• Polymer(Korea)
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• v.32 no.2
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• pp.138-142
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• 2008

Molecularly imprinting technology is an effective method to prepare a synthetic material with a high selectivity to a target molecule. In this study, a molecularly imprinted polymer (MIP) was synthesized via UV-polymerization using theophylline and UV-curable polyester-acrylate resin as a template molecule and a crosslinker, respectively. To elucidate the effects of functional monomer type on the performance of the MIP, each MIP was synthesized using mathacrylic acid, acrylic acid, and acryl amide as functional monomers. Each MIP showed higher rebinding capacity to theophylline than its corresponding non-imprinted polymer (NIP). The MIP synthesized using mathacrylic acid as a functional monomer showed the highest rebinding capacity to theophylline. The selectivity of the MIP was investigated using a solution with caffeine having a very similar structure to theophylline. The binding performance of the MIP to theophylline decreased when distilled water was used as a solvent, which has more polarity than chloroform.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.05a
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• pp.702-705
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• 2011

Poly-Si wafers with resistivity of 1 [${\Omega}$-cm[ and thickness of 50 [${\mu}m$] were used as a starting material. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 [cm/sec], minority carrier diffusion length in the base region 50 [${\mu}m$], front surface recombination velocity 100 [cm/sec], sheet resistivity of emitter layer 100 [${\Omega}/{\Box}$], BSF thickness 0.5 [${\mu}m$], doping concentration $5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$. Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19.8 %. Further details of simulation parameters and their effects to cell characteristics are discussed in this paper.

• Korean Journal of Digital Imaging in Medicine
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• v.8 no.1
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• pp.51-55
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• 2006

The effects of Asaddition in amorphous selenium(a-Se) films for digital X-ray conversion material have been studied using the moving photocarrier grating(MPG) technique. This method utilizes the moving interference pattern generated by the superposition of the two frequency shifted laser beams for the illumination of the sample. This moving intensity grating induces a short circuit current, j$_{sc}$ in a-Se:As film. The transport parameters of the sample are extracted from the grating-velocity dependent short circuit current induced in the sample along the modulation direction. The electron and hole mobility, and recombination lifetime of a-Se films with arsenic(As) additions have been obtained. We have found an Increase in hole drift mobility and recombination lifetime, especially when 0.3% As is added into a-Se film, whereas electron mobility decreases with As addition due to the defect density. The transport properties for As doped a-Se films obtained by using MPG technique have been compared with X-ray sensitivity for a-Se:As device. The fabricated a-Se(0.3% As) device film exhibited the highest X-ray sensitivity out of 5 samples.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.270-270
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• 2011

유기발광소자는 자발광소자의 강점들과 낮은 구동 전압으로 발광효율이 높아 디스플레이 소자와 백색 조명 광원으로 응용 가능성 때문에 발광효율 증진에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기물 내에서의 정공의 이동도가 전자의 이동도보다 높아 발광층에서 정공과 전자의 수의 불균형이 나타나 재결합율이 떨어져 발광효율이 낮아지는 문제점이 있다. 본 연구에서는 전자의 이동도의 향상을 통한 발광층에서의 정공과 전자 재결합 효율을 향상하기 위해 전자수송층과 발광층으로 사용되는 tris(8-hydroxyquinolate)aluminum (Alq3)층에 Alq3보다 높은 전자이동도를 가지는 7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen)을 전자 수송층에 도핑하여 유기발광소자를 제작하였다. 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline을 정공저지층으로 사용하여 제작된 단일전자 소자를 이용하여 BPhen이 도핑된 전자 수송층을 사용한 소자가 Alq3만을 전자 수송층으로 사용한 소자보다 같은 전압에서 더 높은 전류밀도를 나타내었다. 전류밀도-전압특성 측정으로 전하 수송 메카니즘을 관찰하였다. 두 가지 전자 수송층을 사용하여 발광 소자를 제작하여 발광세기와 발광효율을 측정한 결과 도핑 된 전자 수송층을 사용하여 제작된 발광소자에서 발광세기와 발광효율이 향상되었다. 발광세기와 발광효율이 향상된 원인은 도핑된 전자수송층에서 높아진 전자의 이동도로 인하여 발광층에서 정공과 전자의 이동도가 균형을 이루어 전자-정공의 재결합 확률이 증가하기 때문이다. 도핑 된 전자 수송층을 사용하여 제작된 유기발광소자의 발광효율 향상에 대한 원인을 실험결과를 사용하여 설명 할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.308-308
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• 2012

현재 결정질 태양전지 제작에 있어 공정 단가 및 재료비 절감을 위해 실리콘 웨이퍼의 두께가 점점 얇아지는 추세이며, 이에 따른 장파장 영역 흡수 손실을 감소시키기 위한 방안으로 후면 패시베이션에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 후면 패시베이션층으로는 SiO2, SiNx, a-Si:H, SiOxNy 등의 물질이 사용되고 있으며, 본 연구에서는 SiO2/SiNx/SiO2 (ONO)의 삼중막 구조를 패시베이션층으로 하여 SiNx 단일막 구조와의 열처리 온도에 따른 소수캐리어 수명(${\tau}eff$), 후면 재결합속도(Seff), 확산거리(LD) 등의 파라미터 변화를 비교하였다. 증착 직후와 $350^{\circ}C$에서의 Forming Gas Annealing (FGA), 그리고 $800^{\circ}C$의 고온에서의 fast firing 후의 각각의 파라미터 변화를 관찰하였다. 증착 직후 SiNx 단일막과 ONO 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $108{\mu}s$와 $145{\mu}s$를 보였다. 후면 재결합속도는 65 cm/s와 44 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $560{\mu}m$와 $640{\mu}m$를 나타내었다. FGA와 firing 열처리 후 세 파마미터는 모두 향상된 값을 보였으며 최종 firing 처리 후 단일막과 삼중막의 소수캐리어 수명은 각각 $196{\mu}s$와 $212{\mu}s$를 보였다. 또한 후면 재결합속도는 28 cm/s와 24 cm/s를 보였으며, 확산거리는 각각 $750{\mu}m$와 $780{\mu}m$를 보여 ONO 삼중막 구조의 경우에서 보다 우수한 특성을 보였다. 본 실험을 통해 SiNx 단일막보다 ONO 패시베이션 구조에서의 열적안정성이 우수함을 확인하였으며, 또한 ONO 패시베이션 구조는 열적 안정성뿐 아니라 n-type 도핑을 위한 Back To Back (BTB) 도핑 공정 시 후면으로 의 도펀트 침투를 막는 차단 층으로서의 역할도 기대할 수 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.3
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• pp.284-294
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• 1992

합성용질확산법으로 GaP단결정을 성장시키고 몇가지 성질을 조사하였다. 정지상태에서 결정의 성장속도는 1.75[mm/day]이었고 결정성장용 석영관을 전기로내에서 하강시키므로써 양질의 GaP 단결정을 성장하였다. 에치피트밀도는 결정의 성장축 방향으로 3.8*$10^{4}$[$cm^{-2}$]부터 2.3*$10^{5}$[$cm^{-2}$] 까지 증가하였다. 성장된 GaP결정의 이동도와 캐리어농도는 실온에서 197.49[$cm^{2}$/V.sec]와 6.75*$10^{15}$[$cm^{-3}$]이었고 77K의 온도에서는 266.91[$cm^{2}$ /V.sec]와 3.13*$10^{14}$[$cm^{-3}$]이었다. 에너지갭의 온도의존성은 실험적으로 $E_{g}$(T)=2.3383-(6.082*$10^{-4}$) $T^{2}$/(373.096+T)[eV]로 구하여졌다. 저온에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼은 구속된 여기자의 복사재결합과 재결합 과정에 포논의 참여로 인하여 에너지갭 부근의 복잡한 선 스펙트럼이 나타났고 얕은 준위의 Si도너와 Zn억셉터준위 사이에서의 복사재결합 및 이에 대한 1LO, 2LO의 포논복제가 나타났으며 S $i_{Ga}$ -S $i_{p}$의 쌍방출에 의하여 1.8932[eV]에서 넓은 반치전폭의 피크가 나타났다. GaP의 적외선 흡수는 TO, LO, LA, T $A_{1}$, T $A_{2}$ 포논들의 이중결합모드와 G $a_{2}$O의 진동모드 및 Si도너와 Zn억셉터들에 의하여 일어났다. Zn를 확산시키어 제작한 p-n GaP발광다이오드는 실온에서의 발광중심피크가 6250[.angs.]이었고 최대광출력은 0.0916[mW], 양자효율은 0.51%이었다.이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.265-265
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• 2011

자발형성법으로 InP (001) 기판에 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점(QDs: quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료는 single layer InAs QDs (QD1)과 7-stacked InAs QDs (QD2)를 사용하였다. 두 시료 모두 저온 (10 K)에서 1,320 nm에서 PL 피크가 나타나고, 온도가 증가함에 따라 PL 피크는 적색편이 (red-shift)를 보였다. 양자점의 온도를 10 K에서 300 K까지 증가하였을 때 QD1은 178 nm 적색편이 하였으며, PL 스펙트럼 폭은 온도가 증가함에 따라 증가하였다. 그러나 QD2는 264 nm 적색편이를 보였으며 PL 스펙트럼의 폭은 QD1 시료와 반대로 온도가 증가함에 따라 감소하였다. QD2의 아주 넓은 PL 스펙트럼 폭과 매우 큰 적색편이는 InAs 양자점 크기의 변화가 QD1에 비해 훨씬 크기 때문이다. QD2의 경우 InAs 층수(layer number)가 증가함에 따라 InAs QD의 크기가 점차 증가하므로 QD 크기의 변화가 single layer인 QD1 시료보다 훨씬 크다. QD1의 PL 소멸은 파장이 증가함에 따라 점차 느려지다가 PL 피크 근처에서 가장 느린 소멸 곡선을 보이고, 파장이 더 증가하였을 때 PL 소멸은 점차 빠르게 소멸하였다. 그러나 QD2의 PL 소멸곡선은 파장이 증가함에 따라 점차 빠르게 소멸하였다. 이것은 QD2는 양자점 크기의 변화가 매우 크기 때문에 (lateral size=18~29 nm, height=2.8~5.9 nm) 방출파장이 증가함에 따라 양자점 사이의 파동함수의 겹침이 증가하여 캐리어의 이완이 증가하기 때문으로 설명된다. 온도에 따른 TRPL 결과는 두 시료 모두 10 K에서 150 K 까지는 소멸시간이 증가하였고, 150 K 이후부터는 소멸시간이 감소하였다. 온도가 증가함에 따라 소멸시간이 증가하는 것은 양자점에서 장벽과 WL (wetting layer)로 운반자(carrier)의 이동, 양자점들 사이에 열에 의해 유도된 운반자의 재분배 등으로 인한 발광 재결합으로 설명할 수 있다. 150 K 이상에서 소멸시간이 감소하는 것은 열적효과에 의한 비발광 재결합 과정에 의한 운반자의 소멸이 증가하기 때문이다. 온도에 따른 TRPL 결과는 두 시료 모두 150 K까지는 발광재결합이 우세하고, 150 K 이상에서 비발광재겹합이 우세하게 나타났다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.48 no.4
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• pp.506-510
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• 2010

Electron recombinations in electrolyte solution reduce light-to-energy conversion efficiency at the nanoporous electrode surface of dye sensitized solar cells. In this study, we improved the conversion efficiency using an energy barrier at the nanoporous electrode surface to control the recombination process. The energy barrier was formed by coating nanoporous $TiO_2$ electrode with $Nb_2O_5$ material. We investigated the influence of energy barrier on the cell efficiency depending on the coating thickness. Nanoporous $TiO_2$ electrode was coated about 5 nm thickness by 12 times coatings, and so the coating layer was grown about 0.417 nm for every time. Enhancement of conversion efficiency from 2.55% to 4.25% was achieved at 0.834 nm coating thickness, and it was believed as the optimum thickness for minimizing the electron recombination process in our experimental system.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.3 no.2
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• pp.121-130
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• 1993

The GaP crystals were grown by synthesis solute diffusion method and its properties were investigated. High quality single crystals were obtained by pull-down the crystal growing ampoule with velocity of 1.75mm/day. Etch pits density along vertical direction of ingot was increased from 3.8 ${\times}{10^4}$c$m^{-2}$ of the first freeze to 2.3 ${\times}{10^5}$c$m^2$ of the last freeze part. The carrier concentration and mobilities at room temperature were measured to 197.49cc$m^2$/V.sec and 6.75 ${\times}{10^{15}}$c$m^{-3]$, respectively. The temperature dependence of optical energy gap was empirically fitted to $E_g$(T)=[2.3383-(6.082${\times}{10^{-4}}$)$T^2$/(373. 096+TJeV. Photoluminescence spectra measured at low temperature were consist with sharp line-spectra near band-gap energy due to bound-exciton and phonon participation in band edge recombination process. Zn-diffusion depth in GaP was increased with square root of diffusion time and temperature dependence of diffusion coefficient was D(Tl = 3.2 ${\times}{10^3}$exp( - 3.486/$k_{\theta}$T)c$m^2$/sec. Electroluminescence spectra of p-n GaP homojunction diode are consisted with emission at 630nm due to recombination of donor in Zn-O complex center with shallow acceptors and near band edge emission at 550nm. Photon emission at current injection level of lower than 100m A was due to the band-filling mechanism.

• 전기의세계
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• v.33 no.4
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• pp.214-220
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• 1984

본고에서는 SI Ga As의 제조방법 및 전도매체들의 깊은 에너지위치(deep level)에 의한 상쇄현상(compensation)을 간략히 설명한 후 넓은 자장영역 (B=0-13T)에서의 Hall 효과 및 magnetoresistance (MR)에 의한 전기적 특성 연구방법을 설명하고, 전도매체의 재결합 현상을 연구할 수 있는 일반화 PME효과 (FA-PME)에 대해 기술한 후 SI Ga As 기판의 응용에 대해 간략히 기술하였다.