• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11b
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• pp.409-411
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• 2005

사용자를 지원하기 위한 고객지향 인터페이스를 설계하여 사용자가 데이터 입력시에 재사용할 수 있는 이벤트 객체의 공통성과 가변성을 연구하여 데이터를 재사용할 수 있도록 하는 방법을 연구하였다. 미래의 컴퓨터는 성능이 무한하게 성장할 것이다. 따라서 컴퓨터 성능부하 보다는 고객지향 소프트웨어를 개발하는데 초점을 맞추어야 한다. 따라서 본 연구에서는 사용자 인터페이스에서 사용자의 입력 및 업무처리를 용이하도록 지원할 수 있는 재사용 데이터 객체 유형을 4가지로 정의하고, 객체의 추출 방법과 유형별 객체의 사례를 보여주고 있다. 본 연구는 신속한 데이터의 입력과 오류를 감소시켜 주고 입력 데이터를 재사용할 수 있도록 한다.

• The Optical Journal
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• s.113
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• pp.29-33
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• 2008

산업연구원에서 발표한 '2008년 경제 및 신업전망'에 따르면 경제성장은 소비를 주축으로 한 내수 상승세가 이어지면서 금년보다 다소높은 5% 내외의 성장이 전망된다. 수출은 주요 수출시장인 개도권 경기의 호조로 약 11%의 두 자릿수 증가율이 예상되고, 연간 무역수지는 2007년에 비해 소폭 줄어든 140억 달러 정도로 전망된다. 2008년 산업분야에서는 IT가 제조업내수를 주도하며 23.3%의 매우 높은 증가율이 예상된다. 10대 주력산업의 수출은 IT산업군과 기계산업군의 고부가가치 제품 위주의 수출 증가율에 힘입어 12.6%의 높은 증가세를 유지할 것으로 전망되며, 수입증가율도 내수의 견실한 증가, 수출 호조에 따른 중간재 수입 증가, 해외 생산분의 역수입 증가 등으로 전년대비 12.3% 증가할 것으로 전망된다.

• The tire
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• s.228
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• pp.30-33
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• 2006

우리나라는 세계5위의 타이어생산국으로 국내 타이어시장은 2010년까지 생산과 수요는 증가할 것이지만 성장률은 연평균3% 이내로 정체될 전망이다. 세계 타이어시장 성장률도 3% 수준에서 정체될 것으로 보이는 상황에서 천연고무 가격급등, 유가인상 등으로 경영환경이 악화되고 있으며 , 이를 극복하기 위해 국내외 타이어업체들은 마진율이 높은 고부가타이어의 매출비중을 적극적으로 확대하고 있는 상황이다. 세계 타이어시장은 상위 12개 업체가 과점하고 있으며, 같은 성능과 품질이라도 브랜드파워와 판매네트워크의 차이로 뚜렷한 가격 차이를 보이고 있다. UHPT의 경우 국내업체제품은 선진업체에 비해 40% 할인된 가격에 판매되지만 , 일반타이어를 중심으로 가격차이가 2010년까지 15% 이내로 좁혀질 전망이다.

• KOREAN POULTRY JOURNAL
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• v.52 no.7
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• pp.104-107
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• 2020

지난 5월 14일 한국양계축산업협동조합(이하 한국양계농협) 보궐선거에 제 6대 오정길 조합장이 당선됐다. 과거 제 2, 3대 조합장 재임 당시 5천억원 수준이던 여수신액을 1조원으로 늘렸고 닭고기·계란 판매 등 경제사업도 450억원에서 800억원을 넘어서는 기록으로 조합과 조합원의 성장 발전에 공헌 바 있다. 앞으로 '성장경영'과 '내실·정도경영', '복지경영'을 강조하며 이를 실현하기 위해 새 출발을 알린 오정길 조합장을 만나 앞으로 활동 계획을 들어보았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.411-412
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• 2012

대부분의 상용 LED는 사파이어기판에 성장된 GaN를 기반으로 사용한다. GaN는 $1,000^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 성장이 이루어지는데 이 경우 GaN과 사파이어 기판과의 높은 열팽창 계수로 인하여 compressive stress를 받게 된다. 이 compressive stress로 인하여 성장된 GaN wafer에 bowing이 일어나게 되고 이는 기판의 대면적화에 커다란 문제로 작용한다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 방법이 고안되고 있지만 [1,2], 근본적으로 wafer bowing 문제의 해결은 이루어지고 있지 않다. 한편, 일반적으로 박막을 성장할 때 columnar structure를 가지는 박막이 coalescence되면 박막에 tensile stress가 걸린다는 사실이 알려져 있으며 [3], GaN를 저온에서 성장할 경우 columnar structure를 갖는다는 사실이 보고되었다 [4]. 본 연구에서는 이런columnar structure를 갖는 GaN을 이용하여 wafer bowing 문제가 해결된 GaN 박막 성장을 연구하였다. 본 실험에서는, c-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 nano-columnar structure를 갖는 저온 GaN layer을 성장하였다. 그 후 columnar structure를 유지하면서 $1,040^{\circ}C$까지 annealing한 후 고온에서 flat 한 GaN 박막을 nano-columnar structure GaN layer위에 성장 하였다. 우선 저온 GaN layer가 nano-columnar structure를 갖고, 고온에서도 nano-columnar structure가 유지되는 것을 scanning electron microscopy (SEM)과 transmission electron microcopy (TEM)을 통해 확인하였다. 또한 이런 columnar structure 위에 고온에서 성장시킨 flat한 GaN 박막이 성장된 것을 관찰할 수 있었다. 성장된 GaN박막의 wafer bowing 정도를 측정한 결과, columnar structure를 갖고 있는 고온 GaN 박막이 일반적인 GaN에 비해 확연하게 wafer bowing이 감소된 것을 확인할 수 있었다. Columnar structure가 coalescence가 되면서 생기는 tensile stress가 GaN박막의 성장시 발생하는 compressive stress를 compensation하여 wafer bowing이 줄어든 것으로 보인다. 본 발표에서는 이 구조에 대한 구조 및 stress 효과에 대해서 논의할 예정이다.

• Korea journal of population studies
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• v.30 no.1
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• pp.149-176
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• 2007

본 연구는 지난 30년간(1975-2004년) 한국의 경제성장과정에서 교육의 부문별(초등 중등 고등교육) 역할을 추정하는 데 주목적이 있다. 본 연구는 우선 신고전학파 Solow의 외생적 경제성장이론을 접목한 Cobb-Douglas 모형을 확장하여 1인당 경제성장 추정을 위한 내생성장모형을 제시하였다. 또한 자료 한계를 극복하기 위하여 동아시아 7개국 자료를 바탕으로 시계 및 횡단면 자료를 블록으로 구축하여 앞의 내생성장모형을 이용한 pooling방법으로 1인당 경제성장에 물적자본, 단순노동력, 인적자본, 지적자본(R&D), 초기년도의 기술수준 등의 기여분을 추정하였다. 이러한 각 생산요소의 직접적인 추정결과로부터 각 요소간(고등교육, 중등교육, 지적자본) 상호작용으로 인한 간접적인 기여분 추정을 위해 연립방정식체계를 구축하고 각 요소의 영향력을 재 추정하여 보정된 결과를 제시하였다. 1975-2004년간 한국의 경제성장 과정에 있어서 인적자본요소인 교육은 40.7%를 기여였으며 이를 다시 분해하면 중등교육이 가장 큰 87.0%, 초등교육이 6.6%, 중등교육에 간접적으로 기여한 대학교육이 -52.9%를 보였다. 물적자본이 39.6%, R&D자본이 24.1%들 보였으며 지식 정보기반사회에서 그 의미가 감소한 단순노동력은 -1.4%, 기술추격을 가능케 하는 1975년도 초기기술수준이 -3.0%의 추정결과를 보여주고 있다. 향후 정책연구 과제로는 한국미 지식기반사회에서 선진국으로 진입하기 위해서는 경제성장과정에서 대학의 역할을 제고할 필요성이 있음을 제안하고 있다. 이를 위해서는 기존 대학의 양적인 구조조정이 필요하다. 특히 대학의 질적 경쟁력을 높이기 위한 정부의 대학 지원 역할 역시 제고되어야 할 것이다. 또한 이 글은 교육시장과 노동시장을 어떠한 방법으로 연계 시키는가를 논의하고 세계시장의 급격한 기술변화와 체제변화에 따라 국내노동시장의 필요한 산업인력수요의 내용도 같은 속도의 변화를 요구하고 있음을 상기시키고 연계지원 정책을 주장하고 있다.

• International Area Studies Review
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• v.16 no.1
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• pp.275-301
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• 2012

This study analyzes the regional disparity in India between 24 states over the period 1980 to 2009. The traditional regressive and spatial autoregressive models are used that includes measures of spatial effects. The results provide no evidence that convergence is valid in India. However, the results indicate that spatial interaction is an important element of state growth in India. The result of spatial analysis excluded two outliner states reveals more strong relationship between the weighted spatial income level and the state growth rates. Moreover, the results find that the coefficients of spatial lag of initial per capital and error terms are significantly negative. The coefficient of variation measures that the distribution of state income level has diverged over time. Therefore, this study concludes that the growth of regional state income does not have a tendency to converge rater than diverge. The results is rational because as the Indian economy is growing rapidly, some states grow faster than the others while initial poor states become the poorest ones, which increases regional disparity in India.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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• v.7 no.1
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• pp.75-82
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• 1987

It is the objective of this study to estimate J-integral by numerical analysis, in which J-integral as aparameters in fracture mechanics can be used to evaluate unstable ductile fracture which is a important problem with respect to structural stability when the scope is beyond small scale yielding criteria. For this, 8-node isoparametric singular element as crack tip element of a cracked material was used to solve plastic blunting phenomenon at crack tip, and crack opening was forced to start when J-value was exceeding fracture toughness $J_{IC}$ of the material. And crack propagation behaviour was treated by using crack opening angle. From this study, it was shown that crack opening, stable propagation and unstable opening point of the cracked material found by using J-value obtained from this study were accord with the other study, so think, J-value obtained from this study can be directly used as a parameter in fracture mechanics to deal with the problem of stable propagation of crack and unstable ductile fracture.

• KSBB Journal
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• v.4 no.3
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• pp.246-253
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• 1989

Hairy roots of carrot were induced by Agrobacterium rhizogenes $A_4$ strain within about 2-4 weeks after inoculated from root disc. Early axonic culture is established in RCM agar medium and following is in MS rigid medium. After 15 days culture, the hairy roots were vigrous growth in about 10 times of initial inoculum. Anthocyanin contents of hairy roots were more than of ordinary roots. 2, 4-D ($10^{-4}mg/ l$), sucrose (5%), nitrogen source (0.03M) contained medium was optimized to growth of hairy root and contents of anthocyanin. Phenotypic alterations of leaves are observed in transformed plants and determined the transformation of hairy roots and the transformed plants by opine assay.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.120-120
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• 1999

III-nitride계 물질들은 blue와 UV 영역의 LED, LD와 같은 광소자뿐만 아니라 HBT, FET와 같은 전자소자로도 널리 응용되고 있다. 이와 같은 물질을 이용한 소자를 제작할 수 있는 낮은 저항의 ohmic contact은 필수적이다. Al이나 Ti와 같은 물질을 기초로 한 n-GaN의 경우는 이미 많은 연구결과가 발표되어 전기적 광학적 소자를 동작하는데 충분히 낮은 ohmic contact저항( )을 었다. 그러나 p-GaN의 ohmic contact은 아직까지 많은 문제점을 내포하고 있다. 그 중의 하나는 높은 doping 농도( )의 p-GaN 박막을 성장하기가 어렵다는 것이며, 또 하나는 낮은 접촉 비저항을 얻기 위해선 7.5eV이상의 큰 재가 function을 지닌 금속을 선택해야 한다. 그러나 5.5eV 이상의 재가 function을 갖는 금속은 존재하지 않는다. 위와 같은 문제점들은 p-GaN의 접촉 비저항이 이상의 높은 값을 갖게 만들고 있으며, 이에 대한 해경방안으로는 고온의 열처리를 통하여 p-GaN와 금속 사이에서 화학적 반응을 일으킴으로써 표면 근처에서 캐리어농도를 증가시키고, 캐리어 수송의 형태가 tunneling 형태로 일어날 수 있도록 하는 tunneling current mechanism을 이용하는 것이다. 이로 인해 결국 낮은 접촉 비저항을 얻을 수 있게되며, 일반적으로 p-GaN에서는 Nidl 좋은 물질로 알려져 있다. 그러나 Ni은 50$0^{\circ}C$이상의 열처리에서 쉽게 산화되는 특성 때문에 높은 캐리어를 얻는데 어려운 문제점이 있다. 이에 본 연구에서는 MBE로 성장된 p-GaN박막을 Mg의 activation을 더욱 증가시키기 위해 N2 분위기에서 15분간 90$0^{\circ}C$에서 annealing을 하였으며, ohmic 접촉을 위한 금속으로 높은 재가 function과 좋은 adhesion 그리고 낮은 자체저항을 가지고 있는 Ni/Au를 ohmic metal로 하여 contact한 후에 90$0^{\circ}C$에서 10초간 rapid thermal annealing (RTA)처리를 했다. 성장된 박막의 광학적 성질은 PL로써 측정하였으며, photoconductivity 실험을 통해 impurity의 life time을 분석하였고, persistent photoconductivity를 통해 dark current를 측정하였다. 또한 contact resistance를 계산하기 위해 circular-TLM method을 이용하여 I-V 특성을 조사하였다.