• 폴리머
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• 제25권6호
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• pp.833-839
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• 2001

광산란 장치를 이용하여 메탈로센 촉매 하에 제조된 메탈로센 선형 저밀도 폴리에틸렌의 결정화거동을 Ziegler-Natta 촉매에 의하여 제조된 선형 저밀도 폴리에틸렌과 비교하여 보았다. 특히 branching수와 길이 그리고 공단량체의 함량이 결정화 거동에 미치는 영향을 중점적으로 살펴보았다. 같은 수의 branching 수를 가지고 있는 메탈로센 선형 저밀도 폴리에틸렌은 기존의 선형 저밀도 폴리에틸렌에 비하여 결정화를 시작하기 위한 induction time이 길어짐을 알 수 있으나 구정의 성장속도는 두 경우가 유사함을 확인하였다. 메탈로센 선형 저밀도 폴리에틸렌의 branching 수를 감소시킬 경우 induction time과 구정성장속도가 모두 빨라짐을 알 수 있었다. 또한 일반적으로 최대 구정의 크기는 branching 수에 관계없이 메탈로센 선형 저밀도 폴리에틸렌이 기존의 선형 저밀도 폴리에틸렌에 비하여 커짐을 알 수 있었다.

• 지질공학
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• 제13권1호
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• pp.51-65
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• 2003

불포화대에서 저밀도 비수용성유체의 이동과 분포를 모의하기 위하여 STOMP(Subsurface Transport over Multiple Phase) 시뮬레이터를 이용하였다. 균질한 매질에서의 저밀도 비수용성유체의 이동은 조립질 매질에서 빠르고, 세립질 매질에서는 불포화대에 더 많이 잔류한다. 조립질 매질 내에 세립질층이 존재할 경우, 이 층이 지하수면으로부터 멀수록 저밀도 비수용성유체가 불포화대에 더 많이 잔류된다. 조립질 매질에 세립질 또는 더 조립질인 매질이 렌즈 상으로 존재하는 경우에는 저밀도 비수용성유체가 이들 렌즈를 통과하지 못한다. 불균질한 렌즈가 존재할 때의 저밀도 비수용성유체의 분포를 초기조건으로, 지하수면의 변동에 따른 저밀도 비수용성유체의 이동을 모의하였다. 지하수위의 변동에 따라 불포화대에 잔류되어 있던 저밀도 비수용성유체의 수직방향 이동이 증가되었다. 특히, 지하수면의 하강 시 저밀도 비수용성유체가 조립질 렌즈를 통해 이동하나, 세립질 렌즈를 통해서는 이동하지 못한다. 일련의 수치실험의 결과로부터 유류 등의 저밀도 비수용성유체의 오염분포는 매질의 불균질성 그리고 지하수위 변동과 같은 수리지질학특성에 의해 크게 영향을 받을 수 있음을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.586-586
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• 2013

저밀도 플라즈마는 반도체 공정, 나노 신소재 분야 및 우주 항공 분야 등 여러 분야에 이용되며, 플라즈마 진단 및 분석을 통해 효과적인 플라즈마 제어가 가능하다. 특히, 전자 에너지 분포 함수(Electron Energy Distribution Function, EEDF)는 전자 온도, 플라즈마 밀도 및 플라즈마 전위 등의 플라즈마 변수를 측정하거나 전자 가열 매커니즘 등을 이해하는데 있어서 매우 중요하므로 정밀한 측정이 필요하다. 그러나 RF fluctuation에 의해 낮은 전자 에너지 부분에서 EEDF가 왜곡되어 측정된 데이터 및 분석의 신뢰도가 떨어지게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 RF fluctuation 보상을 위한 쵸크 필터가 사용되며, 쉬스 임피던스에 비해 쵸크필터의 임피던스가 클수록 보상 효과는 높아진다. 하지만 플라즈마의 밀도가 낮아지면 쉬스 확장에 의해 쉬스 임피던스가 증가하므로 쵸크 필터에 의한 보상만으로는 충분한 개선 효과를 얻기 힘들다. 따라서 본 연구에서는 효과적인 RF fluctuation 보상을 위해 임피던스가 높은 쵸크 필터를 설계하고 추가적으로 레퍼런스링에 전압을 걸어 쉬스의 임피던스를 줄이는 방법도 적용하였다. 유도결합방식으로 $10^{-8}cm^{-3}$ 대의 저밀도 아르곤플라즈마 방전시켰으며, 단일 랑뮤어 탐침법으로 EEDF를 측정한 결과 낮은 전자 에너지 부분의 왜곡이 개선됨을 확인하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.403-408
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• 2014

본 논문에서 우리는 저밀도 부호의 부호화 문제를 고찰한다. 특히 순환 치환 행렬을 이용한 저밀도 부호의 고속 부호화 알고리즘을 제시하였다. 고속 부호화 알고리즘은 고속 Hadamard 변환과 유사하며 결과적으로 제안 기법은 저밀도 부호의 간단하며 고속화된 부호화 알고리즘임을 보여주고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.363-364
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• 2012

기존 양자점에 대한 연구는 레이저 다이오드와 광증폭기등과 같은 광소자의 활성층에 사용되던 양자우물을 대체하기 위하여 고밀도, 고균일 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되었지만, 최근에는 양자점을 이용한 Single-photon source의 관심이 높아짐에 따라 저밀도 양자점 성장에 관한 연구가 주목 받고 있다. 본 연구에서는 수직형 저압 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 InP 기판 위에 저밀도 InAs 양자점을 성장하였다. 저밀도의 양자점을 성장하기 위하여 양자점과 덮개 층($1.1 {\mu}m$ InGaAsP)사이에 V족 원료 가스인 As만 공급하는 성장 중단 시간 (GI:Growth interruption)을 삽입하였다. 시료의 구조는 InP (100)기판위에 50 nm InGaAsP barrier, 1.5ML GaAs를 성장 후 InAs 1.9 ML를 성장하였다. 그 후 0, 1, 2, 5 분의 GI을 삽입한 후 InGaAsP 와 InP 덮개층을 성장하였다. 양자점의 밀도와 형상을 측정하기 위하여 Atomic force microscopy (AFM)을, 광학적 특성 분석을 위하여 저온 Micro Photoluminescence (${\mu}$-PL)을 측정하였다. 성장 중단 시간의 증가에 따라 InAs/InP 양자점의 높이와 넓이는 증가하고 밀도는 감소하였다. 성장 중단 시간 3분 이후에는 밀도 감소가 둔화 되었으며, 5분일 때 $3.2{\times}10^7/cm^2$의 극저밀도 InAs/InP 양자점이 성장되었다. 또한 저밀도 양자점 시료의 저온 ${\mu}$-PL을 측정하여 단일 양자점의 exciton과 bi-exciton peak가 측정되었다.

• 한국가금학회지
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• 제36권1호
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• pp.1-7
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• 2009

닭고기의 사육 형태에 따라 유창계사와 무창계사로 구분하고 또한 사육 밀도에 따라 고밀도, 표준, 저밀도 사육구로 구분하여 창의 유무와 사육 밀도가 최종 닭고기의 품질에 어떤 영향을 미치는지를 평가하고자 실시하였다. 유창계사에서는 고밀도 사육 시 닭도체의 $1^+$ 등급 발생율이 고밀도 사육($0.05\;m^2$/수)은 26%, 표준 사육($0.066\;m^2$/수)은 52%, 저밀도사육($0.083\;m^2$/수)은 66%로 저밀도 사육이 고밀도 사육에 비해 2.5배 이상 증가하였다. 가슴육의 PSE 및 품질은 고밀도 사육에서 $1^+$ 등급은 76%를 차지하였으나, 저밀도 사육구에서는 86%로 사육 밀도가 낮을수록 $1^+$ 등급 발생 비율이 증가하였다. PSE 증상은 고밀도 사육구에서 경증, 중증 각각 4%를 나타냈고, 저밀도 사육구에서는 PSE 증상이 전혀 나타나지 않았다. 다리육은 $1^+$ 등급 출현율이 고밀도 사육구에서는 88%, 표준 사육구는 83%, 저밀도 사육구는 91%로 표준 사육구에서 83%로 약간 저하되었으며, 전체적으로 사육 밀도에 따라 큰 차이를 보이지 않았다. 무창계사에서는 $1^+$ 등급 발생율이 고밀도 사육($0.035\;m^2$/수)은 18%, 표준 사육($0.046\;m^2$/수)은 8%, 저밀도 사육($0.058\;m^2$/수)은 46%로 저밀도 사육이 고밀도 사육에 비해 2.6배 이상 증가하였다. 가슴육은 고밀도 사육에서 $1^+$ 등급은 58%를 차지하였으나 저밀도 사육구에서는 72%으로 사육 밀도가 낮을수록 $1^+$ 등급 발생 비율이 증가하였다. 다리육은 $1^+$ 등급 출현율이 고밀도 사육구에서는 88%, 표준 사육구는 83%, 저밀도 사육구는 91%로 표준 사육구에서 83%으로 약간 저하되었으나, 전체적으로 사육 밀도에 따라 큰 차이를 보이지 않았다. 이상의 결과로서 유창계사에서는 고밀도 사육 시 닭고기의 $1^+$ 등급 발생 비율이 현저히 저하될 뿐 아니라 가슴 부위의 딱지 비율이 급격히 증가되었고, 무창계사는 유창계사와 비슷한 경향을 보였고, 환기 및 배수 시설이 불량할 경우는 오히려 유창계사에서 생산된 닭고기 보다 품질이 떨어지는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권8호
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• pp.1-10
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• 2005

본 논문에서는 대수 이론과 관련된 일반화된 치환 행렬로부터 저밀도 부호의 명시적 구성을 고찰하였으며, 순환공식과 치환행렬에 관한 재킷 역 블록 행렬을 설계하였다. 설계 결과로부터 제안 기법은 저밀도 부호를 얻기 위한 간단하며, 고속화된 기법임을 알 수 있다. 또한, $\pi$-회전 LDPC(low density parity check) 부호와 같은 구조화 LDPC 부호 역시 저밀도 재킷 역 블록 행렬임을 증명하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.347-348
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• 2012

수소가 포함 되지 않은 저밀도 구조의 카본 박막을 마그네트론 스퍼터링으로 합성하였다. 본 실험을 통하여 플라즈마 변수에 따른 저밀도 구조의 카본 박막의 미세 구조와 물리적 특성과의 상관관계를 FESEM, AFM, 4-point probe의 분석 기구를 통하여 분석 하였고, 비정질 저밀도 구조의 탄소 박막에 Pt을 ion sputtering을 통하여 도핑 한 결과 1000에서 $0.0013{\Omega}cm$ 까지 전기 비저항을 낮추는 결과를 얻었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.220-220
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• 2012

저밀도 알곤 유도결합플라즈마(Ar-ICP) 를 적용한 그래핀 클리닝 연구를 보고한다. 알곤 축전결합플라즈마(Ar-CCP)는 높은 이온포격에너지 (수백 eV) 로 인하여 그래핀의 C-C $sp_2$ bonding을 쉽게 파괴하고 defect을 형성시킨다. 그러나 저밀도 ($n_i$ < $5{\times}10^8cm^{-3}$) Ar-ICP 에 노출된 그래핀은 낮은 이온포격에너지, 이온밀도로 인하여 defect 이 형성되지 않고 residue 제거가 가능하였다. Graphene 이 집적된 back-gated field effect transistor (G-FET) 가 저밀도 Ar-ICP 에 노출될 경우 resist residue 제거로 인하여 $V_{dirac}$ 이 0 V 방향으로 이동하고 mobility 가 증가하는 것을 확인하였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제49권10호
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• pp.841-847
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• 2021

본 논문에서는 저밀도 표면필름 구리망에 대한 비행체 적용 가능성을 분석하였다. 최근 기존 표면 필름 구리망에서 중량 및 비용을 절감할 수 있도록 표면 필름의 두께를 낮춘 저밀도 표면 필름 구리망이 개발되었다. 이러한 저밀도 표면필름 구리망을 비행체에 적용하기 위해서는 샌드위치 구조에서의 핀 홀 방지 효과와 같은 제작성 확인과 함께 적용 시 전자기 영향성에 대한 분석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 저밀도 필름 구리망 2종과 기존 비행체 적용 구리망 1종에 대해 제작성 및 전자기 영향성을 분석하였다. 표면 구리망에 대한 제작성은 샌드위치 복합재와 표면 구리망을 결합하여 핀 홀 방지효과를 확인하였다. 전자기 영향성 분석은 3D 전자기파 시뮬레이션을 통해 각 샘플에 대한 주기구조를 이용하여 해석하였으며, 자유공간 측정방법을 이용한 저밀도 필름 구리망의 전자기파 투과특성 측정결과를 통해 시뮬레이션 결과가 유효함을 확인하였다. 위 결과로 비행체 적용이 필요한 저밀도 표면필름 구리망에 대한 해석 및 비행체 적용 가능성을 판단할 수 있다.