의한 자기저항비의 향상에 대한 연구 (Study on the Specular Effect in NiO spin-valve Thin Films)

  • 최상대;주호완;이기암
    • 한국자기학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.231-234
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    • 2002
  • Si/SiO$_2$/NiO(60nm)/Co(2.5nm)/Cu(1.95nm)/Co(4.5nm)/NOL(t nm) 구조와 Si/SiO$_2$/NOL(t nm)/Co(4.5nm)/Cu(1.95nm)/Co(2.5nm)/NiO(60nm)의 구조를 갖는 바닥층 스핀밸브와 꼭대기층 스핀밸브를 제작하고, NOL의 두께변화에 따른 비저항($\rho$) 값과 비저항의 변화량( $\rho$), 교환결합력(H$_{ex}$), 보자력(H$_{c}$)의 자기적 특성을 연구하였다 NOL로 NiO 03nm의 두께로 삽입한 결과, 최대 자기저항비(magnetoresistance ratio)는 바닥층 스핀밸브에서 12.51%의 얻었으며, 자기저항비의 향상률은 꼭대기층 스핀밸브에서 더 높은 결과를 얻었다. 또한, 두 형태 모두 비저항의 변화량($\rho$)은 거의 일정하였고, 비저항($\rho$)값은 감소하였다 이러한 결과는 NOL의 삽입하였을 때 NOL/강자성층(free ferromagnetic layer) 계면에서 유도 전자의 specular 산란 효과를 가져왔고, 이로 인하여 전자의 평균 자유이동경로(mean free path; MFP)가 확장되어 전류의 전도도를 증가시켰다 이러한 specular효과에 의해 비저항의 변화량은 일정하게 유지되는 동안에 비저항 값은 감소하게 되어 결과적으로 자기저항비의 향상을 가져왔다.

전기비저항탐사에서 음의 겉보기 비저항 (Negative Apparent Resistivity in Resistivity Method)

  • 조인기;김정호;정승환;서정희
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제5권3호
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    • pp.199-205
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    • 2002
  • 전기비저항 탐사에서 측정되는 양은 두 전위전극 사이의 전위차이다. 이 전위차가 양일 경우에는 겉보기 비저항도 양의 값을 가지며, 음일 경우에는 겉보기 비저항도 음의 값을 나타낸다. 또한 측정되는 전위차의 부호는 전기장의 방향에 따라 좌우된다. 만약 측정방향과 전기장의 방향이 같다면, 전위차와 겉보기 비저항은 양의 값을 보이게 되며, 그 반대의 경우에는 음의 값을 나타낸다. 일반적으로 지표 전기비저항 탐사에는 측정방향과 1차 전기장의 방향이 같은 전극 배열을 사용하며, 이 방향의 1차 전기장은 2차 전기장에 비하여 항상 크다. 따라서 일반적인 전극배열을 사용하는 지표 전기비저항 탐사의 경우에는 지형이 평탄하고 잡음이 없다면 음의 겉보기 비저항은 나타나지 않는다. 그러나 시추공-시추공 전기비저항 탐사의 경우에는 1차 전기장의 방향과 측정방향이 일치하지 않으며, 경우에 따라서는 1차 전기장의 측정방향 성분이 2차 전기장의 측정방향 성분 보다 그 크기가 작을 수 있다. 이 경우 2차 전기장의 방향과 측정방향이 서로 반대일 경우에는 음의 겉보기 비저항이 나타날 수 있다. 따라서 음의 겉보기 비저항은 측정방향의 1차 전기장이 매우 작은 영역에서 발생할 가능성이 높다.

자기장을 이용한 전류 안정화 방법 (Method of a current stabilization by using magnetic field)

  • 박포규;김영균;김완섭
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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    • pp.619_620
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    • 2009
  • 본 논문은 자기장을 이용하여 전류를 안정화시켜 정밀전류를 발생 시킬 수 있는 장치에 관한 연구이다. 일반적으로 전류를 안정화 시키는 방법은 전류회로에 직렬로 저항을 연결하여 저항 양단에 유도되는 전압을 측정하여 전류를 제어하는 방법을 많이 사용한다. 그러나 이 방법은 정밀한 전류를 제어하기 위하여 직렬로 연결되는 저항값이 커야하며, 또한 전류에 의해 발생되는 열로 인해 저항값이 증가하기 때문에 정밀한 제어가 어렵다. 이러한 단점을 보완 할 수 있는 방법으로 전류회로에 직렬로 코일을 연결하여 전류가 변화면 코일속에 자기장이 변화는 원리를 이용하여 전류를 안정화시켜 정밀전류를 발생 할 수 있다. 본 연구에서는 저자기장 국가표준 확립 및 물리고유상수인 양성자 자기회전비율 측정을 위해 원자자기공명 방법을 이용하여 직류전류를 1 A 범위에서 $0.1{\mu}A$ 수준으로 안정화 시켰다.

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호용성이 있는 광결합 부성저항회로의 설계 (A Versatile Design of Optronic Negative Resistance)

  • 박성한
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제15권4호
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    • pp.33-37
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    • 1978
  • 전압제어형이나 전류제어형부성저항으로 사용될 수 있는 호용성이 있는 광결합부성저항회로가 설계되었다. 이 호용성은 트런지스터의 교환 및 회로내의 한 접속점을 변경시킴으로 이루어진다. 이러한 부성저항회로의 부성저항특성은 매우 선형적이며 부성저항값 및 I-V특성은 수동소자값의 변화로 넓은 범위에 걸쳐 변화된다.

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