우주물질의 대부분이 플라즈마 상태에 있지마는 지구상에서는 천둥이 칠 때 생기는 방전이나 극지방에서 볼 수 있는 오로라와 같이 극히 일부분이 자연상태의 프라즈마로 존재한다. 지금까지 플라즈마의 이용은 그것이 내는 밝은 빛을 이용한 조명이나, 높은 열을 이용한 용접이나 절단이 고작이었으나, 최근에 들어 초고온, 고밀도 플라즈마를 이용한 핵융합 에너지 연구나 Free Electron Laser나 Gyrotron과 같이 새로운 Radiation Source로써 종래의 Source가 만들지 못하던 주파수 영역이나 Glow Discharge에서 생기는 저온 Plasma를 이용한 Plasma Etching PECVD(Plasma Enhanced CHemical Vapor Deposition), Plasma Ashing, Sputtering등은 VLSI의 제조에 필요불가결한 공정의 일부분이 되고 있다. 앞으로 수회에 걸쳐 본 기술해설란을 통하여 이들 Plasma의 이용 기술을 소개하고자 하며 본회에서는 그중에서 Plasma Etching에 대해서 그 원리와 기술상의 특징을 살펴보고자 한다.
Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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2001.11a
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pp.221-222
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2001
비교적 최근에 환경오염물질의 제거를 위한 전기방전 기술이 큰 관심을 끌고 있으며 재래적인 기술들을 능가하는 여러 가지 장점으로 인해 많은 연구들이 강도 높게 수행되고 있다. 전기방전 기술의 대표적인 환경공학적 응용분야는 입자상 오염물질의 제거를 위한 전기 집진기, 수처리에 사용되는 오전발생기, 기체상 오염물질 제거를 위한 공정 등과 같은 저온 플라즈마 공정과 유해 폐기물의 처리를 위해 사용되는 고온 플라즈마 공정을 그 예로 들 수 있다(최금찬과 김신도, 1995). (중략)
The Bimonthly Magazine for Agrochemicals and Plant Protection
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v.6
no.3
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pp.70-80
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1985
우리나라에서의 수도작은 후기등숙이 불량해지기 쉬우므로 못자리기간을 앞당기므로서 저온기의 보온육묘가 필연적으로 수행되어야 하는 특성을 지니고 있다. 보온육묘는 자연상태에서 육묘가 불가능한 시기에 인공가온으로 묘의 생장을 시키게 되므로 보온상내 환경이 외기환경과 차이가 크므로 세심한 관리를 해야한다.
It is known that the cold water appears and fog frequently forms in the southwest coastal waters of Korea in summer. The authors investigate and analyze the time and place of cold water existence, and also whether the cold water affects the occurrence of fog formation. As a result, cold water begins to appear around Daeheugsando at the early summer and cold water area gradually moves toward southwest of Jindo in end July${\~}$early August, then disappears in this area around mid-Oct. Fog mostly forms in April through August and most frequently occurs at Jindo where sea surface temperature shows lower than that at the adjacent area Accordingly it is taken that the cold water considerably contributes to form the dense and frequent fog around Jindo area.
Seo, Yeong-Su;Lee, Gyu-Sang;Byeon, Hyeong-Seok;Jang, Ha-Jun;Choe, Beom-Ho
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.371.1-371.1
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2014
반도체 트랜지스터의 크기가 점점 미세화 함에 따라 이에 수반되는 절연막에 대한 요구 조건도 까다로워지고 있다. 특히 게이트 산화 막의 두께는 10 nm 이하에서 고밀도를 갖는 높은 유전율 막에 대한 요구가 증가되고 있으며 또한 증착 온도 역시 낮아져야 한다. 이러한 요구사항을 충족하는 기술중의 하나는 매우 낮은 압력 및 200도 이하 저온에서 절연막을 증착하는 것이다. 본 연구에서는 플라즈마 화학 기상 증착(PE-CVD) 시스템을 이용하여 $180^{\circ}C$의 온도 및 10 mTorr의 압력에서 SiN 및 SiCN 박막을 제조하였다. 박막의 특성은 원자층 증착 공정 결과와 유사하면서 증착 속도의 향상을 위해 개조된 사이클릭 화학 기상 증착 공정을 이용하였다. Si 전구체와 산화제는 기판에 공급되기 전에 혼합되어 1차 리간드 분해를 하였으며, 리간드가 일부 제거된 가스가 기판에 흡착되는 구조이다. 기판흡착 후 플라즈마 처리 공정을 이용하여 2차 리간드 분해 공정을 수행하였으며, 반응에 참여하지 않은 가스 제거를 위해 불활성 가스를 이용하여 퍼지 하였다. 공정 변수인 플라즈마 전력, 반응가스유량, 플라즈마 처리 시간은 최적화 되었다. 또한 효율적인 리간드 분해를 위해 ICP와 CCP를 포함하고 있는 이중 플라즈마 시스템에 의해 2회에 걸쳐 분해되어지고, 그 결과로 불순물이 들어있지 않는 순수한 SiN과 SiCN 박막을 증착하였다. XRD 측정 결과 증착된 박막들은 모두 비정질 상이며, 550 nm 파장에서 측정한 SiN 및 SiCN 박막의 굴절률은 각 각 1.801 및 1.795이다. 또한 증착된 박막의 밀도는 2.188 ($g/cm^3$)로서 유전체 박막으로 사용하기에 충분한 값임을 확인하였다. 추가적으로 300 mm 규모의 Si 웨이퍼에서 측정된 비 균일도는 2% 이었다. 저온에서 증착한 SiN 및 SiCN 박막 특성은 고온 공정의 그것과 유사함을 확인하였고, 이는 저온에서의 유전체 박막 증착 공정이 반도체 제조 공정에서 사용 가능하다는 것을 보여준다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.4
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pp.634-639
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1998
$Y_2O_3$ and $Nb_2O_5$ co-doped zirconia composites containing 10~30 vol% $Al_2O_3$ with two different particle sizes were sintered for 5 h at $1550^{\circ}C$ to evaluate low-temperature phase stability of the composite using X-ray diffractometry after heat-treatments for 1000 h at $250^{\circ}C$ in air or for 5 h at $180^{\circ}C$ in 0.3 MPa $H_2O$ vapor pressure. No tetragonal to monoclinic phase transformation during degradation, so called enhanced low-temperature phase stability, was observed for all composites. It is concluded that Nb addition to the composite for the phase stability is more effective than $Al_2O_3$ addition. The optimum combination of strength (670 MPa) and fracture toughness ($7.1{\textrm} {MPam}^{1/2}$) were obtained for the composite containing 20 vol% of $Al_2O_3$ with 2.8 $\mu$m to 0.2 $\mu$m, the flexural strength increases but the fracture toughness decreases.
A new concept of an inorganic foaming process at low temperature was demonstrated for the production of inorganic thermal insulating materials with the properties of flexible light-weight, the advantages of organic-based thermal insulation material. The foaming process was proceeded by establishing a skeleton of the foam body by using inorganic fibrous sepiolite and aluminum silicate. A cavity was formed by the expansion of fibrous skeleton body, by the gas which was generated from foaming agent at low temperature. Then the multi-vesicular expanded perlite with low thermal conductivity was filled into the cavity in a skeleton of the foam body. Finally through these overall process, a new inorganic foamed body could be obtained at low temperature without the hot melting of inorganic materials. In order to achieve this object, various preparations such as fibrous sepiolite fibrillation process, heat treatment process of the fibrous slurry were needed, and the optimal compositional condition of slurry was required. The foam body produced showed the properties of flexible light-weight thermal insulation materials such as bulk density, yield strength, flexural strength, and high heat resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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