• Korean Journal of Crystallography
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• v.3 no.2
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• pp.72-84
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• 1992

The investigation has been carried out for purification, single crystal growth mechanism and convective phenomena in EBFZM of Nb metal. It is found that the EBFZM refined effectively oxygen and nitrogen, the interstitial impurities in Nb, but carbon was increased slightly by backstream of diffusion pump oil. The mechanism of single crystal growth associated with the second recrystallieation in Nb was suggested from the relationship between texture of starting materials and the crystal growth in EBFZM. It was observed from the investigation of convection phenomena in molten zone that the Marangoni convection was dominant in molten zone, which caused the striation in Nb and increased the purification effect of oxygen and nitrogen.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• v.10 no.2
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• pp.369-385
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• 1999

For the growth curve model with arbitrary covariance structure, known as unstructured covariance matrix, the problems of detecting outliers are discussed in this paper. In order to detect outliers in the growth curve model, the likelihood ratio testing statistics in mean shift model is established and its distribution is derived. After we detected outliers in growth curve model, we test homo and/or hetero-geneous covariance matrices using PSR Quasi-Bayes Criterion. For illustration, one numerical example is discussed, which compares between before and after outlier deleting.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.141-144
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• 1997

High quality 3C-SiC epilayer was grown on Si(111) at 125$0^{\circ}C$ using chemical vapor deposition(CVD) technique by pyrolyzing tetramethylsilane(TMS). 3C-SiC epilayer was doped by tetramethylgallium(TMGa) during the CVD growth. The crystallinity of 3C-SiC was significantly enhanced by doping the gallium impurity.

• The Optical Journal
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• s.104
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• pp.23-25
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• 2006

프린터 시장은 삼성과 HP가 전체 시장의 60% 이상 과점상태를 보이고 있지만 후발업체들이 추격을 강화하는 가운데, 전체 시장은 소폭의 성장과 함께 가격하락세를 보이고 있다. 지난해 프린터 시장은 잉크젯에서 컬러 레이저로, 프린터 단품에서 복합기로의 변화를 거듭했다. 지금까지 프린터 시장을 주도해왔던 잉크젯 단품 제품은 지난해 정점을 찍으면서 앞으로 점차 수요가 감소하고 이 자리를 컬러 레이저와 복합기가 차지할 것으로 보인다.이런 전망에 확신을 실어주듯 지난해 컬러레이저 시장은 성장성이 높은 시장으로 떠오르며 시장경쟁이 가장 치열했다. 또한 향후에는 컬러 레이저 제품이 급속도로 성장할 것으로 전망되며, 복사기 및 프린터 업체들이 공통으로 기업용 솔루션 관련 시장을 본격 공략하며 치열한 경쟁관계를 형성할 것으로 보인다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2001.11a
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• pp.364-369
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• 2001

고온 고압 산업용 설비의 경우, 대부분 균열이 용접부위에서 가장 먼저 발생하여 성장한다(1). 그러나 용접부라고 하지만 장기간 사용에 의한 사용재 균열성장은 엄밀히 말하면 용접부와 모재부 사이의 열영향부이며 열영향부 중에서도 ICHAZ(Intercritical heat affected zone)에서 발생하는 TYPE IV균열/sup (1)/이라 하겠다 따라서 용접부 균열에 대한 파괴거동을 연구하는 것은 고온고압 산업용 설비의 잔여 수명을 평가하는데 매우 중요하다.(중략)

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.4 no.1
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• pp.1-12
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• 1997

본 연구에서는 용액성장법에 의해 양자 입자로 구성된 CdS 박막을 슬라이드 유리기 판위에 성장시키고 이들의 구조적 광학적 특성에 대하여 연구하였고 이들 결과를 토대로 용 액성장법으로 성장된 CdS 박막의 양자 사이즈 효과에 대하여 연구하였다. 성장시간은 1, 3, 10, 20분이었고 성장온도는 75$^{\circ}C$였다. X-선 회절 분석결과 본 연구에서 합성된 CdS 박막은 hexagonal상의 결정구조를 갖는 것으로 나타났고 성장시간에 따라 막의 투께는 61~195nm, 입자사이즈는 8.5~22.5nm로 나타났다. 광에너지 변화에 따른 투과도 측정결과 본 연구의 CdS 시료는 성장시간에 따라 에너지 밴드갭이 2.43~2.51 eV로 나타나서 벌크 CdS의 에너 지 밴드갭인 2.42 ev보다 높은 에너지 밴드갭을 갖게 되어 양자 사이즈 효과에 의한 blue shift 현상이 용액성장법에 의해 합성된 CdS 시료에도 존재한다는 것이 밝혀졌다 그리고 이 같은 용액성장법으로 성장된 CdS에 대해 최초로 수행된 Raman 산란 실험결과 이성장방법 으로 성장된 CdS에는 1TO, E2, 1LO 포논 모드가 존재함을 알수 있었고 또한 입자 사이즈 감소에 의한 1LO포논 모드의저주파수 shift 현상 즉 포논 모드의 softening 현상이 있음이 밝혀졌고 softening은 최대6.2%까지 발생하였다. 이와같은 높은 softening은 본연구의 CdS 박막 내 양자 입자의 입도가 작은것에 기인하는 것으로 밝혀졌다. 또한 본 CdS 시료의 양 자 사이즈 효과의 결과로 1TO 포논도 나타났는데 이 1TO 포논과 E2 포논의 Raman shift 는 성장시간 즉 막의 두께와는 무관한 것으로 나타났다.행렬모형(二重比例行列模型)을 이용하여, 산업구조의 변화로 인한 직업별 인력수요 변화가 충분히 고려되도록 하였다. 전망의 결과에 따르면 향후 우리 경제는 지식기반경제(knowledge-based economy)로 이행하고 있다고 볼 수 있다. 우선 산업구조면에서 지식집약적산업으로의 구조조정이 일어나게 되고 이에 따라 산업별 취업구조에서도 고기술산업의 취업준비중이 급속히 증가하게 된다. 직업별 취업분포에 있어서도 전문기술직 행정관리직 등의 고숙련 사무직의 비중은 크게 증가하는 반면 생산관련직과 농림어업직의 비중은 감소하게 된다. 이처럼 경제가 지식집약화되어 감에 따라 고학력자에 대한 수요는 지속적으로 증가하지만 현재 적절한 인력양성과 공급이 이루어지지 않고 있어 향후 기술이나 기능에 따른 수급부일정(需給不一政)(skill mismatch)현상이 매우 심해질 것으로 보인다. 따라서 앞으로의 인력정책에서 가장 주안점을 두어야 할 부분은 첨단기술산업과 관련된 인력의 양성에 있다고 하겠다.2시간까지 LPDG용액은 MEC용액보다 비교적 나은 회복을 보였고 재관류 3일과 7일의 폐기능 평가에서 두 용액 모두에서 폐기능의 점차적 소실을 보였으며 이는 병리조직검사에서 보듯이 폐혐에 의한 외적인 요소라고 생각되며 따라서 LPDG용액은 허혈재관류손상 방지 및 급성폐렴 등 염증을 잘 관리한다면 20시간 이상 LPDG용액의 안전한 폐보존의 가능성 을 얻을 수 있었다.ic 형태로 외래유전자가 발현되었지만 대조구에서 87.0% (26/30개) 배반포기가 $\beta$-Gal 활력을 보인 반면, G418 처리구에서는 모든 배반포기가 $\beta$-Gal 활력을 보였다 (P<0.05). 그러나 대조구 및 G418 처리구의 ICM

• Venture DIGEST
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• s.121
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• pp.8-11
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• 2008

스틸하우스 및 단열재, 구조재 등 건축자재 전문 기업인 아이케이주식회사(www.iksteel.com, 이하 아이케이) 윤석규 대표는 남다른 직원 챙기기로 정평이 나 있다. 경기도 양주와 충북 오창 공장과 경기도 일산에 본사를 둔 아이케이는 2003년 3명의 직원으로 출발, 현재 100여명이 넘는 직원과 매출 1,000억 원을 바라보는 회사로 성장했다. 창업에서 지금까지 퇴사자가 없다는 흔치않은 기록을 보유한 아이케이를 찾아갔다.

• The Science & Technology
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• v.33 no.3 s.370
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• pp.25-27
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• 2000

과학기술에 대한 일반지식을 모르는 것은 무식꾼이 되는 것이고 때로는 생활의 불편과 불이익을 받을 수도 있다. 국가 경제를 성장시키고 문화와 삶의 질을 향상시키기 위해선 과학기술의 객체들 즉 연구자, 대학, 사회, 국가의 변화가 절실하며 이 객체들이 유형재 이상의 가치가 있는 무형재의 정보기술을 육성하고 응용해 새로운 기술을 창출하는데 총력을 기울여야 하겠다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.472-472
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• 2013

본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법을 이용해 제작한 4주기 InN/GaN 박막의 구조적, 광학적, 특성을 X-ray diffraction, Atomic force microscopy, Transmission electron microscopy과 저온 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. Fig. 1은 4주기 InN/GaN박막의 XRD 스펙트럼으로 GaN(0002)와 InN(0002)의 회절 신호를 관찰할 수 있다. 그러나 두 피크뿐만 아니라 InN와 GaN 사이에 구분이 되지 않은 추가 신호를 확인할 수 있다. 추가신호는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률로서 해석할 수 있다. Fig. 2는 다양한 조건에서 성장한 InN/GaN 시료의 PL스펙트럼으로 방출 파장은 각각 1,380, 1,290, 1,280, 1,271, 1,246 nm로 측정되었다. 성장 조건 변화에 따른 발광특성 변화를 박막에서 III족 원자 특히, In 원자의 성장 거동에 따른 구속준위(Localized states) 변화로 논의할 예정이다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.6
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• pp.472-478
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• 1997

TMS(tetramethysilane, Si(CH$_{3}$)$_{4}$)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 $\beta$-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H$_{2}$유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.