• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.483-483
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• 2013

Latral Composition Modulation (LCM)으로 성장한 InP/GaP 초격자(Superlattice)의 선편광된 광발광(Photoluminescence) 특성을 저온(5 K)에서 측정하였다. LCM 기법은 z-축 방향으로 InP와 GaP를 단층 초격자(monolayer supperlattice)로 성장하는 과정에서 strain에 의해 x-y 평면으로 초격자가 형성되는 특별한 경우이다. 이렇게 성장된 LCM 초격자의 경우 In-rich 영역과 Ga-rich 영역이 교차로 성장되는 구조를 가지며 가전자대역(valence band)에서 무거운 양공과 가벼운 양공의 band mixing 이 일어나게 되어 선평광된 발광특성을 가진다. 우리는 저온 발광실험에서 In-rich 영역과 Ga-rich 영역의 재결합에 의해 나타나는 두 개의 독립된 전이 피크를 측정하였다. 이 두 피크는 [110] 방향의 편광에서 발광 강도가 최대치를 가지며 [1-10] 방향에서 최소값을 가짐을 보였다. 이때 전이 에너지의 경우 [110] 방향에서 [1-10] 방향으로 편광이 바뀔 때 Ga-rich 영역의 전이의 경우 적색편이를 나타낸 반면 In-rich 영역의 경우 청색편이를 보이는 현상을 발견하였다. 이러한 상반된 편이 현상은 서로 다른 3족 물질의 영역에 따라 격자 상수가 바뀌며 tensile strss와 compressive stress에 따른 가전자 대역의 band mixing 변화에 기인하는 것으로 여겨진다.

• 대한골관절종양학회지
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• 제13권2호
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• pp.113-118
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• 2007

골반 골에 생기는 종양은 복잡한 해부학적 구조와 체부 깊숙이 위치하는 특성으로 인하여, 상당히 커진 후에야 발견되는 경우가 많아서 진단이 늦어지고, 수술이 어려워지는 경우가 많이 있다. 특히 비구 주위에 발생한 종양은 종양의 제거 후에 고관절의 기능을 유지 할 수 있는 재건술의 방법이 극히 제한되어 있고, 수술도 어려우며, 재건술의 예후 또한 예측하기 어렵다. 저자는 신장암이 골반 골 비구 주위로 단독 전이 된 환자의 광범위 종양절제 후 저온 가열 처리한 자가골 과 인공고관절로 재건 한 증례를 보고한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권1호
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• pp.34-41
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• 2017

본 연구는 아연결정 Willemite($Zn_2SiO_4$)유의 합성에서 소성 전의 전처리 과정이 결정의 결합반응에 미치는 영향을 규명하고자 한다. 시료 전처리 방법으로 원료의 체거름과 초음파분산실험을 통해서 실험 분석하였다. 그 결과, 기본유시료의 체거름과 초음파분산은 물리적 공정만으로 Zn-Si 결합이 용이하도록 Si 본딩에 변화를 가져와 저온($680^{\circ}C$)에서부터 willemite의 생성을 촉진시켰다. 원료의 분산은 체거름 만으로도 willemite의 저온 생성을 촉진시키는 것으로 나타났으며 특히 초음파 분산 실험의 결과는 willemite생성의 저온 반응에 효과가 더욱 극명하게 나타났다. 이러한 비 소성 전 처리 공정에 의한 결정생성은 경제적으로도 큰 가치가 있을 것으로 판단된다.

• 원예과학기술지
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• 제17권2호
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• pp.138-140
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• 1999

카네이션의 약배양 기술을 확립하고자 저온 전처리, 암처리, Ficoll처리가 약배양에 미치는 효과를 조사하였다. 약배양에 적합한 화분의 발육단계인 1핵기 소포자 전후 화분의 약을 가지는 카네이션 화뢰의 직경은 4~6mm이었다. 카네이션 약배양 후 캘러스 형성과 배양 후 약의 반응에 가장 효과적인 저온전처리 기간은 7일이었다. 명배양하는 것보다 암배양하는 것이 캘러스 형성과, 형성된 캘러스로부터 root 분화에 효과적이었다. Ficoll처리는 캘러스 형성에 큰 효과는 없었지만, 형성된 캘러스로부터 신초와 root가 분화되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.263-263
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• 2010

투명도전막(indium tin oxide; ITO)은 투명하면서도 전기 전도도가 높기 때문에, 액정표시소자(LCD; Liquid Crystal Display), 전자발광소자(ELD; Electroluminescent Display) 및 전자 크로믹 소자(Electrochromic Display)를 포함하는 평판형 표시 소자(FPD; Flat Panel Display)와 태양전지 등에 이용되고 있다. 낮은 비저항과 높은 투과율의 ITO 박막은 $300^{\circ}C$ 이상의 고온에서 코팅해야 하는 것으로 알려져 있다. 그러나 최근 플라스틱과 같은 연성 소자가 전자부품에 널리 이용되면서 ITO를 저온에서 증착해야할 필요성이 대두되고 있다. 본 연구에서는 ITO를 플라스틱에 적용하기 위한 저온 코팅 공정 및 시편의 전 후처리공정을 개발하여 박막의 특성을 알아보고자 한다. 실험에 사용된 기판은 고투과율의 고분자(polyethylene terephthalate; PET) 필름이며 $5\;{\times}\;10\;cm^2$의 크기로 절단하여 알코올로 초음파 세척을 실시하였고, 진공 용기에 장입한 후 펄스전원을 이용하여 3분간 in-situ 청정을 실시하였다. ITO 코팅은 마그네트론 스퍼터링을 이용하였으며, 코팅시간, 전처리, 후처리, 기판온도, 산소유량 등 코팅 조건에 따른 박막의 특성을 조사하였다. ITO 박막의 코팅 조건에 따른 박막의 결정구조 분석은 x-선 회절(x-ray diffraction; XRD)을 이용하였고, 박막의 표면형상과 두께 보정 및 단면의 미세조직과 결정 성장 여부 등은 투과전자 현미경(transmission electron microscope; TEM)을 이용하여 분석하였다. 또한 ITO 박막의 면저항과 분광특성은 four-point Probe (CMP-100MP, Advanced Instrument Technology), spectrophotometer (UV-1601, SHIMADZU)를 이용하여 측정하였다. ITO 박막의 광학특성 분석 결과 전광선 투과율은 두께에 따라 변화 하였지만, 색차와 Haze 값은 증착 조건에 따라 큰 차이는 보이지 않았다. 그리고 박막의 결정화에 영향을 주는 가장 중요한 인자는 기판온도이지만, 기판온도를 높이지 못할 경우 비평형 마그네트론(unbalanced-magnetron; UBM)에 의해서 플라즈마 밀도를 높이는 방법으로 유사한 효과를 얻을 수 있음을 확인하였다.

• 융합정보논문지
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• 제11권5호
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• pp.206-214
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• 2021

본 연구는 인삼저온숙성비누의 세안효과를 연구하기 위하여 진행하였다. 피부상태에 영향을 줄 수 있는 외부적 환경인자를 배제하기 위하여 동일한 환경에서 동일한 물과 타월을 사용하였으며, 세안 전과 세안 직후 10분의 피부변화를 조사하였다. 대조군으로는 세안제를 사용하지 않고 물세안만 한 경우와 시중에서 일반적으로 사용되고 있는 폼클렌저 타입의 세안제를 사용한 경우를 설정하였다. 물세안, F/C세안, 인삼cp비누 세안의 세 가지 케이스를 비교 분석하였으며 물세안의 경우 모공과 색소침착을 유의성있게 감소시켰으나 F/C세안과 인삼cp비누에 비하여는 유의성이 크지는 않았다. F/C세안의 경우 모공과 색소침착을 유의성이 크게 감소시켰으나 세안 후 급격한 수분감소가 나타났다. 인삼cp비누를 이용한 세안의 경우 모공과 색소침착을 유의성 크게 감소시키면서도 수분의 손실은 크게 나타나지 않았다. 그러므로 인삼cp비누는 피부관리를 함에 있어서 가장 적합한 세안제의 형태라고 사료된다.

• 한국약용작물학회지
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• 제6권3호
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• pp.210-215
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• 1998

저온과 종피연화의 처리방법을 설정하여 둥굴레 종자를 이용한 다량육묘에 필요한 정보를 제공하고자 저온처리기간 (4, 8, 12, 16주), 종피연화(10% KOH, 40분)와 저온의 혼용(混用) 처리방법(處理方法)이 발아(發芽), 소주아(小珠芽) 형성(形成) 및 발아개체 등에 미치는 영향을 조사하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 발아률(發芽率)과 소주아(小珠芽) 형성률(形成率)은 저온만 처리할 경우 $8{\sim}12$주가 적정 기간으로 판단되었으나 종피연화와 혼용처리(混用處理)할 경우 저온처리기간을 8주 이내로 대폭 단축할 수 있는 것으로 나타났다. 2. 둥굴레 종자의 발아는 종피연화와 저온을 각각 단용처리(單用處理)하는 것보다는 이들의 혼용처리(混用處理)에서 향상되었으며 종피연화처리 효과보다는 저온처리의 효과가 큰 것으로 분석되었다. 3. 발아(發芽) 및 소주아(小珠芽) 형성률(形成率)은 종피연화 처리를 저온 처리 후에 실시하는 것보다는 전에 실시하는 것에서 양호하였고, 근수(根數)에서도 이와 유사한 경향을 보였다.

• 한국농림기상학회지
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• 제16권1호
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• pp.51-58
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• 2014

배의 휴면기간 중 저온 유지 시간 및 온도에 따른 내동성을 비교하고자 감천배, 만풍배, 신고, 원황, 추황배, 풍수, 한아름, 행수, 화산, 황금배 등의 1년생 가지를 각각 $-21^{\circ}C$, $-24^{\circ}C$, $-27^{\circ}C$, $-30^{\circ}C$, $-33^{\circ}C$의 온도로 6, 9, 12시간 동안 처리한 후 꽃눈 발아율, 전해질 누출률, TTC검정을 하였다. 저온처리 시간에 따른 꽃눈발아율은 $-21^{\circ}C$에서 6시간일 경우 품종간 거의 차이가 없었으나 온도가 낮아지고 지속시간이 길어질수록 낮아졌다. 전해질 누출률은 $-30^{\circ}C$ 이하에서는 저온지속시간에 관계없이 대부분의 품종이 30%이상의 높은 전해질 누출률을 보여 온도가 낮아질수록 저온지속 시간이 길수록 전해질 누출률이 높아졌다. 저온에서 높은 발아율을 보였던 만풍배, 신고, 추황배는 $-30^{\circ}C$ 9시간에서 각각 26.1%, 14.7%, 28.3%로 다른 품종보다 낮은 전해질 누출률을 보였다. TTC 검정을 통한 흡광률은 $-21^{\circ}C$에서 6시간일 경우 66.0~96.5%, 9시간에는 49.4~91.9%, 12시간에는 37.3~89.4%로 저온유지 시간이 길어질수록 흡광률이 낮아졌다. 배의 품종별 내동성 확인 결과 꽃눈발아율은 전해질누출률 또는 TTC 검정을 통한 흡광률과의 높은 상관관계를 보였으며 배의 외재휴면 기간 중 내동성은 저온 유지시간 및 온도에 따라 다르며 품종별 저온 피해 한계온도가 다름을 확인할 수 있었다.

• 한국잡초학회지
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• 제11권3호
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• pp.219-223
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• 1991

주요(主要) 밭잡초종자(雜草種子)의 발아생리(發芽生理)를 구명(究明)하기 위해 발아(發芽)에 영향(影響)을 미치는 배지(培地)및 저온처리(低溫處理)에 대한 연구결과(硏究結果)는 다음과 같다. 1. 토양(土壤)과 Agar(0.4%) 배지(培地)가 공시(供試) 잡초종자(雜草種子) 발아(發芽)에 좋았다. 2. 잡초종자(雜草種子)의 치상전(置床前) 저온처리기간(低溫處理基間)은 30-45 일(日), 저온처리후(低溫處理後) 상온(常溫)에 두는 기간(期間)은 10-20일(日)이 적합(適合)하였다. 3. 잡초종자(雜草種子)의 저온(低溫)($5^{\circ}C$, 30 일간(日間))처리시(處理時) 물을 흡수(吸水)시킨 가제나 비닐봉지에 담아 두는 방법(方法)이 발아율(發芽率)을 증가(增加)시켰다. 4. 공시(供試) 잡초종자(雜草種子) 토양매몰(土壤埋沒)깊이는 10cm, 매몰기간(埋沒期間)은 30-60 일(日)에서 대부분 잡초(雜草)들이 발아(發芽)하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.371.1-371.1
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• 2014

반도체 트랜지스터의 크기가 점점 미세화 함에 따라 이에 수반되는 절연막에 대한 요구 조건도 까다로워지고 있다. 특히 게이트 산화 막의 두께는 10 nm 이하에서 고밀도를 갖는 높은 유전율 막에 대한 요구가 증가되고 있으며 또한 증착 온도 역시 낮아져야 한다. 이러한 요구사항을 충족하는 기술중의 하나는 매우 낮은 압력 및 200도 이하 저온에서 절연막을 증착하는 것이다. 본 연구에서는 플라즈마 화학 기상 증착(PE-CVD) 시스템을 이용하여 $180^{\circ}C$의 온도 및 10 mTorr의 압력에서 SiN 및 SiCN 박막을 제조하였다. 박막의 특성은 원자층 증착 공정 결과와 유사하면서 증착 속도의 향상을 위해 개조된 사이클릭 화학 기상 증착 공정을 이용하였다. Si 전구체와 산화제는 기판에 공급되기 전에 혼합되어 1차 리간드 분해를 하였으며, 리간드가 일부 제거된 가스가 기판에 흡착되는 구조이다. 기판흡착 후 플라즈마 처리 공정을 이용하여 2차 리간드 분해 공정을 수행하였으며, 반응에 참여하지 않은 가스 제거를 위해 불활성 가스를 이용하여 퍼지 하였다. 공정 변수인 플라즈마 전력, 반응가스유량, 플라즈마 처리 시간은 최적화 되었다. 또한 효율적인 리간드 분해를 위해 ICP와 CCP를 포함하고 있는 이중 플라즈마 시스템에 의해 2회에 걸쳐 분해되어지고, 그 결과로 불순물이 들어있지 않는 순수한 SiN과 SiCN 박막을 증착하였다. XRD 측정 결과 증착된 박막들은 모두 비정질 상이며, 550 nm 파장에서 측정한 SiN 및 SiCN 박막의 굴절률은 각 각 1.801 및 1.795이다. 또한 증착된 박막의 밀도는 2.188 ($g/cm^3$)로서 유전체 박막으로 사용하기에 충분한 값임을 확인하였다. 추가적으로 300 mm 규모의 Si 웨이퍼에서 측정된 비 균일도는 2% 이었다. 저온에서 증착한 SiN 및 SiCN 박막 특성은 고온 공정의 그것과 유사함을 확인하였고, 이는 저온에서의 유전체 박막 증착 공정이 반도체 제조 공정에서 사용 가능하다는 것을 보여준다.