• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.197-197
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• 2003

현재 PDP(Plasma Display Panel) 투명유전체층은 PbO 계열을 사용하고 있으나 제조공정 시 다량의 중금속 페기물이 방출됨에 따라 환경오염을 야기시킴으로 무연조성이며 저온소성이 가능한 저융점유리인 인산염계 유리에 대한 열적, 화학적, 광학적 특성에 대해 체계적인 연구가 진행되었다. 광학적 특성을 위 한 승온속도, 소성온도, 유지시간의 변화 그리고, 프릿 입도에 따른 광 투광성, 기포의 형성, 그리고 기포의 분포특성을 연구하였다. 열적특성은 DTA와 TMA를 이용하여 유리전이점(Tg) 및 선팽창계수(CTE)와 Littleton softning point (Ts)가 측정되었다. 광학적특성은 스크린프린팅법으로 후막 제조 후 소성하여 UV-visible spectrometer을 이용하여 300~800nm영역에서 투광성을 측정하였으며, FEG-SEM, AFM을 이용해 표면을 관찰하였다. 결과로써, Tg는 440-46$0^{\circ}C$ 와 CTE는 7~8.5$\times$$10^{-6}$K값을 보였고 높은 화학적 내구성과 60-80%의 광투과율을 나타내었다. 프릿의 미세화, 숭온속도의 감소는 기포의 생성을 줄이는데 효과를 보였으며, 그 결과 양호한 광투과율을 얻을 수 있었다. 이러한 결과에 따르면, P$_2$O$_{5}$-ZnO-RO 조성은 PDP용 투명유전체 조성으로써 기존의 PbO계열을 대체할만한 새로운 조성으로 고려된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.271-271
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• 2007

LTCC 소재는 glass/ceramic composite로 구성된다. LTCC 소재에 embedding 되는 고유전율 소재 또한 이와 같은 소재설계를 통하여 무수축 접합이 가능할 것으로 판단된다. 그러나 이에 대한 연구결과가 보고된바 없고 몇몇 $Al_2O_3$의 infiltration에 대한 무수축 소성 관련 선행 연구를 바탕으로 고유전율 소재인 $BaTiO_3$의 무수축 소성이 연구되는 것이 필요한 시점이다. 따라서 본 연구는 저온에서의 glass infiltration에 의한 무수축 $BaTiO_3$ layer의 저온소성특성 및 유전특성을 평가하였다. 실험결과 $785^{\circ}C$에서 glass의 충분한 침투가 확인되며 결정구조에서는 glass/$BaTiO_3$ composite이 형성되었다. 무수축 접합 layer의 소성조건과 glass 두께 변화에 따른 유전특성 및 layer의 결정구조를 비교평가 하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.158-164
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• 1995

Solid solutions Sr$_{2}$(Ta$_{1-x}$ Nb$_{x}$)$_{2}$O$_{7}$, (x=0.0-1.0), composed of strontium tantalate(Tc=-107.deg. C) and strontium-niobate(Tc=1342.deg. C) were prepared by the conventional mixed oxide method and the flux method(molten salt synthesis method). Phase relation, sintering temperature, grain-orientation and dielectric properties for sintered ceramic samples were investigated with different compositions. Both Curie temperature and dielectric constant at Curie temperature were increased, and sintering behavior and the degree of grain-orientation were improved with the increase of Nb content. The single phase Sr$_{2}$(Ta/sib 1-x/Nb$_{x}$)$_{2}$O$_{7}$ powder was synthesized by using the flux method at lower temperatures, and sintering temperature was also reduced by using the flux method-derived powder than using the mixed oxide-derived powder. Sintering characteristics and dielectric properties of the specimens prepared by the flux method were better than those derived through the conventional mixed oxide method.thod.hod.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.170-170
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• 1999

• 인포메이션 디스플레이
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• 제2권6호
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• pp.52-62
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• 2001

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2001년도 추계학술강연 및 발표대회
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• pp.54-55
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• 2001

• 대한치과보철학회:학술대회논문집
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• 대한치과보철학회 2004년도 추계학술대회
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• pp.84-84
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• 2004

• 자원환경지질
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• 제45권2호
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• pp.157-167
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• 2012

이 연구에서는 광주 치평동 유적에서 출토된 토기의 태토산지와 소성온도를 광물학적 및 지구화학적 연구방법으로 해석하고 매장환경 하에서 토기의 변질을 조사하였다. 토기와 토양시료는 유사한 광물조성과 지구화학적 진화경향을 갖는 것으로 보아 재료로서의 유사성이 인정되며 토기는 유적의 인근 지역 토양을 이용하여 제작된 것으로 해석된다. 광물학적 분석결과를 근거로, 토기는 크게 $1,000{\sim}1,100^{\circ}C$에서 고온 소성된 그룹과 $700{\sim}1,000^{\circ}C$에서 저온 소성된 그룹으로 나눌 수 있다. 또한 고온 소성된 시료에서는 거정질 입자를 제거하는 수비과정을 거쳤을 것으로 보이는데 저온 소성된 시료들과는 다른 시기 또는 용도의 차이를 보이는 것으로 판단된다. 저온 소성된 토기에서 매장환경 동안 P이 토기 내 Al, Fe 등과 반응하여 비결정질의 침전물을 형성하는 것이 관찰되었으며, 이는 환경에 의한 토기의 변질 현상으로 해석된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 제5회 학술대회 논문집 일렉트렛트 및 응용기술연구회
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• pp.21-24
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• 2003

휴대이동전화의 고성능화, 소형화에 따라서 전자부품들은 고집적화가 요구되고 있다. 이에 따라서 많은 수의 수동부품을 회로 기판 내에 내장화하기 위한 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic: 저온동시소성)기술이 적용된 부품의 출현이 계속되고 있다. 본 연구에서는 이러한 저온동시소성 기술을 활용하여 제품을 개발하기 위해서 고주파수 대역의 소자의 특성을 측정 하였다. 측정된 소자의 특성을 적용하기 위해서 소자 쿠폰을 제작하으며 고주파 회로 분석과 시뮬레이션 결과를 통해서 수동소자가 내장된 PAM( 전력증폭기), FBAR용 모듈 기판을 제작하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권4호
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• pp.381-388
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• 1994

A new process which co-fires the low-firing-substrate and copper conductor was studied to achieve good bond strength and low sheet resistance of conductor. Cupric oxide is used as the precursor of conductive material in the new method and the firing atmosphere of the new process is changed sequently in air H2N2. The addition of cupric oxide and variations of firing atmosphere permited complete binder-burnout in comparison with the conventional method and contributed to the improvement of resistance and bonding behaviors. The potimum conditions of this experiment to obtain the satisfactory resistance and bond strength are as follows (binder-burnout temperature in air; 55$0^{\circ}C$, reducing temperature in H2; 40$0^{\circ}C$ for 30 min, ratio of copper and cupric oxide; 60:40~30:70 wt%). The bonding mechanism between the substrate and metal was explained by metal diffusion layer in the interface and the bond strength mainly depended on the stress caused by the difference of shrinkage and thermal expansion coefficient between the substrate and metal.